日本NAND
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400层NAND：完成开发，准备量产
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 除了400层NAND，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。 三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上
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突破性进展！三星400层NAND闪存开发完成：最快2025年二季度末量产
快科技12月9日消息，据媒体报道，三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。 这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士
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日本开始全面加码芯片投资，重振旗鼓是否能成功？
芝能智芯出品 半导体作为现代科技和国家安全的基石，正吸引全球主要经济体的战略关注。 日本近年来对芯片行业的巨额投资，尤其是对“日本半导体国家队”Rapidus的大力支持，标志着其重新崛起为全球半导体强国的决心
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三星大幅削减3D NAND生产中的光刻胶使用量
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 三星降本，供应商发愁。 三星电子在其最新的 3D NAND 闪存光刻工艺中减少了厚光刻胶（PR）的使用，让成本大幅节约。然而，这一举措可能会影响其韩国供应商东进世美肯
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SK海力士突破300层技术大关，正式量产321层堆叠NAND闪存
（本篇文篇章共788字，阅读时间约2分钟） 2024年11月21日，韩国存储器巨头SK海力士宣布，已正式量产全球首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存，标志着存储器行业又一项技术里程碑的诞生
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江波龙自研SLC NAND Flash累计出货突破1亿颗
江波龙充分发挥自身芯片设计能力，持续积极投入存储芯片设计业务，聚焦 SLC NAND Flash 等存储芯片设计。 SLC NAND Flash存储器产品是应用于网络通信设备、安防监控、物联网、便携设备等消费、工业及汽车应用场景的小容量存储器
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日本钻石半导体技术，即将商业化
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自electropages 金刚石可以取代其他高功率半导体器件吗？ 钻石功率半导体凭借其卓越的性能，即将改变从电动汽车到发电站等各个行业。日本在钻石半导体技术方面的重大进步为其商业化铺平了道路，并有望在未来实现这些半导体比硅器件多50
日本钻石半导体技术 2024-11-10 -
日本对大陆芯片管制再升级，是想抓住话语权？
前言： 美国对大陆半导体产业实施了出口限制，日本和荷兰亦步亦趋地跟随。 以往多国联合实施的出口管制主要针对拥有先进芯片制造技术的国家，而今这一管制范围已逐渐扩展至支持先进芯片制造的传统设备和技术领域
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江波龙 2xnm SLC NAND Flash亮相ELEXCON2024深圳电子展，存储技术再攀升
8月27日至29日，江波龙携旗下行业类存储品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳国际电子展，展示其在存储领域的最新技术成果。在此次展会上，江波龙首款2xnm SLC NAND Flash自研
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日本芯片设备公司，盆满钵满
前言： 全球芯片产业供应链在近年来面临调整，一些地区的芯片制造产能扩张，这也带动了对芯片设备的需求。 日本芯片设备公司凭借其技术和产品优势，能够在供应链调整中获得更多订单。 作者 |
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日本八巨头砸300亿美元扩产芯片，欲为何？
前言： 近年来，日本为了推动本国半导体芯片产业的振兴，确实采取了一系列严谨且富有成效的措施，其中包括资金补贴等多元化政策。 这些举措促进了日本半导体企业的投资与成长，同时也有效地加速了日本在全球半导体市场中竞争力的恢复与提升
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日本宣布严格管控半导体和机床等领域：防止技术外漏
快科技5月30日消息，据媒体报道，日本经济产业省近日宣布，将在半导体、先进电子零部件、蓄电池、机床及工业机器人、飞机零部件等五大关键产业领域实施更为严格的监管措施，以遏制技术外泄风险。 依据2022年颁布的《经济安全保障推进法》，日本经济产业省正着手修改并推行与这五大领域相关的补贴政策公告
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台积电示好日本芯片，抱紧美国大腿，这是彻底表明态度了
台积电日前表示将全力支持日本芯片，希望帮助日本芯片再次强大，这意味着它将大力拓展日本市场，借着帮助日本芯片崛起而获得新的收入，此前它已诸多动作抱紧美国大腿，可以看出台积电日益倾向西方。 台积电支
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为中国半导体点灯的半导体“教父”离世：一个值得尊敬的日本人
曾任世界三大芯片巨头之一、日本存储器大厂尔必达的社长，执掌日本芯片半壁江山，却在晚年被眼红日本半导体成就的美韩联合围剿的“日本半导体教父”板本幸雄，被证实在2024年2月14日因身体不适与世长辞，享年77岁
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地震，日本半导体连遭重创
2024开年第一天，日本中北部地区发生7.4级地震，震中位于石川县能登地区，灾情主要发生在石川县、新潟县和富士县。此次地震，对日本半导体产业造成了一定影响。 日本半导体产业主要集中在九州，本州的关东、东北地区，北海道仅有Rapidus一家企业
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日本强震，硅晶圆、MLCC及多间半导体厂停工检查，预估影响可控
（本篇文篇章共742字，阅读时间约1分钟） 2024年1月2日，日本石川县能登地区发生强震，引起了全球半导体产业的关注。根据TrendForce的调查，该地区内包含了多家半导体厂
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台积电第一家日本工厂即将开张：最先进的28nm工艺
快科技1月2日消息，台积电宣布，位于日本的第一家晶圆厂将于2月24日正式开张，下半年正式投产。 台积电日本晶圆厂位于熊本县附近，将生产N28 28nm级工艺芯片，这是日本目前最先进的半导体工艺。 22ULP工艺也会在这里生产，但注意它不是22nm，而是28nm的一个变种，专用于超低功耗设备
台积电 2024-01-02 -
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日本东芝今日退市，背后象征着日本制造业的陨落？
据《朝日新闻》当地时间20日报道，日本制造业曾经的象征之一，对日本乃至全球的电子产业发展做出了重要贡献，包括发明了NAND闪存芯片的巨头东芝，宣布将于当天从东京证券交易所退市，结束其自1949年以来74年的上市企业历史
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日本因何重仓功率半导体？
前言： 尽管日本在功率半导体领域中的地位仍然具有举足轻重的地位，但其固守传统模式的功率半导体产业，似乎正面临着市场和行业变迁所带来的挑战，导致其优势逐渐消失。 在市场巨变的背景下，日本企业能否继续保持影响力将受到考验
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日本宣布全新光刻机！精度小于2.1纳米、价格便宜30％
尼康宣布，将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”，生产效率、套刻精度都会有进一步提升。 据悉，尼康这款曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不超过2.1纳米
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进入14nm工艺，国产光刻胶大突破，减少对日本的依赖
目前的芯片制造工艺，均是光刻工艺，即通过光学--化学反应原理，将电路图传递到硅晶圆上，形成有效的电路图形。 而光刻工艺过程中，除了光刻机这种设备之外，还有一种化学材料必不可少，那就是光刻胶，它是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量
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NAND闪存市场，开始洗牌
最近，铠侠和西部数据的合并已经传来消息，或将于本月达成合并协议。 当初，业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的，毕竟铠侠在NAND领域世界排名第二、西部数据排在第四，这两大巨头的合并可以震动存储市场
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刚刚，两家日本芯片分销商合并了
10月16日，正在进行业务整合的两家日本芯片分销公司 Ryoyo Electro（菱洋电子）和 Ryosan 宣布，将于2024年4月1日成立联合控股公司 Ryosan Ryoyo Holdings (HD)
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连续3个月下跌，日本芯片出口创四年新低，荷兰已向中国低头
据日本方面公布的数据，日本的芯片设备销售额连续3个月下跌，跌穿了30000亿日元的关口，创下了近4年来的新低，导致如此结果就是因为它限制了自家芯片设备对中国的出口所致。 业界都清
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日本又一百年巨头落幕
作者 | 归去来 编辑 | 唐飞 “Toshiba，Toshiba，新时代的东芝！”，20世纪80年代，这句广告语一度风靡大江南北。 自1875年开创至今的东芝，曾是日本工业制造的一张名片
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光刻胶国产率不足5%，为何不能买日本的光刻胶，分析复制？
众所周知，目前芯片制造的工艺是光刻法，而光刻法之下，光刻胶是非常重要的材料。因为所有的硅晶圆片上，都要涂上光刻胶，才能进行光刻，没有光刻胶，一切都是空谈。 光刻胶目前对应芯片工艺，也分为g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种
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EUV光刻的三大核心技术，日本掌握2项，荷兰掌握1项
众所周知，目前芯片技术在2020年进入5nm后，今年已经正式全面从5nm进入了3nm，三星、台积电这两大巨头，已经实现了3nm芯片的量产，而苹果更是依托台积电，推出了3nm手机芯片A17 Pro。
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日本东芝成功私有化：74年上市历史即将走完行程
在历经一年的要约收购和股东投票后，日本东芝公司于9月21日成功私有化，标志着这家具有148年历史和74年上市历史的百年企业即将走完资本市场这一阶段。 据悉，此次私有化要约由日本产业合作伙伴（Ja
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危机四伏的日本半导体设备
聚光灯开始照射到曾是日本衰落产业代表的半导体领域。“日本半导体产业将复兴”的舆论日益盛行。不过，我（汤之上隆）并不认同这种舆论，认为它会“复兴”的想法本身就是错误的（图1）
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ASML已经低头，暴跌八成的日本尼康后悔莫及，彻底失去中国市场
日前日本的重要光刻机企业之一的尼康公布业绩显示净利润暴跌八成，这是日本在今年二季度宣布将跟随美国的脚步停止对中国供应23种芯片设备和材料导致的后果，然而它的主要竞争对手ASML已宣布获得许可将为中国供应可用于7纳米的2000i光刻机，面对如此境况，尼康或许后悔得肠子都青了
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3D NAND还是卷到了300层
近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。 同样在8月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产
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