GaN

GaN 与 SiC 在电气化驱动应用中的差异和未来趋势

芝能智芯出品采用 GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）组合的电力电子技术正在成为推动电气化驱动的重要趋势。虽然硅（Si）在电力半导体领域长期占据主导地位，但其物理性能的限制已无法满足现代电动汽车（EV）和数据中心等高性能应用的需求

GaN SiC 2024-12-19

应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓（GaN)MTC-65W1C

LCD（Liquid Crystal Display）显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置，从液晶显示器的结构来看，无论是笔记本电脑还是桌面系统，采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构

氮化镓氮化镓充电头 GaN LCD显示器 2024-01-10

GaN圈“扫地僧”誉鸿锦：身藏宝藏，初现锋芒

10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆）隆重举行了氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。借此，我们注意到这家一亮相便惊艳四座的GaN赛

誉鸿锦 GaN 2023-10-16

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命

誉鸿锦氮化镓 2023-10-13

应用在SMPS中的GaN／氮化镓

开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流

GaN 氮化镓开关电源 SMPS 2023-10-10

【深度】硅基氮化镓（GaN-on-Si）应用前景广阔全球布局企业数量众多

使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，应用优势较高硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼

硅基氮化镓 2023-09-26

Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型

该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统加州戈利塔－－（2023年5月31日）－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供应

Transphorm 2023-06-01

意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压（iso－buck）转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69

意法半导体隔离式降压转换器芯片 2023-05-16

Nexperia推出支持低压和高压应用的E－mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e－mode）氮化镓器件的供应商奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压（100／150 V）和高电压（650 V）应用的E－mode（增强型）功率GaN FET

Nexperia 2023-05-10

65W氮化镓（GaN)充电头PD快充方案

2023年数码圈中讨论较多的莫过于65W氮化镓（GAN）充电头。65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率

氮化镓 PD快充 GaN 充电器 2023-04-19

四川美阔推出：65W-1A2C接口氮化镓（GaN)PD快充电源方案

65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率

氮化镓 PD快充 GaN 2023-04-06

英飞凌重金押注GaN，57亿收购GaN Systems

近日，芯片巨头英飞凌宣布以8．3亿美元现金（约合人民币57亿元）收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。对此，英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片

英飞凌第三代半导体 GaN 2023-03-27

GaN出击

自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以Si材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至

GaN 纳微半导体 2023-03-24

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

该系统级封装（SiP）氮化镓功率管可以为USB－C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品（展位＃853）。加

GaNSiP 2023-03-21

GaN/氮化镓65W（1A2C）PD快充电源方案

　　近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W（1A2C）PD快充充电器方案，该方案采用同系列控制单晶片：QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配

PD快充方案 65W快充 GaN/氮化镓 2023-02-28

65W-1A2C接口氮化镓（GaN)充电头

2023年数码圈中说较多的莫过于两个品类，其中一个就是氮化镓（GAN）充电头。氮化镓＋充电头＋65w究竟会产生怎样的火花呢？单口充电头和多口充电头能解决什么问题呢？不同品牌手机究竟怎样才能选择好适合自

氮化镓氮化镓充电头 GaN 2023-02-23

美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案

　　氮化镓快充的出现，给生活带来的极大的便利；近期；美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品，推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案，为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案

PD快充方案氮化镓 65W1A2C 2023-02-17

聚能创芯携高性能、低成本GaN器件产品和应用方案成功亮相2022慕尼黑华南电子展！

2022慕尼黑华南电子展览会已于11月15日－17日在深圳国际会展中心成功举办。本届慕尼黑华南电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等

慕尼黑聚能创芯 GaN 2022-11-29

半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍

三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、

GaN 氮化镓 GaN半导体 2022-11-03

应用在低功耗SMPS中的GaN／氮化镓

开关电源（简称：SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。可以把稳压电源想象成为如下的一种情形：当试

GaN 氮化镓开关电源 2022-10-27

应用在电源适配器中的GaN／氮化镓

电源适配器（Power adapter）是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，一般由外壳、变压器、电感、电容、控制IC、PCB板等元器件组成，它的工作原理由交流输入转换为直流输出；按连接方式可分为插墙式和桌面式

GaN 氮化镓电源适配器 2022-10-20

破解SiC、GaN栅极动态测试难题的魔法棒—光隔离探头

SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。

SiC GaN 光隔离探头 2022-07-01

赛微电子：公司 GaN 业务既存在成熟产品，同时也在研发新的品类

2月16日，赛微电子发布了投资者关系活动记录表，就MEMS 及 GaN 目前的业务结构等问题做出了回应。有投资者问道，MEMS 及 GaN 目前的业务结构如何？瑞典 FAB1＆2的运营情况？赛微电子表

赛微电子 GaN MEMS 半导体汽车芯片 2022-02-16

赛微电子：已签订千万级GaN销售合同

1月13日消息，赛微电子发布了投资者关系活动记录表，就MEMS代工产线的产能等问题做出了回答。具体内容如下：MEMS产能充足，价格持续上涨有投资者提问道，请介绍贵公司北京 MEMS 代工产线目前的产

赛微电子 MEMS 半导体芯片 GaN 2022-01-13

纳微半导体未来GaN市场布局的战略规划，GaNSense引领智能

文︱立厷图︱网络2021年10月底，小米推出业界最小的120W新款氮化镓（GaN）充电器，带Type－C接口，体积更小，卖点：“小巧一点，强大很多”。小米并没有说其中采用了什么技术，还以为和以前一样，就是现有的GaN功率器件呗，肯定是要比已量产硅方案强很多

功率 GaN 器件芯片 2021-11-23

GaN快充市场赛道提速，SRII交付半导体晶圆设备助力中国产能扩充

随着苹果公司正式推出140W氮化镓（GaN）快充，以智能手机、笔记本电脑为代表的消费电子快充市场迎来了又一标杆性产品的重要拐点。近两年来，全球GaN充电器的出货量已经突破了数千万只。然而，这仅仅只是开端

思锐智能半导体晶圆设备 2021-11-02

第三代半导体材料GaN和SiC，国产应用新布局

　　【哔哥哔特导读】截至目前，第三代半导体材料的应用已经进入人们的日常工作和生活当中，特别是GaN和SiC。未来，除了PD快充和新能源汽车等热门应用市场，国产的GaN和SiC材料应用将会有新的市场逐步出现

半导体 GaN SiC 第三代 2021-11-02

GaN市场的新进展，GaN半导体的迅速崛起

上周,GaN功率半导体厂商Navitas Semiconductor(“纳微半导体”)成功登录纳斯达克全球市场交易市场。这家成立于2014年的半导体厂商,凭借其独有的GaN功率集成电路技术,使得其产品运行速度比传统硅芯片快20倍,并且在尺寸和重量减半的情况下可将功率和充电速度提高3倍

半导体功率芯片 GaN功率集成电路技术 2021-10-26

第三代半导体材料GaN发展现状：多领域寻求突围

声明:本文为火石创造原创文章,欢迎个人转发分享,网站、公众号等转载需经授权。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的一种,在禁带宽度、饱和电子漂移速度、电子迁移率三项参数上都超越了第一代和第二代半导体材料

氮化镓 GaN 第三代半导体材料 2021-08-23

都是GaN 65W充电器，小米、华为等厂商价格为何差这么多？

在苹果还在使用祖传的那颗5V1A超级慢充的充电头时，国产机们已经用上了30W＋的快充。当苹果在 iPhone 11 Pro用上18W的快充时，隔壁国产安卓厂商们，又是65W快充，又是125W闪充的，吃

华为中兴小米苹果 GaN 2021-08-18

氮化镓半导体器件市场上升 6英寸及以上GaN晶圆增长迅速

推动该市场增长的关键驱动因素包括促进创新应用的GaN材料的宽间隙特性、GaN在射频功率电子产品中的成功以及GaN射频半导体器件的日益普及用于国防和航空航天应用等。氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物

氮化镓半导体晶圆半导体 2021-07-28

解析GaN优势与多领域市场应用

前言：为什么特别关注GaN，这就要从第三代半导体说起。从第三代半导体说起从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是 SiC 和 GaN，而 ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段

新材料 GaN 第三代半导体 SiC 三安光电 2021-06-14

韩国成立“GaN半导体集成电路”国家级课题组

5月3日,韩国政府产业通商资源部和国防部确定了为培育国防产业原材料、零部件、装备企业而进行的“X-band 氮化镓(GaN)半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC(艾尔福)被选定为课题牵头企业

“GaN半导体集成电路韩国美国中国 2021-05-04

TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET

工程师可以使车用充电器和工业电源实现两倍的功率密度和更高效率2020年11月10日，德州仪器（TI）推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线

TI 首款集成驱动器内部保护车用GaN 2020-11-12

第三代半导体材料之氮化镓（GaN）解析

半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。相

第三代半导体材料氮化镓 GaN 2020-08-03

Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

2020年6月8日，半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO－247 和Nexperia专有的CCPAK

安世半导体氮化镓 2020-06-08

氮化镓（GaN）是否会成为下一个市场追逐的风口？

随着消费电子产品、电动车、家用电器等产品更新换代，产品的性能也越来越受重视，尤其是在功率设计方面。如何提升电源转换能效，提高功率密度水平，延长电池续航时间，成为了新一代电子产品面临的最大挑战。在这样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，或许会成为未来电子产业的“香饽饽”

氮化镓 GaN 第三代半导体材料 2020-03-20

GaN技术的AC－DC变换器IC怎么实现高效率？

GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，在高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔前景。

GaN技术 Power Integrations AC－DC变换器IC LED驱动器IC 2019-09-16

Akash授权FCC批准开发GaN-on-diamond功率放大器用于卫星发射

美国Akash Systems公司专注于开发和供应小型卫星（CubeSat）以及RF功率放大器。目前已获得美国联邦通信委员会（FCC）颁发的实验特别临时管理局（STA）许可证，准许其开发金刚石基氮化镓发射器技术，它将集成到Ka波段（17．2－20．2GHz）3U无线电发射机中。

氮化镓功率放大器卫星 AKASH 2019-02-01

英飞凌CoolGaN推动GaN产业的发展

11月28日下午，英飞凌在深圳举办了CoolGaNTM 媒体见面会，英飞凌大中华区副总裁电源管理及多元化市场事业部负责人潘大伟、英飞凌科技奥地利股份有限公司电源管理与多元化事业部资深市场营销经理邓巍等高层与数十家行业媒体进行了交流和探讨。

GaN 英飞凌 CoolGaN 2018-12-03