台积电2nm工艺取得重大突破！2023年试产

2020-11-17 09:18

这几年,天字一号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂一般的存在,7nm工艺全面普及,5nm工艺一路领先,3nm工艺近在眼前,2nm工艺也进展神速。

根据最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,2024年就能步入量产阶段。

台积电还表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续挺进1nm工艺的研发。

台积电预计,苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。

台积电2nm工艺重大突破！2023年投入试产

2nm工艺上,台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管),甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。

从GAAFET到MBCFET,从纳米线到纳米片,可以视为从二维到三维的跃进,能够大大改进电路控制,降低漏电率。

台积电2nm工艺重大突破！2023年投入试产

当然,新工艺的成本越发会成为天文数字,三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4．8亿美元,3nm GAAFET上会大大超过5亿美元。

台积电很少披露具体工艺节点上的投入数字,但是大家可以放开去想象了……

台积电2nm工艺重大突破！2023年投入试产

作者:上方文Q来源:快科技

声明： 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载，目的在于信息传递，并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责，如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的，请联系我们。

共0条评论，0人参与

登录登录即可访问所有OFweek服务

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

暂无评论

图片新闻

技术文库

行业报告