美国打压中国存储，韩企赢得时间，发布300层堆叠NAND芯片
众所周知，中国存储芯片厂商长江存储，最全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商，其量产的时间早于美光、三星、SK海力士等。
而基于其232层3D NAND闪存制造的SSD，在性能上已经超过了美光、三星、SK海力士的产品，可以说长江存储，是国内少有的在半导体领域上，超过美国的中国企业。
不过后来的故事，大家也清楚了，技术太先进，把美国吓住了，于是将长江存储拉入了“实体清单”，对一些先进设备进行了限制。
事实上我们很清楚，长江存储能够实现突破，一方面是自己的Xtacking（也称之为“晶栈”）技术很牛，将读、写两块分开了，这属于创新性的架构。
另外一方面，还是依赖了美国的技术，比如美国的KLA Corp. ( KLAC ) 和泛林集团 ( Lam Research Co., LRCX ) 等，就为长江存储的232层工艺提供了设备以及技术支持。
而一被列入“实体清单”后，先进的设备无法购买，原本合作的美国厂商，也暂停了对已安装设备的支持，暂停了新设备的安装调试，还暂时撤出他们在驻厂的员工。
导致长江存储新产品扩产陷入了困境，产能一下子提升不起来。这会造成什么后果，当然是错过通过技术抢占市场的窗口期，而这也是美国的目的。
因为如果中国存储厂商技术先进，产能又不断的提升，那还有美国厂商什么事？当然是要打压下来，然后让中国厂商的产能无法提升，这样无法占领市场，那么当美国厂商技术上来了，就能够占领了市场，那时候就无所谓了，美国打压的就是这个窗口期。
果然，后续来了，近日韩国存储厂商SK海力士第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 上，展示了最新300 层堆叠第8代 3D NAND Flash的原型。
这种存储芯片，堆叠超过 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有20Gb/mm² 单位容量，最大数据传输速率将达到 194 MB/s，比上一代高出18%。
而存储密度提升一倍，就意味着成本要大幅度降低，这种芯片一推出，明显会比长江存储232层 3D NAND更有竞争力。
而美光也表示，很快要推出300层以上堆叠的3D NAND闪存芯片，时间预计在今年年底，或明年上半年，至于大规模推出市场，可能会在2024年下半年去了。
很明显，美国打压中国存储芯片的目的，部分实现了，就是想让我们就算研发出新技术，也要错过这个领先的窗口期，从而无法提升市场规模，最终高端市场就还是美系厂商或美国盟友的。
原文标题 : 美国打压中国存储，韩企赢得时间，发布300层堆叠NAND芯片
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