四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65
氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，其高热导率和基本不会被腐蚀的极强化学稳定性，被广泛运用于持续高温大功率器件上。
图片资料来源：品利基金
GaN半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c轴方向平移3c/8 套构而形成，所属空间群为或P63mc。
作为第三代半导体材料的杰出代表，氮化镓技术一时间在快充产品中更是被广泛应用，快充市场日益成为氮化镓应用最大的推动力；如今，氮化镓材料已不仅仅应用于消费电子电源适配器领域，日前这一产品在手机端亦在加速渗透。
图片资料来源：品利基金
氮化镓有三大应用领域：
第一是光电子领域，当中包括较低端的LED以及高端激光应用；
第二是射频领域，主要应用于5G基站中的射频放大器，但目前推广似乎陷入了产业上的停滞；
第三则是在电力电子即功率器件方面的应用，最火的当属以手机为代表的消费类电子应用。
在工业用电领域，相比硅基、CoolMOS和碳化硅，氮化镓器件能实现更优的性价比，并满足高端电源对应用环境和产品规格的需求；工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。
由工采网代理的四川美阔GaN/氮化镓 - MGZ31N65具备特性：
（1）650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
（2）非常低的QRR
（3）减少交叉损失
（4）符合RoHS标准和无卤素要求的包装
贴片封装采用铜夹片封装技术来代替内部的封装引线；可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高可靠性；封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置，使其更通用，并有助于进一步改善散热。
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原文标题 : 四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65
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