使用全国产设备，能制造多少nm的芯片？很遗憾，可能仅90nm
众所周知，芯片制造是产业链条厂，周期长，门槛高的行业。芯片制造需要几十上百种半导体设备，这些设备来自于不同的厂家，缺一不可。
同时这些设备都对应着工艺节点，也就是制造精度，比如28nm、14nm、5nm。
并且芯片制造，是遵循木桶理论的，即芯片工艺，取决于最落后设备精度，这些设备中，工艺最差的设备，就决定了芯片精度。
一直以来，美国就在半导体设备上作文章，通过截断某一种设备，来卡住中国大陆芯片制造的脖子，比如不允许ASML的EUV光刻机卖到中国大陆来，截止中国大陆的芯片工艺进入7nm。
所以国内这几年在半导体设备上不断努力，就是希望能够摆脱对国外设备的依赖，只领先国产设备，也实现高精度的芯片制造。
那么问题就来了，目前大陆的晶圆厂，如果不从国外采购半导体设备，使用纯国产的半导体设备，那么最高能够生产几nm的芯片？
近日有分析机构提供了一张图，展示了当前芯片制造流程中，最关键的几种设备，国产的精度是多少。
如上图所示，最先进的是刻蚀机，中微的刻蚀机已经达到了5nm的精度。而最落后的是光刻机，上海微电子的光刻机，仅实现90nm的精度。
其实绝大部分的国产半导体设备，其精度最高也是14nm，还有停留在28nm的、65nm的。
如果依据木桶理论，那么使用全国产设备，能够生产出来的芯片，最高也就是90nm。肯定有人会说，光刻机可以多重曝光，90nm精度，可能也能够达到28nm的精度，这其实是没经官方确认的。
另外就算多重曝光达到28nm了，但涂胶显影机还在65nm，这也就决定了最多也就是65nm的工艺。
很明显，国产半导体设备的路还很漫长，我们要摆脱对国外半导体设备的依赖，还差得远，还需要继续努力。
这还只是半导体设备环节，其实芯片制造中，还需要各种半导体材料、EDA、IP等等，上图是同花顺之前发布的一份关于芯片设计、半导体材料、半导体设备的国产化率数据。
很明显，在芯片制造上，我们要努力的地方还特别多，与国际顶尖水平的差距，真的还太远，容不得半点马虎啊。
原文标题 : 使用全国产设备，能制造多少nm的芯片？很遗憾，可能仅90nm
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