解析IGBT的工作原理及作用
2014-09-09 14:43
来源：
中国电力电子产业网
IGBT的工作原理和作用电路分析版：
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
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图1 IGBT的等效电路
由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：
--IGBT栅极与发射极之间的电压;
--IGBT集电极与发射极之间的电压;
--流过IGBT集电极-发射极的电流;
--IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。
绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)
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