MGZ31N65
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光耦6N135与6N137有哪些区别，该如何选择？
光耦合器通常称为光隔离器，它们由输入LED（发光二极管）和输出光电晶体管或光电达林顿晶体管组成；通过在输入和输出电路之间提供电气隔离，同时允许信号传输。这种隔离对于安全性、信号完整性和降噪至关重要。
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N型电池龙头，打响全球化制造第一枪！
光伏大洗牌愈演愈烈，N型全面淘汰P型不断提速。1月20日的央企招标中，P型组件已经报出0.79元/W的历史最低价。 P型产能在被迅速出清的同时，一体化企业的N型电池短板也正在补齐，2024年国内市场TOPCon电池产能将快速释放
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应用在LCD显示器电源插头里的氮化镓（GaN)MTC-65W1C
LCD（Liquid Crystal Display）显示器是利用液晶显示技术来进行图像表现的显示装置，从液晶显示器的结构来看，无论是笔记本电脑还是桌面系统，采用的LCD显示屏都是由不同部分组成的分层结构
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中国芯片产业“内卷”加剧，2023年1.09万家公司倒闭，平均每天31家关门
（本篇文篇章共1042字，阅读时间约1分钟） 中国芯片产业正面临严重挑战，截至2023年12月11日，数据显示，已有1.09万家芯片相关企业工商注销、吊销，同比增加69.8%，较2022年增长89.7%，平均每天就有超过31家芯片公司宣告倒闭
芯片 2023-12-14 -
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用中国北京，2023年10月17日讯 – Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互
Littelfuse 2023-10-17 -
N-沟道功率MOSFET-MPF12N65
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。 工作原理是通过控制栅极
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台湾美禄1Mbit/s高速光耦6N135
光电耦合器是一种以光作为传输信号的进行点光电的转化器件，对输入、输出电信号有良好的隔离作用，它的种类繁多，结构独特，优点突出，在各种电路中应用广泛。 高速光电耦合器和光电耦合器一样，它将发光二极管和
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国民技术与IAR展开生态合作，IAR集成开发环境全面支持N32系列MCU
IAR Embedded Workbench for Arm集成开发环境现已全面支持基于国民技术N32 G／L／WB／A等工业与车规MCU的应用开发中国上海——2023年6月13日——嵌入式开发软件和
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专为分布式光伏测试而生－－ITECH艾德克斯IT－N2100系列太阳能阵列模拟器新品上市
5月26日，艾德克斯针对分布式光伏组件的测试，如微逆变器、功率优化器的测试，正式发布了高速太阳能阵列模拟器IT－N2100系列。从此，一台模拟器既可高速高精度模拟百瓦内的光伏电池板IV曲线，又可覆盖目前较大功率、较大电流的组件级光伏微逆变器或优化器的测试，对众多行业新进者无疑是一大利好
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65W氮化镓（GaN)充电头PD快充方案
2023年数码圈中讨论较多的莫过于65W氮化镓（GAN）充电头。65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率
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四川美阔推出：65W-1A2C接口氮化镓（GaN)PD快充电源方案
65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率
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阿里“1+6+N”改革，逻辑怎么变？
前言： 果然马云是因为大事才回国，这一轮改革彻底打破了阿里的天花板。 公司董事会主席兼首席执行官张勇在3月28日发布全员信，宣布启动公司成立以来最重要的组织变革计划，构建[1+6+N]组织架构。
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适用于65W氮化镓1A2C国产PD快充方案
65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率
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GaN/氮化镓65W（1A2C）PD快充电源方案
近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W（1A2C）PD快充充电器方案，该方案采用同系列控制单晶片：QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到最佳匹配
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65W-1A2C接口氮化镓（GaN)充电头
2023年数码圈中说较多的莫过于两个品类，其中一个就是氮化镓（GAN）充电头。氮化镓＋充电头＋65w究竟会产生怎样的火花呢？单口充电头和多口充电头能解决什么问题呢？不同品牌手机究竟怎样才能选择好适合自
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美禄推出650V氮化镓(GaN)65W-1A2C快充电源方案
氮化镓快充的出现，给生活带来的极大的便利；近期；美禄成功开发650V氮化镓(GaN)功率器件产品，推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化镓快充电源模块方案，为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案
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合科泰NMOS管HKTQ50N03与HKTQ80N03应用案例
MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路。作为一家专业的分立器件
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Arm中国突传裁员，赔偿N+3！
2月11日，据路透社报道，其援引三位熟知内情的消息人士爆料称，日本软银集团旗下的半导体IP技术厂商安谋科技（又称Arm中国）上周裁员了90－95人，以应对今年充满挑战的业务前景与情况。研发工程师居多，
Arm中国 2023-02-13 -
传微软苏州大裁员补偿 N+12 ？最新回应！
2月2日，网上流传出消息称，“微软苏州大裁员，赔偿N＋12个月工资”！由于裁员福利实在过于丰厚，相关言论一出瞬间激起舆论，更有网友直言“如果是真的，请裁我”，“裁员大礼包，员工年终奖”。截图还提到，裁员后每人赔偿N＋12个月工资，并享受股票解禁和一年社保的福利
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10Mbit/s高速光耦6N137（参数、功能、原理、应用电路介绍）
由ISweek工采网代理的光耦—6N137是一款用直流输入与逻辑门输出10Mbit/s高速光耦合器；采用DIP8封装；具有温度、电流、电压补偿功能，输入输出隔离功能高，LSTTL/TTL兼容，5mA非常小的输入电流
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美禄推出高可靠性65W氮化镓充电头方案评测报告
在快充技术渐渐成为充电标配以后，市面上的快充充电器芯片也多了起来，渐渐成为充电的主流；随着氮丶际醯某墒欤咂怠⒏咝А⒏吖β拭芏雀浅晌说毕驴斐涑涞缙魇谐〉闹髁鞣⒄狗较颍黄溆判愕募嫒菪钥梢允挂桓龀涞缙魑只缒缘榷嘀稚璞腹┑?
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应用在65W快充上国产氮化镓芯片优势
氮化镓是氮和镓化合物；作为一种全新的半导体材料它具有热导率高、耐高温、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期开发中氮化镓材料被应用于发光二极管、灯具，新能源等等方面。 氮化镓材料是研制微电子器件
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65W1C氮化镓PD快充电源650VMTC-MGZ31N65芯片测试报告
现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多；而GaN氮化镓技术的出现，则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善，无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN／氮化镓 －
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四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65
氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景
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IAR Systems 全面支持Renesas RZ／T2 和 RZ／N2 系列 MPU，助力实时控制和工业网络开发
IAR Embedded Workbench® 的创新工具助力加快下一代工厂自动化应用的开发，满足高性能电机控制所必需的实时性能、工业网络和功能安全等要求。瑞典乌普萨拉 － 2022
MPU 2022-09-14 -
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新建31座晶圆厂，自给率到25.6%？美国担心了
近日，国际半导体产业协会（SEMI）发布了一份数据，表示到2024年底，将建立31座晶圆厂，并且这31座晶圆厂，全部是成熟制程。所以SEMI表示，考虑到当前成熟制程的市场需求在下滑，一旦随着大陆的这些晶圆厂投产，未来只怕成熟制程会是供过于求
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经典焕新升级，IT－N6900再起新征程——ITECH“N”系升级款新品IT－N6900大揭秘！
近日，ITECH新品发布会隆重召开，除了一直备受业界关注的IT7900P系列、IT8200系列交流测试解决方案正式发布以外，还有一款“N”系升级款新品揭开了神秘面纱。作为经典直流电源IT6900A系列
ITECH 2022-08-02 -
飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术
Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。加州戈利塔 －－ （新闻稿）－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换
Transphorm 2022-08-02 -
重磅！2022年中国及31省市功率半导体行业政策汇总及解读（全）“攻坚克难”是主旋律
行业主要上市公司：国内功率半导体行业上市公司主要有新洁能（605111）、华润微（688396）、闻泰科技（600745）、士兰微（600460）和斯达半导（603290）等。本文核心内容：政策汇总、
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台积电呼吁：赶紧升级到28nm芯片，别再用65/40nm工艺了
按照台积电的数据，2021年，台积电的所有营收中，28nm以上的成熟工艺占比仅为25％左右，剩余的75％均是28nm及以下的工艺贡献的。如下图所示，5nm贡献了19％，7nm贡献了31％，仅这两种最先进的工艺就贡献了50％，另外16nm贡献了14％，28nm贡献了11％
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重磅！2022年中国及31省市半导体行业政策汇总及解读（全）
半导体产业主要上市公司：华润微（688396）、三安光电（600703）、士兰微（600460）、闻泰科技（600745）、新洁能（605111）、露笑科技（002617）、斯达半导（603290）等
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美国扶持印度，建65nm芯片厂，能抢中国企业的市场么？
众所周知，自从2020年底开始全球大缺芯之后，全球众多的国家和地区，就开始在大规模的进行芯片扶持计划，想要建立大量的晶圆厂出来。比如欧盟、美国、日本、韩国、中国大陆等均是如此，计划要投入巨额资金，来扶持芯片产业，特别是芯片制造产业
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Littelfuse Pxxx0S3N SIDACtors采用紧凑封装,可提供高浪涌电流过压保护
专为工厂自动化、储能系统(ESS)、电动汽车(EV)壁式充电器等工业应用而设计中国北京,2022年4月19日讯 – 致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse
紧凑封装 2022-04-19 -
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源
东芝 2022-04-02 -
8大芯片巨头断供，只能生产65nm，俄罗斯芯片真挺不住
最近因为俄乌冲突，大家对于俄罗斯有了更多的了解，特别是芯片产业方面。目前俄罗斯自己能够生产的芯片，工艺还处于65nm，俄罗斯95％＋以上的芯片都要靠进口的，基本上就没有自给能力。而因为俄乌冲突，目前全球8大芯片巨头，已经停止了对俄罗斯的供应
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