侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

三星首次展示3nm工艺芯片,采用GAAFET技术

近日,在国际固态电路大会中,三星首次展示了3nm工艺芯片,芯片采用了GAAFET技术,中文名为环绕栅极场效应晶体管技术,这也是三星首次采用该技术。

此次展出的芯片是一颗256GB容量的SRAM存储芯片,这也是3nm工艺首次落地。该芯片采用的是GAAFET中的MBCFET技术,它具备超低功耗,写入电流只需要区区0.23V。

此次2nm工艺相较于7nm来说, 晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。有消息称,三星的3nm工艺芯片将于明年开始量产,其他消息并没有宣布。不过根据高通骁龙888处理器的情况,首批3nm芯片实际使用效果有待商榷。

声明: 本网站所刊载信息,不代表OFweek观点。刊用本站稿件,务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像,违者将依法追究法律责任。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

电子工程 猎头职位 更多
扫码关注公众号
OFweek电子工程网
获取更多精彩内容
文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号