GaN
氮化镓(GaN)是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力。
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GaN市场,蓄势待发
GaN 是近日半导体市场的热点词汇之一。 此前,东芝旗下的芯片制造商日本半导体大幅扩产芯片,重点关注 SiC 和 GaN 芯片;随后,芯片制造大厂台积电对 6 英寸晶圆代工产能进行调整,这一动态再次将
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AI芯天下丨热点丨GaN市场洗牌:台积电抽身,力积电接棒
前言: 一次战略撤退,揭开了第三代半导体战场最残酷的真相。 当前,GaN领域表面虽呈百花齐放之势,实则已步入分水岭,一场由同质化竞争转向结构性突破的变革正悄然展开。 作者?| 方文三 图片来源?|??
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台积电退出,英飞凌推进:GaN晶圆制造的两条路径
芝能智芯出品 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料之一,正加速在电力电子、数据中心与新能源汽车等高增长领域渗透。 在这一关键节点,台积电决定于2027年前逐步退出GaN晶圆代工业务,主因包括产能利用率
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马自达与罗姆联手!开发GaN功率半导体电驱系统
芝能智芯出品 马自达与罗姆宣布联合开发采用氮化镓(GaN)功率半导体的汽车零部件,利用GaN技术在减少能量损失、实现小型化和提升效率方面的优势,为下一代电动汽车打造创新的电力驱动系统。 自2022
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大联大友尚集团推出基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案
2025年3月18日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于达尔科技(Diodes)AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充电器方案
大联大友尚集团 2025-03-18 -
GaN 功率器件:如何改进架构并推广应用?
芝能智芯出品 随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长,单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。 基于此,复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段,氮化镓(GaN)凭借高电子迁移率和开关速度的优势,在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力
功率器件 2025-01-26 -
车载 GaN 功率器件进入发展拐点!
芝能智芯出品 随着电动汽车及相关技术的蓬勃发展,对高性能功率器件的需求与日俱增,氮化镓(GaN)功率器件凭借自身优势逐渐崭露头角。 在汽车领域,GaN 器件具备低导通电阻、高开关频率、紧凑设计等长处,应用潜力巨大
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GaN 与 SiC 在电气化驱动应用中的差异和未来趋势
芝能智芯出品 采用 GaN(氮化镓)和 SiC(碳化硅)组合的电力电子技术正在成为推动电气化驱动的重要趋势。 虽然硅(Si)在电力半导体领域长期占据主导地位,但其物理性能的限制已无法满足现代电动汽车(EV)和数据中心等高性能应用的需求
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应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓(GaN)MTC-65W1C
LCD(Liquid Crystal Display)显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置,从液晶显示器的结构来看,无论是笔记本电脑还是桌面系统,采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构
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GaN圈“扫地僧”誉鸿锦:身藏宝藏,初现锋芒
10月13日,誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心(宝安新馆)隆重举行了氮化镓(GaN)器件品牌发布会,暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。借此,我们注意到这家一亮相便惊艳四座的GaN赛
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誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会,携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命
10月13日,誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心(宝安新馆) 正式举办氮化镓(GaN)器件品牌发布会,暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持,首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式,带来了氮化镓半导体产业链的效率革命
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应用在SMPS中的GaN/氮化镓
开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流
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【深度】硅基氮化镓(GaN-on-Si)应用前景广阔 全球布局企业数量众多
使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等,应用优势较高 硅基氮化镓(GaN-on-Si)是指由硅和氮化镓组成的复合材料,其兼
硅基氮化镓 2023-09-26 -
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
该器件已准备就绪:为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应
Transphorm 2023-06-01 -
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片,保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日,中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑,以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L69
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Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
业内唯一可同时提供级联型(cascade)和增强型(e-mode)氮化镓器件的供应商奈梅亨,2023年5月10日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET
Nexperia 2023-05-10 -
65W氮化镓(GaN)充电头PD快充方案
2023年数码圈中讨论较多的莫过于65W氮化镓(GAN)充电头。65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率
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四川美阔推出:65W-1A2C接口氮化镓(GaN)PD快充电源方案
65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率
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英飞凌重金押注GaN,57亿收购GaN Systems
近日,芯片巨头英飞凌宣布以8.3亿美元现金(约合人民币57亿元)收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems,并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。对此,英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片
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Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP
该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。加
GaNSiP 2023-03-21 -
GaN/氮化镓65W(1A2C)PD快充电源方案
近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W(1A2C)PD快充充电器方案,该方案采用同系列控制单晶片:QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配
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65W-1A2C接口氮化镓(GaN)充电头
2023年数码圈中说较多的莫过于两个品类,其中一个就是氮化镓(GAN)充电头。氮化镓+充电头+65w究竟会产生怎样的火花呢?单口充电头和多口充电头能解决什么问题呢?不同品牌手机究竟怎样才能选择好适合自
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美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案
氮化镓快充的出现,给生活带来的极大的便利;近期;美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品,推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案,为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案
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聚能创芯携高性能、低成本GaN器件产品和应用方案成功亮相2022慕尼黑华南电子展!
2022慕尼黑华南电子展览会已于11月15日-17日在深圳国际会展中心成功举办。本届慕尼黑华南电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业,涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业,展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等
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半导体材料:GaN(氮化镓)的详细介绍
三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、
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应用在低功耗SMPS中的GaN/氮化镓
开关电源(简称:SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。可以把稳压电源想象成为如下的一种情形:当试
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应用在电源适配器中的GaN/氮化镓
电源适配器(Power adapter)是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备,一般由外壳、变压器、电感、电容、控制IC、PCB板等元器件组成,它的工作原理由交流输入转换为直流输出;按连接方式可分为插墙式和桌面式
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破解SiC、GaN栅极动态测试难题的魔法棒—光隔离探头
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性,能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。
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赛微电子:已签订千万级GaN销售合同
1月13日消息,赛微电子发布了投资者关系活动记录表 ,就MEMS代工产线的产能等问题做出了回答。具体内容如下:MEMS产能充足,价格持续上涨有投资者提问道,请介绍贵公司北京 MEMS 代工产线目前的产
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纳微半导体未来GaN市场布局的战略规划,GaNSense引领智能
文︱立厷图︱网络2021年10月底,小米推出业界最小的120W新款氮化镓(GaN)充电器,带Type-C接口,体积更小,卖点:“小巧一点,强大很多”。小米并没有说其中采用了什么技术,还以为和以前一样,就是现有的GaN功率器件呗,肯定是要比已量产硅方案强很多
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GaN快充市场赛道提速,SRII交付半导体晶圆设备助力中国产能扩充
随着苹果公司正式推出140W氮化镓(GaN)快充,以智能手机、笔记本电脑为代表的消费电子快充市场迎来了又一标杆性产品的重要拐点。近两年来,全球GaN充电器的出货量已经突破了数千万只。然而,这仅仅只是开端
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第三代半导体材料GaN和SiC,国产应用新布局
【哔哥哔特导读】截至目前,第三代半导体材料的应用已经进入人们的日常工作和生活当中,特别是GaN和SiC。未来,除了PD快充和新能源汽车等热门应用市场,国产的GaN和SiC材料应用将会有新的市场逐步出现
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GaN市场的新进展,GaN半导体的迅速崛起
上周,GaN功率半导体厂商Navitas Semiconductor(“纳微半导体”)成功登录纳斯达克全球市场交易市场。这家成立于2014年的半导体厂商,凭借其独有的GaN功率集成电路技术,使得其产品运行速度比传统硅芯片快20倍,并且在尺寸和重量减半的情况下可将功率和充电速度提高3倍
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第三代半导体材料GaN发展现状:多领域寻求突围
声明:本文为火石创造原创文章,欢迎个人转发分享,网站、公众号等转载需经授权。 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的一种,在禁带宽度、饱和电子漂移速度、电子迁移率三项参数上都超越了第一代和第二代半导体材料
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氮化镓半导体器件市场上升 6英寸及以上GaN晶圆增长迅速
推动该市场增长的关键驱动因素包括促进创新应用的GaN材料的宽间隙特性、GaN在射频功率电子产品中的成功以及GaN射频半导体器件的日益普及用于国防和航空航天应用等。氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物
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