国产光刻机,仅达到90nm,已成芯片制造的最大短板了
众所周知,中国大陆的芯片产业要发展,与台湾省、与韩国、与日本、欧洲、美国等国家和地区的情况都不一样,复杂很多。
像台湾省、韩国、日本等地,要发展芯片产业,是整合全球的供应链,买最先进的产品,再整合起来就行,真正的全球一体化。
但中国大陆要发展芯片产业,全球一体化只是想一想而已,需要的是全国产产业链的崛起,因为美国一直想方设法的卡着我们发展芯片产业的“脖子”,特别是一些先进的设备,就不允许卖到中国大陆来,全球一体化实现不了。
所以一直以来,国产芯片供应链都是在负重前行,先解决从0到1的问题,再从1慢慢发展到10,最终达到全球顶尖水平,与国际巨头扳手腕。
那么问题来了,当前国产半导体设备中,技术最先进的是哪一种,技术相对最落后的又是哪一种呢?
上图这张图,其实说得非常明白了。刻蚀机应该是当前国产半导体设备中,唯一达到国际先进水平的,已经达到了5nm。
这家公司就是中微公司,其生产的刻蚀机,早就实现了5nm,被台积电、中芯等晶圆厂使用。
事实上,刻蚀机之前也是被美国禁运的,但随着中微公司的先进刻蚀机后,禁运也就没意义了,于是放开了市场,中国厂商可以随便买。
而技术相对落后的则是光刻机了,目前上海微电子生产的光刻机,其标注的精度还在90nm。而ASML的光刻机,已经能够生产3nm的芯片了,这中间的差距还是相当大的。
也正因为光刻机技术差距大,所以目前光刻机是禁运的,比如EUV光刻机美国就不准ASML卖到中国大陆来,为的就是阻止我们进入到7nm。
前段时间还传出美国要对14nm及以下的设备下手,实行禁运,原因就是国内的设备,能够实现14nm以下节点不多,更多的还处于14nm、28nm阶段。
可见,光刻机已经成为了当前我们制造芯片的最大短板了,所以国产光刻机真的要努力才行,不说实现5nm,先实现28nm,再搞定14nm,先实现与其它国产半导体设备一个节点才行,你觉得呢?
而只要国产半导体设备有了突破,达到先进水平,禁运也就没有了任何意义,也就会全面放开了,刻蚀机就是最好的例子。
原文标题 : 国产光刻机,仅达到90nm,已成芯片制造的最大短板了
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