前言：

凭借卓越的性能表现，HBM在内存技术领域展现出了强大的竞争力，并持续保持增长态势。

根据知名调研机构TrendForce的预测，至2024年，HBM的位元需求预计将实现近200%的年增长率，而到了2025年，这一增长率有望再度翻倍。

预计至2024年，HBM的产值将占据DRAM市场的超过20%份额，而到了2025年，更是有望突破三成的市场份额。

作者 | 方文三

图片来源 |  网 络 

三星在HBM市场随着时间线愈发紧张

面对这一大的增量市场，三星总会回想起2019年因对市场前景的误判而解散HBM团队的错误决策。

这一决定为SK海力士抢占HBM3市场提供了契机，直接导致三星在第一回合的竞争中失利。

甚至在2024年3月的股东大会上，仍有三星高管对过去的准备不足表示反思，并承诺不再重蹈覆辙。

为专注于HBM4的研发，并积极争取英伟达等关键客户的订单，三星日前已将HBM工作小组升级为芯片部门下的常设办公室。

这是继今年1月成立HBM特别工作组之后，三星再次加强HBM领域布局，充分展现其对HBM技术发展的坚定决心。

从时间规划来看，三星计划于2025年提供HBM4样品，并力争在2026年实现量产。

然而，据最新报道，SK海力士在5月2日的韩国记者招待会上透露，其HBM4量产时间已提前至2025年。

若此消息属实，SK海力士将再次抢占先机，对三星构成更大的竞争压力。

对于三星而言，能否在3D DRAM领域取得突破性的成功，将成为其未来能否扭转局势的关键所在。

目前，SK海力士已占据HBM市场约50%的份额，并与台积电紧密合作，进一步巩固其市场地位。

由此可见，SK海力士的增长势头对三星构成了日益严峻的挑战。

按照当前的增长趋势，SK海力士的市场份额将进一步扩大，对三星构成实质性的威胁。

这也促使三星做出转变，加大在HBM领域的投入和研发力度，以应对市场竞争的挑战。

SK与台积电合作推进下一代HBM技术

SK海力士与台积电正式达成技术合作，共同致力于下一代HBM的研发与尖端封装技术的推进。

近日，SK海力士与台积电在台北签署了技术合作谅解备忘录（MOU），宣布将携手开发第六代高带宽存储器（HBM4），并计划于2026年实现量产。

这一重要合作举措旨在通过双方的技术优势和资源整合，推动HBM技术的进一步发展。

作为AI半导体市场的最大客户，英伟达已向SK海力士采购用于其核心GPU的HBM，并将封装任务委托给台积电。

此次合作将进一步提升HBM的性能和稳定性，以满足人工智能计算任务对高带宽、低延迟存储器的需求。

在合作过程中，SK海力士与台积电将共同寻求提高安装在HBM封装底部的基础芯片性能。

基础芯片作为HBM的核心组成部分，其性能的提升将直接推动整个存储系统性能的提升。

为此，双方将利用各自在存储器技术和逻辑工艺方面的专长，共同推进基础芯片的研发和优化。

值得一提的是，SK海力士此次决定采用台积电的超精细逻辑边缘工艺来制造基础芯片，以进一步提升其性能和稳定性。

这一决策体现了SK海力士对新技术和新工艺的积极拥抱，也展示了其与台积电在存储器产业链上的深度融合。

在全球存储器市场竞争日益激烈的背景下，SK海力士与台积电的此次合作无疑为业界带来了新的期待和机遇。

两大科技巨头的联手不仅将推动存储器技术的新一轮革新，更有可能引领全球存储器市场格局的新变革。

三星被台积电卡脖子导致未通过英伟达测试

据DigiTimes报道，三星的HBM3E内存目前尚未通过英伟达的测试验证，仍需进一步审查。

这一状况主要源于在台积电的审批环节遭遇阻碍。

作为英伟达AI GPU芯片的制造与封装合作伙伴，台积电在验证过程中扮演着至关重要的角色。

然而，由于台积电所采用的检测标准主要基于SK海力士的HBM3E产品设定；

而三星的HBM3E产品在制造工艺上与之存在一定差异，特别是在芯片封装技术方面。

三星采用的是TC-NCF技术，而SK海力士则运用MR-MUF材料技术，这些差异对部分关键参数产生了影响，从而导致三星的HBM3E内存未能顺利通过测试。

三星方面曾在4月表示，其8层垂直堆叠的HBM3E已量产，并计划提前一个季度，在今年第二季度实现12层堆叠的HBM3E量产，以满足生成式AI市场日益增长的需求。

然而，英伟达首席执行官黄仁勋在Blackwell产品发布会上透露，公司正在对三星的HBM3E进行资格认证，这也在一定程度上暗示了三星在供应英伟达方面所面临的挑战。

知情人士进一步透露，三星电子在向英伟达供应HBM芯片的测试过程中未能达标，主要问题在于其HBM芯片在发热和功耗方面存在缺陷，未能满足测试要求。

这一消息也直接导致了三星电子股价在周五大幅下跌3%。

尽管三星在加快新款HBM产品的项目进度以满足市场需求，但由于在制造工艺和参数方面的差异，以及未能通过台积电的审批环节，其HBM3E内存目前仍未能获得英伟达的认可。

这一状况对于三星在高端内存市场的竞争地位无疑构成了一定影响，也反映出在高科技产业中，技术标准的统一和兼容性对于产品推广和市场接受度的重要性。

三星发展HBM还是要过台积电这关

三星发展HBM技术的过程中，确实面临着与台积电的竞争。台积电作为全球领先的半导体代工企业，拥有先进的制造工艺和广泛的客户基础。

三星在发展HBM技术时，需要在技术性能、产能供应以及客户服务等方面与台积电竞争。

三星正在积极推进HBM技术的发展，并探索新的封装技术以解决现有瓶颈。

例如，三星在OCP全球峰会上展示了HBM进一步发展的潜在瓶颈和解决方案。

三星还展望了HBM与硅光子技术的结合前景，这可能有助于实现更快的数据传输速率。

台积电虽然没有在搜索结果中直接提及HBM技术，但其在半导体代工领域的领导地位意味着任何半导体技术的发展，包括HBM，都需要考虑台积电的市场影响力和技术能力。

台积电的成功部分归功于其与客户建立的良好关系、灵活的定价策略以及持续的技术创新。

三星在发展HBM技术时，确实需要面对台积电这一强有力的竞争对手。

两家公司在技术创新、市场策略和客户服务等方面的竞争，将对HBM技术的发展和应用产生重要影响。

结尾：

三星始终致力于提升在高端存储器产品领域，尤其是HBM等细分市场的份额。

然而，鉴于SK海力士与台积电两大业界巨头的强强联合，三星将不可避免地面临更为激烈的市场竞争和严峻的技术挑战。

部分资料参考：天天IC：《HBM4“刺刀见红”》，芯片说 IC TIME：《SK海力士与台积电开发HBM4，三星慌了》，半导体行业观察：《三星DRAM，关键一战》，半导体芯闻：《三星，困在HBM》，半导体产业纵横：《这一次，三星被台积电卡脖子了》

       原文标题 : AI芯天下丨深度丨三星发展HBM，依然要过台积电这一关