众所周知，目前全球最牛的光刻机厂商是ASML，并且全球仅有它能够研发EUV光刻机，用于7nm及以下的芯片。

而像佳能、尼康、上海微电子的光刻机，均无法支持7nm及以下的芯片制造，更多的只能用于中、低档的晶圆制造。

所以EUV光刻机也成为了各大晶圆制造厂必争产品，而其它的光刻机厂商，必然也想造出自己的EUV光刻机来。

但ASML在EUV光刻机上，是设了几道坎的，比如收购了美国企业Cymer，后来又与德国的TRUMPF独家合作，还与卡尔蔡司独家合作，从光源到透镜、到供应链方面，让其它企业没法追上。

所以对于其它光刻机企业而言，按照ASML的方式，其实是很难追上ASML的，得到了供应链的支持，EUV光刻机就难以研发出来，所以换道超车也是另外一种考虑的方向。

特别是在后摩尔时代，芯片工艺越来越难，各大晶圆厂商都在发力3D封装，小芯片技术、堆叠等半导体结构时，不再一味追求EUV光刻机，也成为了可选项。

而近日，有媒体报道称，光刻机巨头佳能正在开发用于半导体3D技术的光刻机，最早在2023年就会面市。

何谓3D光刻机，顾名思议，就是直接光刻3D堆叠的芯片。以前的芯片，都是一块一块晶圆来光刻，然后在封装时进行3D堆叠。

但3D光刻机，可以在光刻时就实现3D结构，采用堆叠的方式直接光刻，这样大幅度提高效率和性能，也算是真正的换道超车。

按照报道称，3D光刻机的曝光面积扩大至现有产品的约4倍，佳能是在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度，增加布线密度，从而实现3D光刻。

当然，现在还只是报道，具体会不会实现，能不能实现还是未知数。如果佳能真的实现了这一技术，那么对于整个芯片制造产业而言，将会是一个巨大的改变。

想当年ASML率先推出了浸润式光刻机，用水来替代空气做为介质，从而奠定了自己成为全球第一大光刻机巨头的基础。

如今芯片制造工艺逼近摩尔极限，一味的提高光刻精度已经越来越难，3D光刻技术，会不会成为另外一个爆款，改变光刻机格局，我们拭目以待吧。