ASML最新光刻机曝光:20亿一台,用于2nm,每小时处理220片晶圆
众所周知,制造7nm及以下工艺的芯片,需要用到EUV光刻机,而全球仅有ASML能够生产。
ASML在2015年,就推出了第一代EUV光刻机WINSCAN NXE:3400B,之后在2019年推出了NXE:3400C,2021年推出了NXE:3600D。
不过据称,NXE:3600D型号的EUV光刻机,支持的工艺可能仅到3nm,如果要制造2nm的芯片,光刻精度还要提升,需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行。
而光刻精度怎么提升,就是数值孔径的提升了, 前几代光刻机,比如3400B/C、3600D的数值孔径都是0.33NA的,解析度(精度)为13nm,单次构图间距为32nm到30nm。
而要生产2nm的芯片,数值孔径要变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案,同时单次构图间距低于30nm。
这种新的EUV光刻机叫做型号,就叫做EXE:5200,目前ASML已经有了规划,预计在2024年底,或者2025年交付。
而基于0.55NA数值孔径的光刻机,光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍,其处理晶圆的能力是每小时处理220片12寸晶圆左右,真正用于制造3nm以下的芯片。
一小时处理220片12寸的晶圆,其产能有多大?如果是苹果A16这样的芯片,一块晶圆可以切割600块左右,理论上一台这样的光刻机,一年可以就光刻10亿颗以上……
至于价格方面,ASML表示,其0.55NA的下一代EUV光刻机单价将达到3亿多美元(约合20亿元人民币)。
至于买家,当然只有台积电、三星、英特尔三家才有资格购买,其它的晶圆厂,能够买到0.33NA的EUV光刻机,就已经非常不错了,不要想这种0.55NA的。
当然,如果不生产7nm及以下的晶圆,EUV光刻机都不需要,DUV就够了,更就不用纠结这3亿多美元一台的0.55NA的EUV光刻机了。
原文标题 : ASML最新光刻机曝光:20亿一台,用于2nm,每小时处理220片晶圆
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