台积电3纳米受挫，跟随中国芯开辟新赛道，弯道超车能成功么？
日前媒体爆料指台积电在芯片技术方面早已布局硅光芯片，而它研发这项技术已有数年之久，它的硅光芯片工艺已达到7纳米，预计明年就能投入量产，这是在中国芯片研发硅光芯片之后，又一个重大消息
台积电研发硅光芯片，在于它如今在3纳米工艺受挫，目前以3纳米工艺生产的苹果A17处理器性能仅提升了10%，而功耗却较高，成本增加两成，昂贵的成本却无法带来相应的性能提升，导致高通、联发科等已放弃3纳米工艺而继续采用4纳米工艺。
业界人士认为台积电、三星其实早在7纳米工艺之后就已难以在传统的硅基芯片工艺技术上取得进展，难以缩短芯片栅极间距，此后的7纳米、5纳米工艺其实都并非根据摩尔定律进行命名，而是在提升了三成性能的情况下就对新工艺命名，玩的是数字游戏，对此Intel也曾强烈质疑。
只不过到了3纳米工艺，这种数字游戏也难玩下去了，A17处理器仅提升了一成的性能，与台积电宣称的3纳米工艺可以提升三成性能完全无法比，由此导致台积电陷入窘境，如果仅靠苹果一家厂商，台积电投入近2000亿研发的3纳米工艺将难以回收成本。
中国芯片方面则由于难以获得先进的EUV光刻机，更早研发新的芯片技术，除了上述提到的硅光芯片之外，中国芯片还在光子芯片、量子芯片等技术进行布局，并已取得一些成绩。
光子芯片、量子芯片等先进芯片技术可以将芯片性能提升千倍以上，而功耗却可以降低至目前硅基芯片的千分之一，不过这些先进芯片技术还面临太多技术难题，因此中国芯片将光子芯片与硅基芯片技术结合，研发硅光芯片。
硅光芯片仍然会以硅基为基座，不过内核传输以光为介质，可以大幅提升数据传输速率，性能可以比硅基芯片提升100倍，如此可以大幅降低芯片技术研发难度，又能利用现有的硅基芯片技术，此前中国已有诸多机构发布了相关的硅光芯片技术。
台积电作为全球最先进的芯片代工厂，恐怕也认识到硅基芯片的局限，继续沿着原来的技术发展方向发展先进工艺总会达到天花板，尤其是在10纳米之后，因此它也早早研发硅光芯片技术。
台积电推进硅光芯片技术，证明了中国研发硅光芯片是一条可行的途径，如今中国的芯片制造工艺已量产14纳米，业界猜测7纳米工艺可能已在试产，国产5G手机很可能就是国产化的7纳米工艺。
如此中国可以依托现有的硅基芯片工艺研发出媲美台积电的7纳米硅光芯片技术，从而一举达到世界先进水平。这也将打破台积电独占7纳米硅光芯片技术的计划，中国芯片将真正实现弯道超车。
硅光芯片技术对于中国芯片非常有意义，由于众所周知的原因，美国一直在限制中国发展先进芯片，拉拢日本、荷兰限制对中国提供7纳米及以下的先进芯片设备和材料，而硅光芯片技术将让中国无需再依赖它们，而以国产化的技术达到世界先进水平。
原文标题 : 台积电3纳米受挫，跟随中国芯开辟新赛道，弯道超车能成功么？
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