ASML基本完成1nm光刻机设计
2020-12-01 14:52
满天芯
关注
本月中旬,在日本东京举办了ITF论坛。论坛上,与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。
至少就目前而言,ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划,且1nm时代的光刻机体积将增大不少。
▲IMEC的逻辑器件小型化路线图
据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备,2nm之后需要更高分辨率的曝光设备,也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计(即NXE:5000系列),预计在2022年实现商业化。
至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致,洁净室指标也达到天花板。
阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C,3600D计划明年年中出货,生产效率将提升18%。
声明:
本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。
图片新闻
最新活动更多
-
直播回顾进入直播>> 智能医疗设备测试的挑战
-
4月26日立即报名 >> 【线上研讨会】TDK模块化电容器、电能质量解决方案
-
4月30日免费下载 >> SPM31智能功率模块助力降低供暖和制冷能耗,打造可持续未来!
-
4月30日限时免费下载>> 高动态范围(eHDR)成像设计指南
-
5月10日立即下载>> 【是德科技】精选《汽车 SerDes 发射机测试》白皮书
-
5月22日立即报名>>> OFweek 2024新周期显示技术趋势研讨会
-
9 芯片封装介绍
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论