进入14nm工艺,国产光刻胶大突破,减少对日本的依赖
目前的芯片制造工艺,均是光刻工艺,即通过光学--化学反应原理,将电路图传递到硅晶圆上,形成有效的电路图形。
而光刻工艺过程中,除了光刻机这种设备之外,还有一种化学材料必不可少,那就是光刻胶,它是光刻工艺中最核心的耗材,其性能决定着光刻质量。
大家都清楚,目前光刻机领域,日本处于垄断地位,拿下了全球80%以上的份额,特别是在高端光刻胶领域,更是垄断着市场,比如EUV光刻胶,全球仅日本厂商能够制造。
这对于中国芯而言,肯定是无法接受的事情,因为供应链被日本垄断,就有着断供的风险,所以这些年,中国光刻胶虽然一直以中低档产品为主,但高端领域正在逐步突破过程中,国产替代正在持续进行。
从具体的分类来看,光刻胶分为半导体光刻胶、LED光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶。其中半导体光刻机难度最高。
而半导体光刻胶按照工艺的先进性,又分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、I/G线光刻胶,这些光刻胶与光刻机又是一一对应,比如EUV光刻胶用于EUV光刻机,ArF光刻胶用于ArF光刻机。
由于国产光刻胶本来就起步晚,之前国产光刻胶,最多达到干式的ArF阶段,也就是干式ArF光刻机能够使用的光刻胶,从对应的芯片工艺来看,最高就是65nm左右。
不过近日,有国产厂商徐州博康表示,他们的2款湿法光刻胶,正在产品验证导入阶段,最高可以实现14纳米节点。
另外他们的I线光刻胶有15款产品,KrF光刻胶有30款产品,ArF光刻胶有26款产品,足以对日本的众多光刻胶进行国产替代。
事实上,研发光刻胶真的不容易,因为光刻胶是一些化学材料合成到一起的,研发过程就是是一个不断进行配方调试的过程。
而配方则是成百上千的树脂、光酸和添加剂的排列组合,要不断的尝试、验证,调整,最后才成研制出来,更重要的是,研发光刻胶,也不能买现成的来反向分析构成,因为一些材料混合一起后,成本会发生变化,分析不出来的。
同时材料的提纯等,也考验厂商的能力,就算你知道某些材料的构成,但如果提纯能力达不到,也是研制不出来成熟的光刻胶。
中国是全球第一大芯片市场,这几年芯片产能不断增长,更是制定了实现70%自给率的目标,所以对光刻胶的需求也是越来越大,同时随着工艺推进,对高端光刻胶的需求也大增。
所以国产光刻胶厂商,还得继续努力,完善产业链,加快供应链本土化,为光刻胶国产化贡献力量,早点进入7nm,甚至5nm、3nm,真正解决后顾之忧。
原文标题 : 进入14nm工艺,国产光刻胶大突破,减少对日本的依赖
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