650VGaN
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独角兽击碎破发魔咒,市值超650亿
“芯”原创 — NO.58 巨无霸独角兽打响第一枪!作者 | 王艺可出品 I 芯潮 ICID I xinchaoIC图片 I unsplash10月24日,智驾科技头部企业地平线(9660.HK)正式在港交所敲钟
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市值缩水超650亿!华为能助长安汽车“破局”吗?
长安汽车,还在“破局”。 两个月前,一则入股华为车BU的公告,让长安汽车的股价“飞上了天”。 公告披露后,长安汽车连续收出涨停,股价最高来到了21.48元/股,市值则冲破了2100亿大关
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不赚钱的ARM,却值650亿美元?孙正义赚大发了
ARM正式上市,今年全球最大的IPO来了。 ARM上市后,一路狂飙,最高时上涨30%,最后上涨24.69%,报63.59美元,以此计算,市值为652.48亿美元(约4745亿元)。 而孙正义的软银,持有Arm约90%的股份,算下来软银持有ARM的实际价值约为585亿美元左右
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Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率奈梅亨,2023年4月20日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用
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美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案
氮化镓快充的出现,给生活带来的极大的便利;近期;美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品,推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案,为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案
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65W1C氮化镓PD快充电源650VMTC-MGZ31N65芯片测试报告
现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多;而GaN氮化镓技术的出现,则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善,无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN/氮化镓 -
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四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65
氮化镓化学式为GaN,由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成,相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%,增强性能并减少损耗2022年5月11日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 2022-05-11 -
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术
2020年6月8日,半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK
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从制程工艺看麒麟650的芯片级省电
在目前市面上常见的SoC中,主要以28nm、20nm、16nm和14nm这4种制程为主,每种制程根据生产工艺不同还衍生出很多版本,比如28nm工艺,先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四种版本。
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ECCE展:GaN系统公司推出650V/100A晶体管
在蒙特利尔举办的IEEE能量转换国会和世博会(ECCE)上,GaN Systems展出了650V/100A的GaN功率晶体管。
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