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三星电子官宣3nm将实现量产:性能提升30%,功耗下降50%!

2021-10-12 10:18
海西商界
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已经是全球第二大芯片代工巨头的三星,并不满足于如今的位置,其一直想要超越台积电坐上全球第一的位置。

为此,三星一直想要抢先台积电,公布下一代先进芯片制程。在5nm制程上,三星慢了一步;而在接下来将亮相的3nm制程芯片上,三星则有超越的希望。

在日前举行的“三星代工论坛2021大会”上,三星电子不仅亮出了全新的17nm LPV工艺,更透露了有关3nm芯片的最新消息。据了解,三星电子的新一代3nm芯片将在2022年上半年实现量产。

性能提升30%,功耗下降50%!芯片龙头官宣3nm,比台积电3nm更先进

这一时间虽比三星电子原本计划中的2021年下半年量产要晚,但比台积电计划的2022年年中量产还是更早。而且此前还有消息称,台积电3nm将延期发布。

也就是说,在3nm芯片制程上三星有望抢得先机,实现对台积电的超越。若真如此,凭借着先发优势三星电子有望抢下更多的客户,进而提升自己的市场占比。

而且值得注意的是,在3nm制程技术上三星电子更为激进,这就使其产品更为先进。

与继续沿用更为成熟的FinFET技术的台积电不同,三星电子认为FinFET晶体管结构的潜力已经不多,因此其率先在3nm工艺中引入了GAA(全环绕栅极晶体管)技术。

与FinFET相比,GAAFET架构的晶体管拥有更优秀的静电特性,且沟道控制能力更强。因此,GAA技术能实现更小芯片尺寸,从而带来更强悍的性鞥呢提升。

性能提升30%,功耗下降50%!芯片龙头官宣3nm,比台积电3nm更先进

据了解,三星电子为了发挥GAA的优势,补足其短板费了不小的功夫。如今来看,三星电子的种种努力并没有白费。

在日前举行的论坛中,三星电子表示,其3nm GAA有望让面积实现35%的缩减,而性能则大增30%,同性能下功耗更是降低50%。这一数值十分亮眼,料想其推出的芯片产品表现也不会差。

据悉,在2022年年初时,3nm 3GAE(低功耗版)有望进入量产阶段;而在2023年年初,3nm 3GAP(高性能版)则有望实现量产。

也就是说在3nm芯片上,三星芯片的量产时间与质量,都有望优于台积电。若真如此,明年或许便是三星电子的圆梦时刻,其有望从台积电手中抢过苹果高通等客户。

性能提升30%,功耗下降50%!芯片龙头官宣3nm,比台积电3nm更先进

有了在3nm制程上的经验,三星电子在2nm制程上的GAA技术将更是成熟,三星研发起来也将更加得心应手。因此,在2nm制程上三星电子的进度也有望不输台积电。

据了解,三星电子2nm产品有望在2025年实现量产,令人期待。

如今来看,台积电正面临着不小的威胁。虽然在芯片代工市场中,台积电以超半数的市场份额,地位看似稳固。

但其实,三星电子、英特尔等都对台积电虎视眈眈,且二者都有着不俗的实力。这样看来,台积电在未来发展中,还是有着许多的挑战。

面对这样的状况,台积电将如何应对,这令人十分期待。同时,三星3nm能否按照计划如期问世,也让我们拭目以待。

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