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英特尔首次联手高通打造20埃米芯片制程

2021-07-28 08:46
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“新任CEO Pat对于建工厂的举措非常大胆。”

作者:苗正 出品:财经涂鸦

2021年7月27日,英特尔在工艺及封装技术大会上公布了最新的工艺路线图,同时还更改了产品的命名方式,比如10nm ESF工艺改名为Intel 7,7nm工艺改为Intel 4等等,而这一举动则是为了在制程规格的名称上与跟台积电三星保持对等关系。

但最令人意外的是,英特尔公布了一个令人意想不到的客户:英特尔将为高通代工芯片,产品名为20A,将于2024年发布。这是历史上英特尔首次为高通代工芯片,此前,英特尔想要通过移动处理器攻占手机平台,而高通则想占据服务器和个人电脑市场,因此两家之间一直保持着复杂且敌对的关系。

之所以称之为20A,是因为该制程芯片采用的计量单位是埃格斯特朗,简称为埃。1埃等于0.1纳米,即百万分之一厘米,20A则为2纳米。英特尔高级副总裁 Sanjay Natarajan 还不忘炮轰一下台积电和三星。他表示,竞争对手使用的数字更多地与营销有关,因此英特尔也要让客户更清楚地了解到英特尔制程上的优势。与此同时,台积电正在研发3纳米制程,并预计在2023年正式发布。

英特尔表示,英特尔在芯片制造领域将迎来十年来的首个新设计。英特尔放弃了FinFET工艺,转向了GAA晶体管。而台积电和三星仍在使用FET工艺。

2021年1月,英特尔传奇老员工Pat Gelsinger宣布出任英特尔CEO。他是一位开发经验非常丰富的工程师,事实上英特尔的i486就是Pat在30年前所开发的。英特尔前任CEO Bob Swan更熟悉财务领域,然而对于英特尔这种基因里注满工程师文化的企业来说,反而让英特尔丧失了芯片市场的主导地位。

除了制定和高通联手打造芯片这个大胆的计划外,Pat还在2021年5月的时候表示,英特尔要在技术上超越台积电,并为此要升级墨西哥的Fab 11X工厂。该工厂于1996年建成,主要生产45纳米和32纳米制程,在芯片领域属于中低端产品,升级后很可能会成为上文提到的20A产品生产线。

Pat对于建工厂的举措非常大胆,2010年后,英特尔平均每5年开设一个新处理器芯片工厂。从2010年到2021年,英特尔仅建造了两个处理器芯片工厂:Fab 42和D1X。而Pat上任还不到半年,就宣布2023年将要建成位于爱尔兰的Fab 34以及Fab 11X。

Pat说到:“我们正在向华尔街公布大量细节,让我们承担责任。”

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