IEDM
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IEDM 2024上，0.7nm来了
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 更小，更快，更好。 近日，IEDM在旧金山举行。在 CMOS 逻辑技术中，晶体管技术的发布引人注目。除了宣布 2nm 代 CMOS 逻辑平台外，台积电还将报告使用单片制造的 CFET（互补 FET）制作逆变器原型的结果
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2019 IEDM：IBM和Leti
BM和Leti在IEDM上发表的关于Nanosheet的工作进展：改进蚀刻工艺，基于偶极子的Vt控制，在叠层下引入介电层降低寄生电容以及对纳米片叠层中应力的理解，以使Nanosheet架构朝着量产迈进。应力会影响载流子迁移率，进而影响器件性能，因此也是未来工艺优化的关键。
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台积电5nm 2019 IEDM详情
在这篇文章中，展示了具有标准化单位的掩模层图，其中16FFC为1．00、10FF∽1．30、7FF∽1．44和5FF∽1．30。我相信台积电的7FF工艺是78片掩模，而5FF是70掩模。当我将遮罩估计值用于16FFC，10FF，7FF和5FF时，再重新画图，与论文中图像几乎一致。
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