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屯兵22纳米低功耗工艺,3巨头意欲何为?

导读: 在中国建厂与投资FD-SOI(全耗尽绝缘层上硅)工艺,或许是格芯(GlobalFoundries)CEO Sanjay Jha职业生涯最重要的赌注,期望通过这两项举措给晶圆代工市场格局带来变化。

在中国建厂与投资FD-SOI(全耗尽绝缘层上硅)工艺,或许是格芯(GlobalFoundries)CEO Sanjay Jha职业生涯最重要的赌注,期望通过这两项举措给晶圆代工市场格局带来变化。在第五届FD-SOI论坛上,介绍完格芯成都工厂建设进度与22FDX工艺发展近况以后,Sanjay表示,2017年格芯22FDX平台接到的试验性流片(即MPW,直译为多项目晶圆)订单有20例,其中10例来自中国设计公司。“市场广阔,机会难得,FDX就是为中国市场量身打造的技术。”

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在演讲中,Sanjay Jha对三个尚未量产的22纳米工艺进行了对比。与台积电22ULP(超低功耗22纳米工艺)及英特尔22FFL(22纳米低功耗鳍式场效应晶体管工艺)相比,格芯的22FDX(22纳米FD-SOI工艺)晶体管密度最高,光罩数最少(流片成本低),功耗也最低。

由于和体硅工艺路线不同,所以格芯22FDX在2018年推出并不奇怪,但对台积电和英特尔而言,最先进工艺已经走到了10纳米节点,为何又回头重新开发22纳米低功耗工艺?(当然,英特尔刚在中国召开新闻发布会,宣布2017年下半年量产10纳米工艺,并称根据其计算方法,台积电和三星的10纳米工艺远远落后英特尔10纳米,根本就不是一代技术。)

芯原董事长兼CEO戴伟民认为,台积电22ULP的推出,很大程度是为5G做准备,因为在FinFET上很难实现射频工艺,退回平面工艺以后,可以相对容易地集成射频功能。

英特尔推出的22FFL工艺,也特地强调包含一个完整的射频(RF)套件,可结合多种模拟和射频器件来实现高度集成的芯片。

与28纳米工艺相比,这三种22纳米工艺功耗更低,晶体管密度更高,而与14/16纳米工艺相比,22纳米工艺开发成本更低,也都可实现射频工艺集成。

所以,5G到来以后新一代物联网终端芯片,将是这三种22纳米工艺的最主要目标市场。

虽然近年来资本支出排行榜排名前三的公司中,两家都回头去做22纳米低功耗工艺,但三星现在并没有在22纳米工艺投资的计划。这一方面是由于三星28纳米FD-SOI工艺当前最为成熟,据三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung介绍,过去三年,三星FD-SOI工艺已经有7家客户,36个产品进行了流片,现在流片产品数量在不断增加。相比28纳米体硅工艺,28纳米FD-SOI的特色就是功耗低,因此非常适合物联网应用。

另一方面,三星FD-SOI工艺规划的下一个节点是18纳米,因此在三星代工产品线当中,28纳米和14纳米节点之间,除了规划中的18纳米FD-SOI,就没有其他工艺提供。

不过,如果22纳米低功耗工艺市场接受度良好,不知道急于扩大代工业务的三星是准备用18纳米FD-SOI工艺来错位竞争,还是也跟风上22纳米?反正对财大气粗的三星电子来说,开发22纳米工艺的资金不成问题。

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