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三星首次展示3nm工艺芯片,采用GAAFET技术

近日,在国际固态电路大会中,三星首次展示了3nm工艺芯片,芯片采用了GAAFET技术,中文名为环绕栅极场效应晶体管技术,这也是三星首次采用该技术。

此次展出的芯片是一颗256GB容量的SRAM存储芯片,这也是3nm工艺首次落地。该芯片采用的是GAAFET中的MBCFET技术,它具备超低功耗,写入电流只需要区区0.23V。

此次2nm工艺相较于7nm来说, 晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。有消息称,三星的3nm工艺芯片将于明年开始量产,其他消息并没有宣布。不过根据高通骁龙888处理器的情况,首批3nm芯片实际使用效果有待商榷。

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