“一般而言，2D eWLB器件通常用于中低密度应用。2．5D和3D eWLB器件适用于需要超过IO数量超过500个或1，000个的高端或高性能应用。但是，根据不同应用的需求，某些情况下，3D eWLB SiP封装的IO数量也可以少于500个，”中国最大的半导体封测厂商长电科技集团（JCET）技术战略总监Seung Wook Yoon解释说。2015年，中国最大的OSAT厂商－长电科技收购了新加坡的STATS ChipPAC。

2D eWLB器件从2009年就已经开始出货。Yoon说：“我们目前有许多2．5D和3D eWLB器件通过了客户的认证，但均尚未达到大批量生产水平。”

扇出型封装有三种形式，第一种使用先放芯片／正面超下的工艺流程制造，另外两种分别是先放芯片／正面朝上和后放芯片类型，有时也被称为先放RDL。

在先放芯片／正面朝下的工艺流程中，在晶圆厂中，首先在晶圆上处理芯片，然后将芯片切割出来。通过使用抓取－放置系统，将裸片放在基于环氧树脂模塑化合物的新晶圆上，这被称为重组晶圆。

重组晶圆可以在200mm或300mm晶圆上加工。封装就是在这个晶圆上进行的。然后，切割芯片，形成容纳在扇出式封装中的芯片。

先放芯片这种类型的封装已经生产了将近十年。工艺流程不同的后放芯片这种封装类型尚未被广泛采用。

图5 先放芯片 vs． 后放芯片

扇出封装存在一些挑战。在处理过程中，重组晶圆容易发生翘曲。当芯片嵌入到重组晶圆中时，在整个工艺流水中，芯片也容易移动，从而造成被称为芯片移位的意外效应，这会影响产量和良率。

OSAT厂商已经克服了许多这些挑战。2016年和2017年可能出了一些大问题。当时，由于高通的巨大需求，两个主要的eWLB封装供应商－星科金朋和Nanium的扇出封装产能均出现供不应求的局面。

产能缺口促使客户开始寻找其它类型的封装，结果导致了eWLB市场的停滞。

作为回应，星科金朋和ASE都扩大了其eWLB产能。接下来，在2017年，Amkor收购了Nanium，给这家扇出封装专家提供了一些支持。

现在，eWLB市场上有三家具备足够产能的供应商，这个变化应该能够重新启动eWLB市场。 “低密度到中密度应用对FOWLP的需求持续增长。 我们在智能手机、5G或汽车应用领域有一些需要的IO数量少于500个的扇出封装客户，“Yoon说。 “FOWLP有许多新兴的细分市场，比如5G毫米波器件、MEMS、指纹传感器以及高级驾驶员辅助系统（ADAS）等汽车应用。”

不过，eWLB预计将在2018年面临一些新的竞争。提供eWLB封装技术的ASE也一直在与Deca科技合作开发另一种低密度扇出技术。赛普拉斯半导体公司的子公司Deca是该技术的原始开发商，该技术被称为M系列。

此外，ASE正在与台湾的Siliconware Precision Industries（SPIL）合并。SPIL也正在研究一种叫做TPI－FO的扇出技术。

而且，ASE计划在2018年上半年将M系列扇出技术推进到量产阶段。与eWLB不同的是，M系列是一种芯片在先、裸片朝上的技术。

图6 M系列 vs． eWLB

M系列解决了传统扇出技术的一些问题。“在传统的扇出封装生产过程中，你必须使用高精度的倒装芯片键合机来放置芯片，这个过程的吞吐量相对而言比较低，一个小时大约只能处理8000个裸片，”ASE的Hunt说。“有一个主要问题是裸片移位，封料后放置裸片时，它已经不在最初放置它的地方了，因为它移动了。”

为了解决这个问题，Deca开发了一种被称为自适应图案化的技术。 首先，使用高速表面贴装系统以每小时30000－35000个裸片的速度将裸片放置在晶圆上。不过，每个芯片的放置精度不如传统系统那么准确，为了弥补精度问题，Deca的技术会测量晶圆上每个裸片的实际位置。

“然后，我们重新计算RDL图案，以适应每个晶圆上的每个裸片的移位。重新计算过程大约需要28秒。当晶圆到达成像系统的时候，图案已经被重新计算出来了。”Hunt说。