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“你方唱罢我登场”的存储产业,中国存储厂商机会何在?

2019-12-13 09:28
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元年,用来指某个事物或事件开始发生的时间。如果说 2016 年(晋华集成、合肥长鑫和长江存储,中国大陆三大存储器公司相继成立)是中国大陆存储器产业发展的元年。

那 2019 年随着本土存储企业在 3D NAND Flash、DRAM 等部分的相继投产,可谓是中国大陆公司全面进军存储器市场的元年。

回想 2019 年半导体行业关键词,“存储”一定是其中绕不开的选项。

存储器依照特点不同可分为众多类别,其中半导体存储器采用电能存储,是目前应用最多的存储器类别。依照断电后是否还能保留数据,可分为“易失性(VM):RAM、T-RAM ” 与 “非易失性(NVM):ROM、NVRAM ” 存储两大类。

目前市场上最重要的存储器为 DRAM 存储器和 Flash 闪存芯片。DRAM(动态随机存储器)是最常见的系统内存,其性能出色但断电易失,成本较同级别易失性存储器更低,因此是是最常见的系统内存;Flash(闪存芯片)是应用最广的非易失性存储,由于断电非易失性,因此主要用在大容量存储领域。

DRAM:DRAM 只能将数据保持很短的时间,为了保持数据,DRAM 使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。相比 SRAM,DRAM 保留数据的时间较短,速度也相对较慢,但从价格上来说 DRAM 价格较 SRAM 便宜很多,且由于技术区别,DRAM 体积小、集成度高、功耗低,同时其速度比 ROM 快,因此被广泛应用。

Flash:从特点来看,Flash 结合了 ROM 和 RAM 的长处,不仅具备电子可擦除可编程性能,且断电不会丢失数据,虽然读取速度不及 DRAM 但依旧比较快,同时其成本较 DRAM 大幅下降。从分类来看,Flash 主要有 NOR 和 NAND 两种,区别在于存储单元连接方式不同,导致两者读取方式不同。

NOR Flash 目前以串行为主,具有 XIP 特性,但成本较高,主要占据小容量市场。NOR Flash 分为串行和并行,串行由于接口简单、更轻薄小巧、功耗和系统总体成本更低,因此虽然读取速度不及并行 NOR Flash,但已成为主要系统方案商的首选;从特点来看,NOR 以“字”为基本单位,可以直接运行装载在 NOR Flash 里面的代码(XIP)。NOR 相比 NAND 成本较高,且写入速度慢,因此主要用于功能手机、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等小容量代码闪存领域,其占据容量为 0~16MBFlash 市场的大部分份额。

NAND Flash 较 NOR Flash 单位容量成本更低,因此多用于大容量存储。NAND Flash 以块为基本单位,成本较 NOR 低,写入与读取速度都比较快,但用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码,因此好多使用 NAND Flash 的开发板另需一块 NOR Flash 来运行启动代码。由于 NAND Flash 低成本高写入和擦除速度等特点,、因此主要用在大容量存储领域,如嵌入式系统(非 PC 系统)的 DOC(芯片磁盘)和常用的闪盘,如手机、平板电脑、U 盘、固态硬盘等。

由于篇幅有限、重点不一。本文仅对占据半导体存储市场主要份额的 DRAM 和 NAND Flash 进行梳理和介绍。

国际存储大厂何时唱罢?

长远看,全球存储器呈现高增长特性,存储芯片作为半导体产品,占比集成电路产值近 30%,受摩尔定律的支配,整体行业技术发展极快。随着 5G、物联网(IoT)、边缘计算、人工智能等技术的发展,推动了数据的爆发式的增长。根据 IDC 预测,到 2025 年,全球物联网设备数将达到 416 亿台,而整个智能联网设备的数量将会达到 1500 亿台,而数量如此庞大的设备接入网络,无疑将产生海量的数据。

在技术进步推动下,存储器下游产品容量需求提升迅速以及新兴应用市场不断被开辟,将直接推动以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储芯片产业快速的发展。

存储器行业又具有周期波动特性,从历史表现上看,存储器行业总是处于交替出现的涨跌循环之中,暴涨暴跌的情况可谓常态。就目前产业现状而言,全球内存产业产出量年增长率为 12%,是近十年来最低水平,处于行业周期下行阶段。内存市场供大于求,内存价格历经了长达一年半的下跌,导致各内存大厂对于资本支出保守和工艺转进趋缓,想借由产出的控制,以期明年市场从现在的供过于求往供需平衡迈进。

DRAM 市场

纵观 DRAM 近几十年的发展史可以发现,全球 DRAM 产业经历过两次转移,第一次是上世纪 80 年代的美日间转移,第二次是 90 年代日韩间转移。伴随产业转移,市场多次兼并重组,企业数从 90 年代的十几家锐减至 5 家左右,随后奇梦达和尔必达破产被并购,DRAM 行业进入三寡头垄断格局。

三星电子依托韩国政府背后的支持,在行业低谷期多次利用“反周期”定律,加剧行业亏损,迫使同行业企业破产,最终牢牢占据行业头把交椅。据 TrendForce 的统计显示,三星市场占有率达到 43.9%、SK 海力士排名第二为 29.5%、美光位列第三,市场占有率为 23.5%,三者合计市占率超过 96%。

三寡头 DRAM 概况:

三星:DRAM 产品有 4 个厂,自 2016 年 10 月全数转为 12 寸产线,2017 年产能月产 39.5 万片。今年三星有意扩产在平泽厂 2 楼 DRAM 产能,包括西翼楼 2 楼扩充每月 2 万片 1x 纳米产能,在东翼楼 2 楼每月扩充 6.5 万片 1y 纳米产能,目前已于上半年完成第一阶段每月增产 3.5 万片,但因为 1y 纳米的微缩难度比预期高,无法有效降低单位生产成本,所以 Q3 扩增 3 万片月产能计划已暂缓,后续再视情况启动。

SK 海力士:源于韩国现代科技,世界第二大 DRAM 制造商。公司目前在韩国有 1 条 8 英寸晶圆生产线和 2 条 12 英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条 8 英寸生产线,在中国无锡有一条 12 英寸生产线,在台湾也有产线,并和台湾茂德有长期合作,同时在欧洲有研发中心。SK 海力士于 2015 年建成 M14 新制造中心,M15 正在韩国清州建设中,目前 M16 计划在京畿道利川市的总部建造。SK 海力士整体月产能约 300-305 千片。

美光:半导体制造厂分布在美国,中国,日本等全球各地。近年来美光通过并购尔必达、瑞晶,整合华亚科产能,大幅提升自身产能接近 90%,目前美光 DRAM 产能大约为 34 万片 / 月,主要分布在 Fab11(华亚科代工)、Fab15(尔必达)、Fab16(瑞晶)和 Fab6,除 Fab16 还有 1~2 万片的空间外,其余扩产空间不大。

NAND 市场

根据 TrendForce 的统计显示,2018 年全球 NAND Flash 前五强分别为:三星(35%)、铠侠(19.2%)、西部数据(14.9%)、美光科技(12.9%)和 SK 海力士(10.6%),前五大厂商一共拿下了 92.6%的市场,如果再加上第六的英特尔,占比将超过 99%。

在 NAND Flash 市场,三星、SK 海力士均已宣布新一代 128 层 3D TLC NAND 已开始量产或送样,2020 年西部数据、铠侠、美光等 128 层 3D NAND 也将面世,英特尔甚至将在 2020 年推出 144 层 QLC NAND,同业者之间的竞争如火如荼。

三星:延续在服务器、移动设备等高容量产品的优势,随着 Intel 新平台以及下半年多款旗舰机陆续推出,三星第三季出货较第二季成长逾 10%,库存水位于第三季达到平稳,平均销售单价跌幅则收敛至 5%以内,营收达到 39.87 亿美元,较第二季成长 5.9%。从产能分析,三星仍照原计划逐季缩减 Line12 的 2D NAND 产品,并在持续转进新制程的同时,维持相同的 3D NAND 投片规模。在新产能方面,西安二期仍依规划于 2020 年上半年投产,而平泽二厂预定明年下半年开始营运。

铠侠:尽管受到厂区跳电事件影响,但受惠于旺季需求拉升以及苹果新机备货的需求的带动下,出货仍较前一季成长逾 20%,但由于平均销售单价下跌约 5%,使得整体营收来到 22.27 亿美元,季成长 14.3%。从产能方面观察,跳电厂区虽已恢复全线营运,但已影响其今年产品产出,增长低于其他竞争者。在 2020 年规划方面,岩手县 K1 厂已于 10 月竣工,预计最快在 2020 年上半年提供产出,有助于位元产出的市场占比回到之前水平。

西部数据:在旺季需求推动下,西数第三季出货增约 9%,而平均销售单价也因铠侠厂区跳电事件以及需求增加而止跌,带动第三季营收达 16.32 亿美元,较上季成长 8.4%。从产能规划来看,铠侠厂区跳电后,产线于七月中旬起逐渐恢复,关于产能损失的最新说法为 4 Exabytes。而在新产线的部分,西数第三季在岩手县 K1 厂投资达 6,400 万美元,预计 2020 年起提供 BiCS4 或更先进制程的产出。

美光:基于移动设备出货成长以及客户端备货需求涌现,美光第三季 NAND Flash 营收较上季成长 4.7%,达 15.3 亿美元。在位元出货方面,由于 7、8 月有客户转单,本季成长逾 10%,但平均销售单价季度跌幅仍逾 5%。在产能方面,美光于八月宣布新加坡新厂正式投入营运,将对转进新制程结构有助益,至于其他在新加坡以及 Manassas 的产能则未有太多变化。

SK 海力士:在第二季出货大幅成长 40%后,SK Hynix 第三季出货稍微放缓,季减 1%,但受惠于价格逐渐稳定以及 Wafer 产品销售比重下降,平均销售单价较前一季上涨 4%,使得整体 NAND Flash 营收达 11.46 亿美元,季成长 3.5%。以产能规划而言,受到 2D NAND 产能缩减影响,今年 SK Hynix 整体产能呈现逐季递减,而主流的 3D NAND 则小幅扩产,新增产能主要设于 M15。

上文提到,DRAM 和 NAND 市场正处于周期性波动的下行阶段。因此,行业厂商不仅要面对产业周期性变化带来的利润下降,DRAM 和 NAND Flash 技术的推进也使得企业投入的资金增加,获利变得更加艰难。

随着内存价格的触底,以及对 2020 年市场需求的看好,近期内存行情开始出现转机,多应用市场内存产品价格逐渐上涨。

同时,随着中国芯片国产化进程的加速,新晋者的加入,战局再度升温。对于三星、SK 海力士、美光等存储大厂而言,一定程度上将刺激在存储战略布局上加快步伐,力图在下一波存储行情上行之前,提高技术研发水平,稳固市场地位,响应存储市场周期性变化,提高企业获利的能力。

中国存储企业何时登场?

根据中国海关总署公布的数据显示,2018 全年,中国进口集成电路进口总金额高达 3120.58 亿美元。其中,存储器进口金额就高达 1230.83 亿美元(进口金额同比增长 1188.99%),占总进口额的 39.4%。

数据显示,2018 年全球半导体市场规模已达 4779.4 亿美元,其中全球存储芯片市场规模大概在 1700 亿美元。也就是说,粗略的估算,2018 年中国的存储器进口金额占 2018 年全球半导体市场的 25.8%,占全球存储芯片产值的 72.4%。

显然,我国作为全球最大的存储芯片消耗国,如果无法实现存储芯片的自主的话,那么则意味着关键命脉被掌握在国外厂商手中。而且,存储芯片是数据的最重要的载体,关乎到各行各业的信息数据的安全。

所幸的是,随着国产存储厂商长江存储、长鑫存储的相继量产,国外厂商对于存储芯片的垄断开始被打破。

2016 年是中国大陆存储器产业发展的元年,福建晋华集成、合肥长鑫存储和武汉长江存储分别成立于 2 月 26 日、6 月 13 日、7 月 26 日,短短 5 个月,中国大陆三大存储器公司相继成立。

而 2019 年可谓是中国大陆公司全面进军存储器市场的元年。首先是长江存储 32 层 3D NAND Flash 进入量产阶段,接着在 9 月 2 日宣布 64 层 3D NAND Flash 投产;然后是 9 月 20 日合肥长鑫宣布中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工厂投产,并宣布首个 19 纳米工艺制造的 8Gb DDR4。

三年时间,中国相继攻克了 3D NAND Flash 和 DRAM 技术,解决了大陆存储器有无的问题。下一步要解决的是良率提升、产能爬坡以及下一代技术的研发等问题。

国产 NAND Flash 领域的突破

长江存储

2016 年 7 月,由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立国产存储领域的“航母”——长江存储。据统计,长江存储总投资约 1600 亿美元。其中紫光集团占股 51.04%。

长江存储采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式,已于 2017 年研制成功了中国第一颗 3D NAND 闪存芯片。而随着 2018 年长江存储的 32 层 NAND Flash 的量产,国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过,由于该技术与国际主流技术相差较大,所以并不会影响到市场。

直到今年 9 月长江存储正式宣布量产基于自研的 Xtacking 架构的 64 层 256Gb TLC 3D NAND Flash 的量产,逐渐能够对目前的中低端市场形成争夺。

Xtacking 架构

其中值得一提的是,据长江存储介绍,该 64 层 256Gb TLC 3D NAND Flash 闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求,与目前业界已上市的 64/72 层 3D NAND 闪存相比,其拥有同代产品中更高存储密度。

产能方面,长江存储武汉厂目前的产能大概在 2 万片 / 月的产能。根据规划,2020 年底长江存储的 64 层 3D NAND 闪存的产能有望提升至 6 万片晶圆 / 月的规模。2020 年,长江存储会跳过 96 层堆栈直接杀向 128 层堆栈,力求进一步缩短与三星、东芝等公司的差距。

此外,为了扩充产能,2018 年 10 月 12 日,总投资达 240 亿美元的紫光成都存储器制造基地项目开工,该项目将建设 12 英寸 3D NAND Flash 晶圆生产线,并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。据预计,长江存储成都厂将于 2020 年二季度投产,届时可能会有 0.5 万片 / 月的产能,到 2020 年四季度产能可爬升到 2 万片 / 月。

届时整个长江存储的 3D NAND Flash 的产能将达到 8 万片 / 月,在整个全球 3D NAND Flash 产能当中的占比达到 4.6%,已经是与英特尔的 8.5 万片 / 月的产能相接近。

在技术演进上,在今年顺利量产 64 层 3D NAND Flash 之后,长江存储会跳过 96 层堆栈直接杀向 128 层堆栈,这也意味着,2020 年长江存储将会全力进行 128 层 3D NAND Flash 的研发。据集邦咨询预计,长江存储有望在 2021 年初实现 128 层 TLC 3D NAND Flash 的量产。

相信随着长江存储产能和技术的进一步发展和成熟,将进一步缩短与三星、SK 海力士、东芝等公司之间的差距。

兆易创新

2005 年兆易创新成立,以 SRAM 起家,后续陆续量产不同制程的 NOR Flash 产品,此外,兆易创新在 NAND 方面也早已开始布局,2013 年 3 月全球首颗 SPI NAND Flash 量产,采用 WSON8 封装。目前,兆易创新 NOR Flash 在开发的有 55 纳米、45 纳米,而 NAND 也在从 38 纳米推向 24 纳米。

国产 DRAM 领域的突围

长鑫存储

长鑫存储成立于 2016 年,通过与奇梦达的合作将一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据收归囊中,成为了长鑫存储最初的 DRAM 技术来源之一。

经过数年的研发,2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储正式宣布自主研发的基于 19nm 工艺制造的 8Gb DDR4 芯片正式量产。

根据规划,长鑫存储合肥 12 英寸晶圆厂分为三期,第一期满载产能为 12 万片,预计分为三个阶段执行,第一阶段要完成单月 4 万片,目前为 2 万片,2020 年第一季底达到 4 万片。2020 年开始规划建设二期项目,并于 2021 年完成 17nm 工艺的 DRAM 研发。

从目前长鑫存储的现状及规划来看,其产能仍十分有限,与全球前三的厂商明年所能达到的月产能超过 130 万片晶圆的投片量相比,仍存在较大差距。但是,随着长鑫存储技术及产能的持续提升,未来仍有希望在全球 DRAM 市场占据重要一席之地。

紫光集团

除了长鑫存储之外,紫光集团今年 6 月 30 日宣布,决定组建紫光集团 DRAM 事业群,全力加速发展国产内存。今年 8 月底,紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议,宣布在重庆建设 DRAM 事业群总部及内存芯片工厂,预计今年底动工。有消息称,紫光计划在 2021 年实现 DRAM 芯片的量产。

资料显示,紫光集团早在 2015 年就开始布局 DRAM,先是延揽高启全加入紫光集团,同时紫光国微又收购了奇梦达公司成立紫光国芯(原西安华芯)。从紫光国微的年报披露情况看,该团队的 DRAM 产品销售收入每年约在 5~6 亿人民币之间,其产品自行设计,在境外代工。此外,2015 年,紫光集团还试图通过收购美光进入 DRAM 和 3D NAND 领域,但收购美光受到美国政府的阻击,未能如愿以偿。

可以看到,紫光集团想要进入 DRAM 领域预谋已久。

福建晋华

福建晋华成立于 2016 年,是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的集成电路生产企业,晋华项目已列入国家 “十三五(2016~2020 年) ”集成电路生产力规划的重要布局中,并且获得国家专项建设基金支持,也就是来自福建省安芯产业投资基金的投资。该基金目标规模为 500 亿人民币。

2017 年 11 月,由联电与福建晋华集成电路公司合作的 12 寸随机存取存储器(DRAM)生产线主厂房正式封顶。该 FAB 主厂房,面积达 27.4 万平方米,原计划于 2018 年下半年投入使用。

根据规划,福建晋华的制造技术工作主要交由联电进行,整体晋华项目的第 1 期,总计将投入 53 亿美元,于 2018 年第 3 季正式投产,届时导入 32 纳米制程的 12 寸晶圆月产能,预计达到 6 万片的规模。公司目标最终推出 20 纳米产品,规划到 2025 年四期建成月产能 24 万片。

然而,理想很美好,现实很骨感。由于福建晋华和美光之间的诉讼,美国当地时间 10 月 29 日,美国将福建晋华列入了出口管制的实体清单。两天之后,联电也宣布暂停为福建晋华提供研发协助。至此福建晋华的 DRAM 几乎陷入停滞。

据了解,当时福建晋华已有 200 台的半导体设备到位,并且计划在年底进行小量投片试产,预计 2019 年初可以几千片的规模进入投产,即将要成为国产第一家量产 DRAM 芯片的厂商。然而由于美方的禁令,使得很多相关设备和技术供应商停止了支持。

不过,近日有晋华高层在活动中现身表示,目前福建晋华仍在低调运作当中。虽然美系供应商中断了合作,但是晋华并未坐以待毙,而是转向了日韩供应商,继续去推动整个项目的运作,预计明年会有一些成果。

DRAM、NAND 之外,其它存储器

其他存储器类型还包括 SRAM(易失性存储)和几种 ROM(非易失性存储)、FRAM、MRAM、RRAM 等,但目前市场普及度都比较低。

随着 5G、汽车电子、物联网等新兴技术的发展,终端需求的转变,开始寻求多种新型存储介质和存储解决方案。

近几年来国内也对 STT-MRAM、PCRAM(相变存储器)、RRAM(阻变存储器)、FRAM、MRAM、等新一代存储芯片技术进行研究来扩充国内企业在存储芯片行业的技术储备,虽然距离产业化有一定距离,但基础技术的储备能够使得国内存储芯片企业在面对下一次存储器技术变革时把握机遇,提前做一些准备。

存储控制器

在存储领域中,除了存储芯片之外,存储控制芯片也是一种极其重要的芯片,该芯片是 CPU 与存储器之间数据交换的中介,决定了存储器最大容量、存取速度等多个重要参数。特别是在 AI、5G、自动驾驶时代,对于数据处理及存储速度要求越来越高,控制芯片性能直接影响着计算能力,其重要性不言而喻。

近年来,存储控制器作为内存产业的核心技术之一,在内存产业的发展过程中,其关键性地位更是与日俱增。

随着全球半导体产业的迁移,国内涌现出了大批存储控制器芯片厂商,在硬盘(HDD)控制器、存储卡控制器、UFD 控制器、SSD 控制器、桥接控制器逐步实现自主化,并在向高阶控制器方向发展。

对此,笔者对国内存储控制芯片领域代表厂商做一下简单梳理:

国科微

国科微电子股份有限公司成立于 2008 年,致力于智能机顶盒、智能监控、存储、物联网等领域大规模集成电路及解决方案开发。

2015 年,国科微成功研发 GK21 系列高端固态存储控制器芯片;2016 年率先推出支持国密算法的 GK23 系列与 GK81 系列固态存储控制器芯片;2019 年发布国内首款全国产固态硬盘控制芯片 GK2302,搭载龙芯嵌入式 CPU IP 核,成为真正实现全国产化的固态硬盘控制芯片,存储容量最高可达 4TB,满足绝大多数政府和企业办公需求。

忆芯科技

北京忆芯科技有限公司于 2015 年底正式成立,技术团队由业界 IC 专家和资深工程师组成,业务方向覆盖消费级和企业级 SSD 主控芯片,以及从端到云一站式存储方案。

其自主研发的高性能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000 已量产出货,全新一代高性能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000P 于 2019 年推向市场。

联芸科技

杭州联芸科技成立于 2014 年,公司以数据存储控制、信息安全、SoC 芯片为核心研发方向,是目前国际上为数不多掌握闪存控制核心技术的企业之一。

联芸科技率先实现了国内首款 40 纳米固态硬盘(SSD)主控芯片、NAND 颗粒自适配、高性能 LDPC 纠错技术以及高性能、高稳定性、低功耗的 SSD 固态硬盘解决方案。

代表产品:MAXIO's 固态硬盘主控芯片。

得一微电子

深圳市得一微电子成立于 2017 年,由硅格半导体(成立于 2007)与立而鼎科技(成立于 2015)两家公司合并而成,专注于消费级和企业级固态存储控制芯片设计和服务,掌握了业界多项关键技术,拥有多项国内外核心发明专利。

公司具备成熟的存储控制芯片设计流程,在产品定义、技术整合、构架创新、固件支持等方面不断突破,2019 年已经完成了从消费级到企业级布局,产品覆盖入门消费级、高端消费级乃至企业级固态硬盘的全系列控制器。通过持续化的技术创新、专业化的技术支持、一站式的服务,得一微电子帮助客户实现从 Assembly(装配)、Production(生产)到 QC(质量控制)等环节的服务,实现更快的设计周期、更高的资源利用效率、更可靠的存储系统。

主要产品有 PCIe SSD Controller、SATA SSD Controller、UFS Controller、eMMC Controller、USB Controller、SD Controller 以及 Security Storage Controller。

华澜微电子

杭州华澜微电子股份有限公司成立于 2011 年,专业从事数据存储和信息安全的核心技术研究,提供数据存储和信息安全领域的集成电路芯片和技术方案,是我国唯一全系列拥有数码存储控制器芯片的高科技公司。

公司积累和掌握了 IEEE 1394、SD/MMC/eMMC、USB、IDE/SATA、PCIe 等高速接口技术,建立起了固态硬盘多核并行、模块阵列等多个先进架构。存储产品覆盖了存储卡、USB 盘、固态硬盘系列。通过并购了美国 initio (晶量)公司的桥接(Bridge)芯片产品线,形成了 initio Bridge 芯片系列。

代表产品:S68X 系列固态存储控制器芯片。

深圳大心电子

深圳大心电子成立于 2014 年底,专注于固态硬盘的技术研发与设计。在 NVMe 控制器,LDPC 错误更正,以及固件支持上,有着领先业界的技术,已获得多项专利。Orion 系列芯片,于 2016 下半年导入量产。

2019 年 1 月推出最新一代的 PCIe SSD 主控芯片 Libra EP280,目标定位在高阶消费类、数据中心、及入门企业级的应用。

华存电子

江苏华存电子成立于 2017 年,是江苏省南通市第一家高阶存储产品主控设计公司,致力于提升国内存储控制器和存储产品自制技术能力。

2018 年 11 月,华存电子发布自研嵌入式 40 纳米工规级存储芯片 HC5001 及应用存储解决方案。支持第 5.1 版内嵌式存储器标淮(eMMC5.1)、支持立体结构闪存材料(3D TLC NAND Flash)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法(FTL)、支持高速闪存接口(ONFI3.2/ToggIe2.0)、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC),以及 40nm 工艺制程满足了高效能低功耗工规级别 eMMC 嵌入式存储装置需求。

兆芯电子

合肥兆芯电子成立于 2015 年,主要从事闪存芯片相关的 eMMC、SSD 等控制芯片以及整机系统的设计研发和销售,专精于内嵌式储存装置(Embedded)、固态储存装置及保密性存储器相关技术的应用。

合肥兆芯电子拥有 USB&Memory Card、SSD Drive、SSD Module、SSD Mobile Embedded、eMMC 的成熟团队,争创 USB 随身碟、SD 记忆卡、eMMC、PATA 与 SATA 固态磁盘等控制芯片领域的领头者。

江波龙电子

深圳市江波龙电子成立于 1999 年,是一家聚焦 NAND 闪存应用和存储芯片定制、存储软件开发的中国存储企业,旗下拥有深耕行业应用的嵌入式存储品牌 FORESEE 和高端消费类存储品牌 Lexar 雷克沙。秉承 DMS(Design、Module、Service)特色服务体系,江波龙电子持续为全球用户提供高质量的存储创新产品。

江波龙电子致力于顺应市场需求进行产品研发,为客户提供广泛的、高性能、创新性的闪存应用产品和解决方案。凭借在自主研发、IC 固件设计、封装基板设计和全面品质管理等方面的实力,为客户提供有竞争力的存储产品,并不断扩展 NAND 闪存产品的应用范围。

海思

据了解,华为海思也拥有 SSD 控制器芯片,不过主要用于公司内部的服务器和数据中心产品,并不对外界市场进行销售,据传言其产品性能十分良好。

本土存储产业的机遇和挑战

通过上述内容可以看到,国际大厂仍占据存储市场主要地位,那么本土厂商存在哪些机遇和挑战?

笔者认为,本土存储企业面临以下机遇和挑战:

机遇

日韩贸易争端,韩国存储企业受此牵连,给了本土企业更多追赶的利好;

存储市场供过于求,处于下行周期,国际大厂保守发展之际,本土厂商正是加速研发,趁机追赶的时机;

国内产业政策投资持续加码,推出了一系列政策加强对信息安全的把控,而“芯片国产化”就是具体表现方式之一。从芯片国产化具体的实施过程中,存储器行业成为了国家投资的重要方向;

中国庞大内需市场优势,目前已成为全球最大集成电路消费市场,存储器作为我国集成电路产业中占比最大的领域之一,势必会在我国信息产业发展中扮演极为重要的角色,而云计算、物联网、大数据等领域的布局,集成电路相关政策的发布,更是为存储器产业发展奠定了市场、政策等基础。

挑战

身处存储产业,则存储市场疲软在某方面是机遇,但也是挑战;

国际存储厂商呈垄断局面,市场占比对本土企业来讲是挑战所在;

技术、工艺、性能、专利壁垒等方面均存在不小差距和挑战,本土厂商还需突破。

结语

存储产业发展情形已如上所述,结语不再过多赘述。

在半导体产业推动之下,过去几十年中,存储行业玩家你方唱罢我登场。

几经行业周期变换之中,韩国存储大厂何时唱罢?中国存储企业何时登场?

这一疑问被扔进产业的旋涡洪流中,盘旋起伏。

更多对 2019 年电子产业年度关键词的盘点,请点击《记录 2019

作者:李晨光

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