使用全国产设备,能制造多少nm的芯片?很遗憾,可能仅90nm
众所周知,芯片制造是产业链条厂,周期长,门槛高的行业。芯片制造需要几十上百种半导体设备,这些设备来自于不同的厂家,缺一不可。
同时这些设备都对应着工艺节点,也就是制造精度,比如28nm、14nm、5nm。
并且芯片制造,是遵循木桶理论的,即芯片工艺,取决于最落后设备精度,这些设备中,工艺最差的设备,就决定了芯片精度。
一直以来,美国就在半导体设备上作文章,通过截断某一种设备,来卡住中国大陆芯片制造的脖子,比如不允许ASML的EUV光刻机卖到中国大陆来,截止中国大陆的芯片工艺进入7nm。
所以国内这几年在半导体设备上不断努力,就是希望能够摆脱对国外设备的依赖,只领先国产设备,也实现高精度的芯片制造。
那么问题就来了,目前大陆的晶圆厂,如果不从国外采购半导体设备,使用纯国产的半导体设备,那么最高能够生产几nm的芯片?
近日有分析机构提供了一张图,展示了当前芯片制造流程中,最关键的几种设备,国产的精度是多少。
如上图所示,最先进的是刻蚀机,中微的刻蚀机已经达到了5nm的精度。而最落后的是光刻机,上海微电子的光刻机,仅实现90nm的精度。
其实绝大部分的国产半导体设备,其精度最高也是14nm,还有停留在28nm的、65nm的。
如果依据木桶理论,那么使用全国产设备,能够生产出来的芯片,最高也就是90nm。肯定有人会说,光刻机可以多重曝光,90nm精度,可能也能够达到28nm的精度,这其实是没经官方确认的。
另外就算多重曝光达到28nm了,但涂胶显影机还在65nm,这也就决定了最多也就是65nm的工艺。
很明显,国产半导体设备的路还很漫长,我们要摆脱对国外半导体设备的依赖,还差得远,还需要继续努力。
这还只是半导体设备环节,其实芯片制造中,还需要各种半导体材料、EDA、IP等等,上图是同花顺之前发布的一份关于芯片设计、半导体材料、半导体设备的国产化率数据。
很明显,在芯片制造上,我们要努力的地方还特别多,与国际顶尖水平的差距,真的还太远,容不得半点马虎啊。
原文标题 : 使用全国产设备,能制造多少nm的芯片?很遗憾,可能仅90nm
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