N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例
2018-12-20 09:24
掘芯
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一、N－MOS管和P－MOS管的对比
二、N－MOS的开关条件
N－MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。
在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在GND，从而达到控制N－MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds（on）极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。
三、N－MOS的应用
3．1 防止电源接反的保护电路
下面就是一个应用这个特性做的一个防止电源接反的保护电路，这样应用要比使用二极管好很多，如果直接使用二极管，会有约0．7V的压降。
仿真电路如下：
N－MOS管作为防止电路反接方案中，VCC＝5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是－49．554mV、－4．955uA。
3．2 电平转换电路
Sig1，Sig2为两个信号端，VDD和VCC分别是3．3V和5．0V电平信号的高电压。
另外限制条件为：
1，VDD ＜＝ VCC
2，Sig1的低电平门限大于0．7V左右（视NMOS内的二极管压降而定）．
3，Vgs ＜＝ VDD
4，Vds ＜＝ VCC
以下截图是在Multisim中仿真效果，利用开关提供信号。
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