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美光再出手,投资4000亿在台兴建2座晶圆厂

2019-08-27 14:00
满天芯
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根据台湾《经济日报》的报道,为了满足未来在5G时代中包括人工智能、物联网、智能驾驶等应用的需求,全球第三大DRAM制造商之一的美光(Micron)将斥资超过新台币4,000亿元(约人民币909亿元),在台中中科厂区兴建两座晶圆厂扩大产线。

报道指出,美光作为在台湾投资最大的美商,这次再加码投资台湾,是计划在中科再兴建A3及A5两座厂房。其中,在A3厂房方面,预计2020年8月份完工,并且在第4季陆续导入试产最新的第3代10 纳米级(1z nm)制程。至于,在第2期的A5厂房方面,美光则会依据届时市场上的需求,逐步增加产能。据了解,目前规划的月产能为6万片。

据了解,美光A3厂目前已进入兴建阶段,并且以扩建无尘室为主,而且还将加入包括桃园与台中中科前段晶圆厂的生产线,并进一步提升美光在台DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。至于两个厂的投资金额与其他细节规划,美光则不方便透露。另外,除了产能的扩充之外,美光将进一步整并现有的组织架构。

事实上,美光日前就已经正式宣布开始量产第3代10纳米级(1z nm)制程DRAM,而且市场人士也预计将会在台中中科厂区规划产线生产,如今也证实了该消息。而根据美光日前的表示,与第2代10纳米级(1y nm)制程相比,美光的第3代10纳米级(1z nm)制程技术将使该公司能够提高其DRAM的单元密度,进而增强性能,并且降低功耗。

此外,以第3 代10 纳米级制程所生产新一代DRAM,就同样是16GB DDR4 的产品来比较,功耗较第2 代10 纳米级制程产品低40%。另外,在16GB LPDDR4X DRAM 方面,1z nm 制程技术将较1y nm 制程技术的产品节省高达10% 的功率。而且,由于1z nm 制程技术提供的单元密度更高,这使得美光可以降低生产成本,未来使得存储器更加便宜。

美光这次的扩厂主因,除了看准未来5G时代的市场需求之外,另外就是在日韩贸易战的状况下,有可能使得三星与SK 海力士的生产遭受影响,导致市场的需求与价格的提升,逐步摆脱先前存储器低迷的情况,因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下,未来也预计美光将需要增加人手,进一步进行大规模招人的动作。

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