美国芯片雄起了？反超台积电，今年就要实现2nm工艺
一直以来，台积电都是全球芯片制造的领军企业，从10nm开始，就一直”遥遥领先“全球。
从10nm到7nm，再到5nm，3nm这么4代，台积电奠定并巩固了其它芯片制造一哥的地位，将原本的老大英特尔，以及三星甩在了身后。
搞的美国的顶尖芯片设计企业，都排着队给台积电送钱，要台积电代工自己的芯片。
比如苹果、高通、AMD、英伟达、博通等等，顶尖芯片设计企业，都是台积电的客户，美国之前统计过数据，7nm及以下的芯片，90%由台积电制造，另外的10%则由三星制造。
这让美国感到恐慌，那就是一旦台积电脱离了美国的掌控后，美国的芯片谁来制造？
于是美国有了一个重振芯片制造产业的计划，不能让自己的芯片产业彻底的空心化，美国定制计划，就算产能无法实现自给，但在先进制程上，一定要有所突破，不能被台积电完全拿捏了。
而作为美国重振芯片制造计划的领军企业英特尔，更是制定了一个IDM2.0计划，重启芯片代工业，要为美国芯片制造业找回昔日的荣光。
第一是改名，将原来的一些命名法修改，调整成和台积电、三星一样，纳米制程不再和极栅等严格对应，将数字改的越小越好。
比如inte 7、intel4、intel3、intel20A、intel18A等，在叫法上和台积电、三星等保持一致，能够让大家一目了然的了解其工艺。
其次是，不再打磨14nm、7nm、5nm工艺等，而是迅速推进先进工艺，修建芯片厂，争取能够领先台积电、更早推出2nm。
按照计划，台积电、三星是在2025年实现2nm芯片，采用GAAFET晶体管技术，而英特尔则在2024年要推出2nm芯片，也就是intel20A。
为此，英特尔找ASML采购最新的EXE:5200光刻机，这种光刻机，采用的是NA=0.55的最高数值孔径的，也是ASML认为的可能是最后一代的EUV光刻机了。
目前ASML将其全球首台EXE:5200就交付给了英特尔，造价27亿元左右，英特尔计划利用这台最顶级、最新的EUV光刻机，在2024年就量产出2nm芯片来。
不过，计划不一定就会真的实现，2024年英特尔能不能反超台积电、三星成功，也就只剩下这最后10多月时间了，如果真的反超成功，那么全球的芯片代工格局，可能都要改写了。
毕竟英特尔如果真的成功了，那么美国的一些芯片设计企业，很可能会选择本土的代工厂，台积电、三星受影响会比较大。
原文标题 : 美国芯片雄起了？反超台积电，今年就要实现2nm工艺
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