文︱立厷

图︱网络

2021年10月底，小米推出业界最小的120W新款氮化镓（GaN）充电器，带Type－C接口，体积更小，卖点：“小巧一点，强大很多”。小米并没有说其中采用了什么技术，还以为和以前一样，就是现有的GaN功率器件呗，肯定是要比已量产硅方案强很多。

直到纳微半导体（Navitas）刚刚发布了全球首款采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片，这才豁然以明：上述产品使用了两颗NV6134 GaNSense系列器件，相比传统硅方案效率提升1．5％，仅需15分钟就能充满电。

那就让我们来看看这GaNSense为什么如此神通广大吧！

GaN公司一路走来

20年前就有了GaN材料，而硅的应用比氮化镓早30年以上。最近几年，GaN通过自身优化、产能提升、成本控制，慢慢在在消费、工业应用中落地。

纳微半导体销售运营总监李铭钊介绍说，纳微2014年成立，创始人和CEO是Gene Shenidan，两位联合创始人是Dan Kinzer和Jason Zhang，后者是应用兼技术营销副总裁，是一位华人。这三个人曾在同一家公司中合作超过30，他们把以往的工作经验带到纳微。现在纳微已经获批专利超过200多件，还有100多件在准备申请中。纳微前4年纳微一直在摸索，探索和改善技术，2018年才做出第一个可以量产的产品。

今年10月，纳微半导体在纳斯达克成功上市，上市当天的估值10亿美元。值得一提的是，纳微中国团队成立3年多，为公司贡献了7成营收。其中国团队有60多人，占纳微全球人员超过40％。未来，纳微中国将加快对客户设计的支持，进一步增加销售、研发团队覆盖全球市场的能力，同时扩张芯片设计团队。

在芯片制造方面，纳微现在主要在台积电2号工厂生产，主要是16英寸晶圆。其封装用的是全球前三的封装厂，品质控制做到出货3000万颗GaN功率芯片零失效；生产交付时间为12周左右。

纳微半导体高级应用总监黄秀成补充说，在GaN上做芯片确实是纳微的原创，2000年初就开始研究GaN，在这方面积攒了非常多的经验。作为第一个吃螃蟹的人，纳微确实走过了很多艰辛的路，通过不停的探索，现在做GaN芯片更加轻车熟路，从之前的GaNFast到今天的GaNSense，设计开发、生产周期越来越短。

时至今日，全球超过140款量产充电器使用了纳微方案，约150款产品在研发阶段，未来12个月将会看到这些新产品陆续上市。

为什么从手机充电起步？

GaN开关速度快20倍，体积和重量更小，节能可达40％，功率密度提升3倍，特别适合快充方案。这都是和硅比。

所以，GaN应用场景主要是手机充电器，为什么充电器中普及很快呢？主要有两个原因，第一，手机电池越来越大，从以前的2000mA时到现在的5000mA时。GaN的优势是提升充电器功率，可以缩短充电时间，让电池体积变小。另外，采用USB－A和USB－C的电子设备越来越多，多头充电器市场非常大，GaN大有用武之地。

随着电源行业的发展，手机、充电器功率需求越来越高，出现了更多应用场景，GaN技术迭代也在持续进步。从纳微GaN功率芯片的进步可以看出，相比传统硅和分立式GaN器件，此前的GaNFast系列发挥了GaN的速度和潜能，其中集成了驱动和基本保护功能，工作频率从传统的几十到200kHz方案提升到MHz级别。

关于开关频率和EMI的问题，黄秀成表示，EMI并不会成为系统设计的问题。只要设计合理，对传输途径和阻碍EMC解决方案有很清晰的了解，就会发现高频化后EMC解决方案反而更简单。开关频率低，意味着L和C要很大，所以体积和成本就会很高；采用高频后，如果很好地处理传输途径，合理设计，基波频率高了，意味着L和C更小，体积和成本就可以降低。使用GaN做高频电源的工程师们慢慢能体会到的一些真谛。

功率GaN流派孰优孰劣？

据介绍，功率GaN的发展主要有两个流派：一个是eMode常开型，另一个eMode是常关型，纳微代表的是后者。相比常关型GaN功率器件，纳微进一步做了集成，包括驱动、保护和控制。

传统硅器件参数不够优异，开关速率、频率都受到极大的限制。因为开关频率较低，电感电容尺寸比较大，电源功率密度比较低，通常小于0．5W／cc。另外，分立式GaN因为受限于驱动电路复杂性，如果不把驱动集成到功率器件中，受限于外部器件布局、布线，无法发挥GaN应有潜力。虽然，一些厂商可以设计出相对比较高的功率密度，但是也没有远没有达到1W／cc的数字。

GaN功率芯片集成后能带来什么好处呢？纳微的GaN器件集成了控制、驱动和保护，可以不依赖于外部集成参数，可以充分释放开关频率，电源适配器的主流开关频率可以做到300、400kHz，模块电源已经有客户做到了MHz。用经过集成的方案设计出来的功率密度比传统硅或分立式GaN高了很多，目前好多案例远大于1W／cc。

以上说的是此前的GaN功率芯片，那么现在呢？

GaNSense集成带来四大提升

GaNSense技术通过进一步集成在GaNFast基础上做了几大性能提升，包括无损采样、过流保护、过温保护和智能待机。

黄秀成介绍坦承，目前纳微GaN器件的主流系列是GaNFast，其驱动控制和保护在功率器件上面，采用的是QFN封装。其大体布局和传统硅和分立式区别不大，有漏极、源极和PWM，外加3个控制驱动。作为功率芯片，其外部有一个Vcc供电，范围非常宽（10V－30V），外围控制器可以适应Vcc范围。

由于GaN芯片设计存在一些难点，处理基准电压比较难，所以器件外部用一个稳压管来产生内部基准电压，把宽范围Vcc调整成内部真正需要驱动GaN功率器件的母线电压。PWM内部有很多磁滞电路，做了降噪处理。相比传统硅或者分立式GaN，在内部保护、UVLO的Vcc未达到某一定值之前，整个芯片处于锁定状态，以避免器件在某些异常条件下工作失效。

GaNFast集成了驱动，实现了基本保护功能。而GaNSense技术又进一步，实现了几个突出的性能优点。

无损可编程电流采样

原来系统中有一个采样电阻，调整可编程电阻可以改变可编程电压。用无损采样代替原来的采样电阻，电源回路中的通态损耗会减半，意味着能效提升。另外还减少PCB面积，布局更灵活、简单。在热耦合方面，系统中原来有两个发热元件，现在去掉了一个，热系数更好，器件工作温度更低，效率也会更高。

过流保护

传统上，GaNFast系列外部需要一个采样电阻，其信号送给控制器判断是否发生过流。为了避免噪声，控制器有一个延迟，通常反应时间在300ns左右。在GaNSense技术中，基于采样信号内部设定一个过流阈值，在内部做信号处理，触及这个阈值时反应时间小于100ns，节省出来200ns可以避免系统因短路、过功率等造成变压器电流急剧上升的情况。

过温保护

目前的保护机理也是设置一个区间，当GaN片芯温度超过设定阈值（通常160℃），不管有没有外部PMW信号，直接关断芯片，让它自然冷却，直到低于100℃，再去参考PMW信号，有信号则继续工作，如果异常没有解除，温度还在上升，则保持关断，以实现精准控制结温。

智能待机

现在，比较宽松的范围是75mW，但是很多OEM、ODM都会要求待机做到30mW。所以，早期的GaNFast其他性能都非常好，但因为考虑待机问题，通常外边会做个电路，切断待机Vcc，所以系统相对复杂。GaNSense技术更加完善，可以智能检测PWM信号，当PWM信号工作正常时，智能待机不动作；当系统进入跳周期模式，通过检测让芯片进入待机模式，待机电流从原来的接近1mA降到接近100μA，待机功耗可以下降很多。另外，进入待机后，第一次出现脉冲30ns就可以马上进入正常工作模式。

量产、支持、合作同步推进

采用GaNSense技术的产品已经上线，系列更全，有不同封装，如6mm×8mm、5mm×6mm，选择也更多，目前的5种最小为120mΩ，最大是450mΩ，范围覆盖从20W快充和100－200W快充。

纳微半导体高级研发总监徐迎春介绍说，纳微GaN提供的高可靠和集成驱动一个关键技术，集成驱动除了提高量产可靠性，还对整个产品的长期可靠性至关重要。因为GaN是一个新的器件，需要采用全新的设计，所以，纳微在中国成立了非常强大的AE团队，以支持2021年2022年即将量产的160个产品。

深圳、杭州和上海的AE团队将从客户需求定制、原理图绘制，到整个布版设计、结构装配、样机测试、分析，直到小批量试产、中批量试产、大批量量产，提供全程的服务。其背后有从美国回来的黄秀成博士带领的博士团队、很多10到20年工作经验的工程师的支持，还有与上游磁芯平面变压器、控制器厂家的合作，可以根据客户需求实现联合设计开发。

纳微还与全球很多学术机构、学院都有紧密合作，包括美国电力电子研究中心（CPES）、佛罗里达州立大学、斯坦福大学，开展各种高频、高密度电源的研究。在中国跟浙大、福州大学、南航等几所电力电子界知名高校有一些合作项目和课题研究，以此保证纳微半导体在芯片、器件、系统应用层面的领先。

跳出手机充电圈

手机充电器领秀群伦，却在“吃着碗里看着锅里”，从消费类快充，拓展到数据中心、汽车领域，这就纳微的野心所在。

黄秀成表示，目前纳微的主要应用还是在消费类电源，但是公司蓝图一定是往数据中心、汽车方向拓展。设计难点肯定会有，包括汽车要求的芯片功率等级、电压等级和可靠性方面有更严峻的挑战。纳微半导体对芯片设计、可靠性验证内部规范也会更加的严苛。在量产方面，良率也是非常大的挑战，目前纳微在这方面做的非常好，未来在良率方面还继续突破。数据中心、电动汽车要求更大功率的器件，纳微一定会下更多工夫克服技术难点，实现更高的可靠性和良率。

李铭钊补充说，GaN在汽车市场的增长潜力比较看好，在汽车方面主要有两个应用，一个是OBC，一个DC－DC。因为硅在市场中超过50年的历史，碳化硅（SiC）走在GaN前面10年左右，GaN最近这三五年才落地才应用，所以还是需要时间把这个材料和产品应用到不同领域。

他透露，目前纳微半导体跟国外的汽车零件生产公司已经开始合作，并将与欧洲汽车生产商启动一个大型项目。

从消费类开始铺垫，占领巨大市场后再拓展到其他产业链，正是纳微半导体未来GaN市场布局的战略规划。而在纳微未来5年的计划中，服务器是第二步，工业类是第三步，汽车类是第四步，值得期待。