本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

延续上周走势，现货市场DDR4、DDR5价格仍呈现全线下跌。 

根据TrendForce最新内存现货价格趋势报告，DRAM方面，现货市场DDR4、DDR5价格仍呈现全线下跌，且DDR4产品跌幅明显较大；NAND Flash方面，现货价格跌幅仍未有改变，详情如下：

DRAM现货价格：

延续上周走势，现货市场DDR4、DDR5价格仍呈现全线下跌，其中DDR4跌幅明显较大，加上模组厂库存水位偏高，加上需求由DDR4转至DDR5，DDR4价格仍有较大下跌空间，主流芯片现货均价（DDR4 1Gx8 2666MT/s）由上周的1.843美元下跌至本周的1.840美元，跌幅0.16%。

NAND闪存现货价格：

现货价格跌势仍未改变，现货厂商在上半年脱手部分低价库存后，也因后续补货而消化涨价，导致平均库存成本上升，而下半年现货价格大幅下跌只会让厂商损失更惨重，TrendForce预估此趋势短期内仍将持续。

近日，Edgewater Research下调了对NAND和DRAM的价格预测。Edgewater Research分析师认为，原始设备制造商(OEM)和云服务提供商(CSP)的NAND需求预测继续压缩，与此同时，数据中心的NAND需求预计将在2025年保持疲软，同比仅略有增长。

分析师称，供应商正在敦促客户签署2025年的长期协议，并在某些情况下提高了2025年长期协议中的需求预测。供应商还指出，他们愿意支持2025年的任何或所有需求。此外，对高带宽内存和eSSD短缺的担忧似乎在很大程度上消失了。

分析师补充称，所有领域的价格预测都再次下调，包括个人电脑(PC)、移动设备和服务器，以及NAND和DRAM。PC和移动设备OEM的再平衡目标仍是在2025年第二季度完成，订单将在2025年第二季度或下半年与实际需求增长保持一致。

分析师表示，供应链反馈表明，2025年供应增长有限和供应紧张的预测与行业现实(至少到2025年上半年可能会出现供应过剩和价格压力)之间存在脱节。对2025年的定价和需求的预测正变得更加谨慎。分析师预计，未来几个月的反馈将非常不稳定，具体取决于企业需求;三星电子HBM的成功和/或转向标准DRAM，以及关于NAND利用率降低的猜测。

分析师对美光科技的短期看法好坏参半，对其长期看法则是积极的。分析师们补充说，行业反馈继续变得更加谨慎，削弱了他们对2025年上半年美光科技的乐观态度。分析师表示，美光科技仍有一些该公司特有的催化剂，可以推动其业绩跑赢大盘，包括HBM和eSSD的股价上涨。

分析师指出，对美光科技在这些市场的相对地位的反馈持续改善，预计未来两到三个季度的平均售价和利润率将增长。此外，长期来看，分析师仍然认为美光科技在技术转型、产品组合(eSSD、HBM)和成本结构/资产负债表方面处于更有利的地位。

不同于此前阶段会出现的逆周期投资，在2023-2024年存储产业整体工厂建设情况也较为冷清，处于减产和产能恢复时期。走过盲目扩张产能、以规模效应夯实竞争优势的野蛮生长阶段，存储产业逐渐走向精细化、聚焦先进技术和高价值产品等核心竞争力，技术优先、技术领先将成为主基调。因此，也可以看到在2025年及之后，各存储原厂的投资扩产重点将放在更尖端技术领域。

三星电子NAND Flash主要生产基地位于韩国和中国西安，其DRAM生产基地位于韩国。其中三星电子在韩国平泽的存储器生产基地为全球最大的存储器生产基地，目前三星电子在平泽共建成有P1、P2、P3三座工厂，P4工厂预计将于今年年底完工，明年投产。据最新消息，三星电子已确定P4第一条生产线的投资方向，将同时量产NAND和DRAM。此外，P5工厂也正在建设中，不同于P1-P4各仅有四个洁净室，P5是一座拥有八个洁净室的大型晶圆厂，但P5的具体用途尚未确定，预测也将会是如P3/P4一样的混合工厂。

除新建工厂产线外，三星电子还在针对旧产线改造，如计划将P2工厂的DRAM生产线由生产1z DRAM改为1b DRAM或更尖端的DRAM产线。

同三星电子一样，SK海力士（包括Solidigm）的存储器生产基地主要分布在韩国和中国，其中NAND Flash生产基地位于韩国和中国大连，DRAM生产基地位于韩国和中国无锡。据悉，此前停止建设的位于韩国的M15X工厂已经恢复建设，计划于明年11月竣工并生产包括HBM在内的DRAM产品。

SK海力士在今年下半年也宣布，将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（约合595亿美元）投资于HBM等AI相关领域。

美光的存储器生产基地主要分布在新加坡、日本、中国台湾还有美国，其中NAND Flash生产位于新加坡还有美国，DRAM生产位于中国台湾、日本和美国。

据悉，美光在中国台湾工厂将于2025年开始生产1 DRAM，日本广岛工厂将于2026年开始生产。而其在美国新建的工厂预计在2026-2029年期间投产，爱达荷州晶圆厂预计2026年9月投产DRAM，纽约厂则计划2028年或之后上线。 

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       原文标题 : DRAM最新价格全线下跌，DDR4跌幅较大