探究DRAM价格持续下跌的真正原因

2015-07-29 00:05

　　DRAM价格持续下跌，早前调研机构预估DRAM第三季度跌价幅度可能在5%至7%，后来在一片惊呼中调整到10%，再后来笔记本与台式机需求持续疲软，手机端拉货需求也未如预期明朗，导致如今竟修正到近15%，与第2季相当，枉费了“旺季效应”一词，究其原因，精简来说就是几个字：供过于求。

　　依过往的经验来看，产业初步供过于求时，报价将往成本靠拢，预计下半年DRAM价格将持续跌势，若明年供需状况仍不佳，一旦报价往成本价或是现金成本一路下探，则一些企业尤其台湾不少DRAM厂商将于2016年面临营运压力，很有可能开始出现亏损。而韩国内存大厂三星电子和 SK 海力士虽然因电脑和手机市场疲弱，需求萎靡，也应该逃不过价格下行的严重挤压。但就算 DRAM陷入供给过剩，也应该不至于亏损，甚至也是有钱赚。什么原因？这和各研究机构一再地重复供求问题一样，都把箭头指向了20nm工艺。

　　众所周知，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂都在积极进行向20nm制程的过渡，因为20nm可切割的裸晶数量较30nm大增80～100％，采用20nm制程的产品可以提升30%以上的生产力，而电力消耗量也可以节省10%以上。三星首先量产20nm工艺，就是为了有效降低单位生产成本，三大DRAM厂积极投入20nm，每片晶圆产出量大增，但个人计算机及智能型手机需求却未如预期成长，这才造成供给过剩及价格惨跌。

　　对DRAM厂来说，是要加快20nm微缩以降低成本，还是要放缓20nm微缩速度来减低市场供给过剩压力，这个问题非常难以取舍。不过至少以这三星、SK海力士、美光为首握有先进纳米制造工艺的厂商还有的选择，像台湾多数DRAM厂来说，形势就非常严峻了。

　　事实上，台湾制程工艺明显较为落后。台湾内存厂中，除了华亚科下半年开始转换20纳米，其它如南亚科和华邦电至今都还停留在30nm时代，据称年末也没打算转进20nm。以30nm的成本结构来看，4Gb DDR3的单位制造成本约1.6～1.8美元左右，一旦价格跌破2美元，毛利率将大幅下滑，若无法有效控管营业费用，台厂亏损压力可说是如影随形。

　　三大厂靠着20nm有效降低成本，价格跌破2美元仍有利可图，但制程无法跟上的DRAM厂，将很可能会面临亏损。

　　因为20nm工艺将产量效率大幅提升，且应用市场短期内完全看不到较大复苏的迹象，所以DRAM不仅短期内难有改善，长期而言也不见得会有转机。据报道，三星电子的平泽厂将在2017年投产，可能是全球产能最大的记忆体工厂。中国这边的政府也计划投资200亿美元，扶植记忆体产业，此举足以撼动全球市场，再加上私人投资，最终总额可能会冲上1000亿美元，最多五年内将正式进入竞争第一阵列。所以20nm工艺即是价格下行原因，也是必然趋势，挡是挡不住的，只有跟上才有活路。