NAND
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400层NAND:完成开发,准备量产
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 除了400层NAND,三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。 三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上
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突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产
快科技12月9日消息,据媒体报道,三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术,并已开始将该技术转移到大规模生产线。 这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士
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三星大幅削减3D NAND生产中的光刻胶使用量
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 三星降本,供应商发愁。 三星电子在其最新的 3D NAND 闪存光刻工艺中减少了厚光刻胶(PR)的使用,让成本大幅节约。然而,这一举措可能会影响其韩国供应商东进世美肯
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SK海力士突破300层技术大关,正式量产321层堆叠NAND闪存
(本篇文篇章共788字,阅读时间约2分钟) 2024年11月21日,韩国存储器巨头SK海力士宣布,已正式量产全球首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存,标志着存储器行业又一项技术里程碑的诞生
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江波龙自研SLC NAND Flash累计出货突破1亿颗
江波龙充分发挥自身芯片设计能力,持续积极投入存储芯片设计业务,聚焦 SLC NAND Flash 等存储芯片设计。 SLC NAND Flash存储器产品是应用于网络通信设备、安防监控、物联网、便携设备等消费、工业及汽车应用场景的小容量存储器
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江波龙 2xnm SLC NAND Flash亮相ELEXCON2024深圳电子展,存储技术再攀升
8月27日至29日,江波龙携旗下行业类存储品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳国际电子展,展示其在存储领域的最新技术成果。在此次展会上,江波龙首款2xnm SLC NAND Flash自研
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NAND闪存市场,开始洗牌
最近,铠侠和西部数据的合并已经传来消息,或将于本月达成合并协议。 当初,业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的,毕竟铠侠在NAND领域世界排名第二、西部数据排在第四,这两大巨头的合并可以震动存储市场
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3D NAND还是卷到了300层
近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。 同样在8月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产
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西数将拆分NAND Flash部门,与铠侠合并!
据彭博社报道,经过几个月谈判后,西部数据和铠侠即将达成协议,主要是分拆西部数据NAND Flash闪存部门与铠侠合并。该合并协议或将在8月份之前达成。知情人士称,这笔交易将作为西部数据闪存业务的免税分拆,该业务将与铠侠合并
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国产之光!长江存储NAND闪存开始涨价
这两年,SSD市场飞速发展,容量、性能越来越喜人,价格更是低得不可思议。 其中原因很多,长江存储绝对功不可没,NAND闪存技术不断取得突破,已经达到了世界一流水准。 虽然长江存储占据的市场还不够大,但足以给三星、SK海力士、美光这些国际巨头相当的压力,什么水灾、火灾、断电、病毒等意外也不见了
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西部数据官宣:NAND减产30%!
2月9日消息,存储大厂西部数据突然宣布,将进一步减少设备投资和生产。这无疑是在存储行业的不景气情况下的又一起重磅消息。据Business Korea报道,西部数据在2022年第四季度业绩电话会议上表示,在2023财年,每年的设备投资总额将达到23亿美元
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复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破
2022年11月29日,据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道,长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产,领先于三星、美光、SK海力士等厂商,这也是中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者
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SK海力士官宣:238层NAND闪存芯片明年上半年量产
8月3日,世界第二大存储芯片制造商韩国 SK 海力士(SK Hynix)宣布,已经开发出最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。据SK海力
SK海力士 2022-08-03 -
最新财报!三星芯片业务增长42%,DRAM、NAND依然强劲
7月6日,根据市场研究机构Yonhap Infomax调查数据显示,尽管智能手机和家用电器的需求放缓,但得益于强劲的半导体业务,三星电子公司预计第二季度的营业利润将增长15%以上。
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ReRAM:DRAM和NAND的最强继任者?
存储器是半导体产业的重要分支,约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。存储器已经形成主要由DRAM与Flash构成的超千亿美元的市场。尽管存储器产品品类众多,但从产品营收贡献的角度来看,DRAM和Flash(NAND、NOR)的营收占比超95%
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KIOXIA铠侠庆祝NAND闪存发明35周年
颠覆性技术的深远影响从根本上改变了人们的生活、工作和娱乐方式2022年4月25日,中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处?如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术,这两者都将不会存在
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解决卡脖子的第一步?华为要自己封装NAND闪存芯片
众所周知, 所有的国产智能手机中,华为应该是元件国产化程度最高的,能使用国产的元件,华为一般都是尽量使用国产的。但即便是国产化程度最高,华为手机中依然有几大部分是无法国产化的,第一是5G射频前端,这部分主要来自于高通、Skyworks和Qorvo
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兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证,全面进入汽车应用领域
兆易创新38nm GD5F SPI NAND Flash产品覆盖1Gb~4Gb容量,满足AEC-Q100标准,兼具性能与成本优势,可为整车厂或者Tire1模组厂提供优质的车规级存储方案中国北京(202
兆易创新 2022-02-22 -
美光NAND芯片价格上涨25%
2月17日消息,有媒体报道称,已有工厂接到美光涨价通知,NAND芯片合约、现货价均大幅调涨,合约价涨17%-18%,现货价涨幅超25%,是目前已知涨价幅度最高的厂商。由于合约价是每月进行商议,美光的此次涨价几乎是实时生效,预计在3月初就会出现明显的市场反映
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东芯股份:NAND、NOR、DRAM多品类布局
本文来自方正证券研究所2022年2月07日发布的报告《东芯股份:NAND、NOR、DRAM多品类布局引领国产闪存制程突破》,欲了解具体内容,请阅读报告原文,陈杭S1220519110008  
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SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段
①SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段SK海力士宣布,已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准
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全球NAND闪存市场Q3排名:三星电子/铠侠/SK海力士居前三
①全球NAND闪存市场Q3排名:三星电子/铠侠/SK海力士居前三全球NAND闪存企业之间的角逐战非常激烈。与DRAM市场三强格局不同,NAND闪存市场玩家较多。在这个市场,三星电子连续20年稳居第一,SK海力士也提高了占有率,紧随其后
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巨头们集体瓜分的3D NAND闪存市场,还有国内厂商的一席之地
前日,TrendForce 集邦咨询发布了2021年第三季度 NAND Flash 市场报告。第三季度得益于智能手机和服务器两大应用的强劲需求,NAND闪存芯片出货量增长近11%,平均销售单价增长近4%,行业总营收达188.8亿美元,环比增长15%
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5G芯片+DRAM+NAND,紫光集团有多强?
从全球的手机厂商来看,三星无疑是产业链最齐全的一家手机厂商。手机的几个大件中,三星有自己的屏幕,自己的手机Soc,自己的DRAM、自己的NAND闪存,甚至还有自己的系统。其它任何一家手机厂商论产业链齐全程度都不如三星,不管是华为,还是苹果,都得大量采用其它厂商的产品
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DRAM,NAND,新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析
最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会,Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM,NAND,新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。以下概述了讨论的相关主题。DRA
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置富科技收购专注于Nand flash测试应用技术武汉忆数存储
深圳2020年11月12日 /美通社/ -- 置富科技(深圳)股份有限公司是一家新三板挂牌公司,自2006年创立以来一直专注于存储领域,公司发展至今,已成为一家专注于存储行业集研发、生产、销售于一体的高新技术企业,公司拥有国内专业的固态存储生产工厂,以及完整的固态存储产品线
互联网 2020-11-13 -
英特尔出售NAND闪存业务再爆料,紫光本有意,大国角力下放弃
SK海力士将收购英特尔NAND闪存等业务的消息,在10月20日被报道后,在业界抱起了不少的波澜。报道称SK海力士将以90亿美元(约合人民币约601亿元)收购英特尔的NAND闪存和存储业务,交易涵盖英特尔的SSD、NAND部件、晶圆以及其在中国大连的闪存工厂Fab 68
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大并购:SK海力士90亿美元收购英特尔NAND业务 今年以来半导体产业第三笔大收购案
10月20日,SK海力士正式宣布将以90亿美元(约合人民币约601亿元)收购英特尔的NAND闪存和存储业务,已与英特尔签署收购协议。据悉,此次交易包括英特尔的SSD、NAND部件、晶圆以及其在中国大连的闪存工厂Fab 68
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SK海力士以10.3104万亿韩元收购英特尔NAND存储芯片业务
SK海力士与美国英特尔公司签署合同,将以10.3104万亿韩元(约合人民币604亿元)收购英特尔NAND存储芯片业务。
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兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
2020年10月15日,业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布,正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列
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