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关于砷化镓的晶向问题分析

做过LED或者LD芯片的童鞋应该会了解到外延基板晶向问题。比如在激光芯片中,常使用(110)晶面作为解离面,解离面比较光滑,具有较高的反射率,因此即便是不镀减反膜和高反 膜芯片端面也有大概30%的反射率。

开始先提出两个问题:

1)一般砷化镓外延是在(100)晶面基板上生长起来的。芯片Die的解离面是(110),基板大定位边所在面是(0,-1,-1),小平边是次参考面(0,-1,1)。如下图根据基板,确定die解离划裂线方向,和die的六个面所处的晶面。

下图芯片的出光面是什么晶面?侧边是什么晶面?分别和上表面成多少度角?

2)晶面为什么要偏转15°?

回答以上问题,需要回顾一下,砷化镓的晶格结构,是属于固体物理的知识。

砷化镓晶格结构

上图是砷化镓的晶格结构

砷化镓晶格是由两个面心立方(fcc)的子晶格(格点上分别是砷和镓的两个子晶格)沿空间体对角线位移1/4套构而成。这种晶体结构在物理学上称之为闪锌矿结构。

温习一下晶格晶向的知识点

因此晶向[u v w]是一个射线,起点是原点,过uvw坐标的一个点连接而成。

<uvw>尖括号是晶向族,包括多种组合。

如上图 (221)晶面垂直于【221】晶向

如上图是(100)晶面的砷化镓基板,第一幅是从正面俯视,如果要切割出{110}面的解离面,该如何下刀呢?

思考一下,下期再详写

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