国产光刻机，仅达到90nm，已成芯片制造的最大短板了
众所周知，中国大陆的芯片产业要发展，与台湾省、与韩国、与日本、欧洲、美国等国家和地区的情况都不一样，复杂很多。
像台湾省、韩国、日本等地，要发展芯片产业，是整合全球的供应链，买最先进的产品，再整合起来就行，真正的全球一体化。
但中国大陆要发展芯片产业，全球一体化只是想一想而已，需要的是全国产产业链的崛起，因为美国一直想方设法的卡着我们发展芯片产业的“脖子”，特别是一些先进的设备，就不允许卖到中国大陆来，全球一体化实现不了。
所以一直以来，国产芯片供应链都是在负重前行，先解决从0到1的问题，再从1慢慢发展到10，最终达到全球顶尖水平，与国际巨头扳手腕。
那么问题来了，当前国产半导体设备中，技术最先进的是哪一种，技术相对最落后的又是哪一种呢？
上图这张图，其实说得非常明白了。刻蚀机应该是当前国产半导体设备中，唯一达到国际先进水平的，已经达到了5nm。
这家公司就是中微公司，其生产的刻蚀机，早就实现了5nm，被台积电、中芯等晶圆厂使用。
事实上，刻蚀机之前也是被美国禁运的，但随着中微公司的先进刻蚀机后，禁运也就没意义了，于是放开了市场，中国厂商可以随便买。
而技术相对落后的则是光刻机了，目前上海微电子生产的光刻机，其标注的精度还在90nm。而ASML的光刻机，已经能够生产3nm的芯片了，这中间的差距还是相当大的。
也正因为光刻机技术差距大，所以目前光刻机是禁运的，比如EUV光刻机美国就不准ASML卖到中国大陆来，为的就是阻止我们进入到7nm。
前段时间还传出美国要对14nm及以下的设备下手，实行禁运，原因就是国内的设备，能够实现14nm以下节点不多，更多的还处于14nm、28nm阶段。
可见，光刻机已经成为了当前我们制造芯片的最大短板了，所以国产光刻机真的要努力才行，不说实现5nm，先实现28nm，再搞定14nm，先实现与其它国产半导体设备一个节点才行，你觉得呢？
而只要国产半导体设备有了突破，达到先进水平，禁运也就没有了任何意义，也就会全面放开了，刻蚀机就是最好的例子。
原文标题 : 国产光刻机，仅达到90nm，已成芯片制造的最大短板了
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