氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电力电子未来选择

2015-10-17 00:40

　　当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带（WBG）半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中最先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出，电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。

　　n型碳化硅SiC晶片到2020年将以21%的CAGR成长至1.1亿美元

　　由碳化硅电力设备市场驱动，n型碳化硅基板市场预计到2020年将以21%的复合年增长率（CAGR）从2014年的0.35亿美元成长至1.1亿美元。

上图为2020年n型碳化硅基板市场规模（单位：百万美元），左下角显示的是碳化硅晶片市场规模

　　市场首选的电力电子应用产品中使用的仍然是4英寸晶圆。然而，许多的供应商可以提供高质的6英寸晶圆，用于电力设备中。8英寸碳化硅晶圆由族化合物（II-VI Inc）公司于2015年年中展示。

　　据悉，6英寸晶圆的平均价格是4英寸晶圆平均价格的2.25倍，6英寸晶圆的价格在2015年年底和2016年年初将会下滑并低于阀值。当然，实现向6英寸晶圆的转换其实只是一个开始。碳化硅器件制造商Rohm刚刚宣布2015年第三季度已经开始实现6英寸晶圆的批量生产。

　　据Yole称，n型碳化硅SiC基板市场的领先企业排名已经趋于稳定。科锐仍然是市场领导者，道康宁、SiCrystal以及族化合物公司紧随其后。目前有四家中国碳化硅供应商，他们当前宣布的晶片年产能为15万片，预计未来还会有所增长。与此同时，Yole预计像年初北京展示n型6英寸晶片的TankeBlue半导体等中国企业将成为市场挑战的强劲对手。

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