2019年底采用6nm工艺，三星激进式EUV技术见效了吗？

2019-08-01 14:07

三星采用的是激进式的EUV技术

2018年，三星和高通宣布扩大晶圆代工业务合作，该合作计划将长达十年，三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用，其中包括使用三星7nm LPP EUV工艺技术制造未来的骁龙5G移动芯片组，预计高通下一代5G移动芯片，将采用三星7nm LPP EUV制程，通过7nm LPP EUV工艺，骁龙5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，可明显增进电池续航力。

三星如此坚定地在其首个7nm就激进地采用EUV技术，是三星综合许多因素考虑的结果，包括EUV设备是否准备好，成本、多重曝光复杂性、保真度和间距缩放等。对三星自家的7nm而言，（栅极）间距可以控制在单次曝光，这使得整个光刻工艺流程减少了与曝光相关的大部分设计复杂性，这也恰恰说明三星内部开发的EUV光罩检测工具，是三星的一个重要优势。目前市场还没有类似的商业工具被开发出来，不仅如此，三星也在开发EUV微影光阻剂，并有望在今年稍晚达到大规模量产要求的目标良率。

EUV技术的进展还是比较缓慢的，而且将消耗大量的资金。尽管目前很少厂商将这项技术应用到生产中，但是极紫外光刻技术却一直是近些年来的研究热点，所有厂商对这项技术也都充满了期盼，希望这项技术能有更大的进步，能够早日投入大规模使用。各家厂商都清楚，半导体工艺向往下刻，使用EUV技术是必须的。在摩尔定律的规律下，以及在如今科学技术快速发展的信息时代，新一代的光刻技术就应该被选择和研究，因为EUV与其他技术相比有明显的优势。比如，EUV的分辨率至少能达到30nm以下，且更容易收到各集成电路生产厂商的青睐；EUV是传统光刻技术的拓展，同时集成电路的设计人员也更喜欢选择这种全面符合设计规则的光刻技术；EUV技术掩模的制造难度不高，具有一定的产量优势等。

虽然半导体摩尔定律终将会失效，但是EUV技术带来的进步仍让厂商期待这个定律的延续。未来，EUV技术定会成为这些厂商重点研究的一门技术，三星激进式的做法是否是正确的决策，还有待时间的验证。

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