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内存芯片

内存芯片供不应求 三星投资60亿美元再建生产线

近日,据报道,三星将投资60亿美元在华城工厂建设一条新的半导体生产线,该生产线将生产7nm或更小的芯片。三星希望该生产线2019年完成生产线建设,并在2020年开始运营。

2018-02-26 评论

国产内存真的来了:紫光可提供DDR3、DDR4内存芯片

还记得前段时间闹得沸沸扬扬的国产DDR4芯片的传闻吗?

IC设计| 2018-02-23 评论

尝到内存芯片带来的甜头 三星开始投产第二条生产线

韩联社周三报道,三星电子有限公司已经决定开始在韩国的平泽生产基地建设第二条内存芯片生产线。

IC设计| 2018-02-07 评论

三星量产全球最小DDR4内存芯片 速度提升10%

据韩联社12月20日报道,三星电子宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片

美光起诉联华电子盗用内存芯片技术

中国的半导体产业正在极速爆发,这也引起了国外巨头们的恐慌,他们当然不希望这块国产厂商能够迎头追上。美光科技在美国加州的一家联邦地方法庭提交了诉状,指控联华电子以及下属的福建省晋华集成电路公司盗用了自身的内存芯片技术。

内存芯片超级周期影响 SK/三星股价均下跌

摩根士丹利下调了对韩国科技巨头三星评级,理由是内存芯片业务的热潮很可能会很快到来,三星电子股价周一下跌逾4%至一个月低点。

东芝出售内存芯片业务子公司 苹果得到了什么?

东芝最终决定将芯片业务子公司卖给美国基金贝恩资本主导的“日美韩联合体”。这部半导体“碟中谍”大戏终于大结局,苹果成了最大赢家。

三星加码内存芯片布局 国产手机厂商或受冲击

三星作为全球最大的智能手机企业,不仅智能手机出货全球第一,更重要的是在手机关键器件的市占率方面,也几成垄断之势。在手机用小尺寸AMOLED面板方面,三星的产能占到了全球95%的份额,连苹果即将发布的iPhone 8都要大批量采购三星的OLED屏幕。

车载系统变更带动内存升级 慧荣芯片与时俱进

车内信息娱乐系统(IVI)越来越普及,先进驾驶辅助系统(ADAS)、无人驾驶技术亦逐渐成熟,车载系统突飞猛进造就日益庞大的数据处理需求,所需内存容量、输出/入带宽不得不随之升级。

内存芯片为三星贴上“最赚钱”标签

据外媒报道,三星电子二季度初步核实运营利润达到14万亿韩元(约合121亿美元),同比增长72%,创出历史新高。这一营运利润不仅超过市场预期的112亿美元(13万亿韩元),还有望再次超过苹果,成为行业最赚钱的公司。

内存强盛CPU式微 三星扶摇直上有望成全球头号芯片生产商

据美国半导体市场调研机构IC insights的数据分析,三星在2017年第二季度的芯片销售额估计会达到149亿美元,超过英特尔的销售额估值144亿美元。如果成真,这对三星而言将是“一个里程碑式的成就”。

4月手机内存芯片价格涨跌幅排行榜

2017年4月,手机内存芯片的价格环比有涨有跌。一体式手机内存芯片eMCP价格整体都在上涨,但上涨幅度比较温和,不同容量之间的涨幅差距不大,其中1GB+8GB涨幅最高,为4%……

东芝出售内存芯片业务的大戏何时才能落幕?

自东芝在2014年5月陷入一场巨大的财务丑闻后,这家有着140年历史的日本老牌电子企业便再没有什么好消息曝出,除了被罚款、重组业务、高管辞职,便是不断的“卖卖卖”。

东芝本周发出出售内存芯片业务问询函 竞购价或达130亿美元

据消息人士称,日本东芝公司本周将就其出售内存芯片业务发出问询函,力争竞购价格能达到约1.5万亿日元(约合130亿美元)。

镁光:3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量

近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上,镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。

Win10最低配置要求新升级:2G内存+TPM2.0加密芯片

对于Windows 10,微软有着自己的一套硬件要求,比如他们前不久将年度更新的最低配置提高到2GB内存、16GB或20GB(64bit)硬盘,而之前的Build 10240、10586仅仅是1GB内存、统一16GB硬盘空间。

其它| 2016-07-28 评论

小米或用三星内存芯片、双镜头相机和OLED屏

北京时间7月14日消息,有关小米与三星洽谈元器件供应协议的消息并非首次出现,但这次似乎可信度更高。据悉小米创始人兼首席执行官雷军将赴首尔与三星内存芯片和显示屏业务部门高管会谈。

三星、SK Hynix大幅缩减芯片投资 内存不降价了?

现在PC硬件中最实惠的就是DRAM内存及NAND闪存了,8GB内存重回199元大关,240/256GB硬盘售价低至400元,简直是白菜价。内存及闪存的降价还没到底,由于厂商产能扩大,竞争加剧,此前分析称内存/闪存价格今年下半年还会继续降,内存甚至可能大降40%。

武汉存储芯片基地动工 主攻NAND闪存及DRAM内存

位于武汉的国家存储器基地已经在28日破土动工,该项目由武汉新芯科技(XMC)公司主导,预计投资240亿美元,背后则是国家大基金及武汉市政府基金支持,意图在武汉打造全国最大、最先进的存储芯片基地。

40nm代工RRAM存储芯片 中芯国际进入下一代内存产业

中芯国际(SMIC)已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂,除了处理器之外他们也在积极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nm NAND闪存芯片,日前中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议,将使用40nm工艺为后者代工RRAM阻变式存储器芯片

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