IEDM
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2019 IEDM:IBM和Leti
BM和Leti在IEDM上发表的关于Nanosheet的工作进展:改进蚀刻工艺,基于偶极子的Vt控制,在叠层下引入介电层降低寄生电容以及对纳米片叠层中应力的理解,以使Nanosheet架构朝着量产迈进。应力会影响载流子迁移率,进而影响器件性能,因此也是未来工艺优化的关键。
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台积电5nm 2019 IEDM详情
在这篇文章中,展示了具有标准化单位的掩模层图,其中16FFC为1.00、10FF∽1.30、7FF∽1.44和5FF∽1.30。我相信台积电的7FF工艺是78片掩模,而5FF是70掩模。当我将遮罩估计值用于16FFC,10FF,7FF和5FF时,再重新画图,与论文中图像几乎一致。
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