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半导体大佬撑腰之下 GaN功率半导体能取代MOSFET?

2016-10-27 04:13
来源: 与非网

  最近,GaN器件供应商正在解决一些其他问题。“业界仍然存在误解,认为GaN器件比MOSFET贵,”EPC的Lidow说。“要想扭转人们的这种误解需要一定的时间,但人们确实正在更正这种印象。EPC于2015年5月开始以相当于或者低于MOSFET的价格向大批量应用供应GaN器件。”

  应用
  价格降下来之后,反过来使得GaN对于数据中心和电信设备的供电电源这些应用更加具备吸引力,事实上,数据中心运营商面临大量挑战,最大的挑战便是降低这些巨型设施的功耗。

  有若干种方法可以解决这个问题。Google采用的方法是,在其数据中心中采用48V供电的机架架构,要比目前的12V技术节能30%。

  通常情况下,机架由服务器和电源组成。“这些机架的功率大概在50千瓦或60千瓦左右,他们希望把它进一步推高到80或者90千瓦。这个功率数字很大,可是他们还希望在同样的空间体积下实现这么高的功率,”英飞凌的Persson说。“他们希望实现最高的效率,端到端的效率大约到98%这个级别。”

  这么大的功率,这么高的效率,电源就变得至关重要了。电源可能包括转换器、功率因数校正单元(PFC)。PFC能够保证系统以最大效率运行。

  一种常见类型的电源双拓扑使用双升压连续导通模式(CCM)PFC电路。在某些情况下,这种电路由超级结功率MOSFET供电。“超级结可以完成这项工作,”Persson提到。“你可以得到99%的效率,但它的代价是操作频率不高。”

  一种替代方案是使用基于600伏GaN器件的图腾柱CCM-PFC器件。 这个解决方案更贵,但有一些好处。 “图腾柱是一个更简单的拓扑,”他说。“我可以在GaN上应用相同的拓扑结构,同时实现更高的操作频率。您可以在广泛的功率范围内在PFC上获得高于99%的效率。这种方案可以节约资金和运营成本。”

  GaN同时还有一些其他的新兴应用。比如,Diag半导体公司最近也杀入GaN市场,计划在快速充电应用中实施这项技术。

  当智能手机或者其它移动设备电池电量较低或者不足时,必须使用墙上适配器或者充电器重新充电。在美国,电网的标准电压为120V。

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