氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电力电子未来选择

2015-10-17 00:40

　　硅基氮化镓晶片开放市场群雄角逐，谁将笑到最后？

　　Yole指出，硅基氮化镓（GaN-on-silicon）技术是极富挑战的，因为氮化镓GaN和硅之间的大晶格常数和热膨胀系数（CTE）不匹配。硅基氮化镓的主要问题已经得到解决，许多公司开始实现基于此技术的电力设备的商用。受到设备市场潜力的吸引，不同商家在硅基氮化镓晶片开放市场开始活跃，并思考向其他的设备企业销售其晶片，这些企业包括：

　　硅基板供应商纷纷想要爬到价值链顶端，如Siltronic等；

　　处在价值链的底端的Episil等设备晶圆代工厂；

　　一些LED芯片供应商，如中国的三安光电；

　　大的外延片工厂，如IQE；

　　Epigan和其他的纯氮化镓外延片工厂。

　　氮化镓GaN晶片生产现状大放送

　　Yole提到，几乎所有的商业化氮化镓是通过氢化物气相外延法（HVPE）生产的，主要应用在光电应用领域。然而，HVPE氮化镓基板超高的错位密度会限制电力开关的使用。

　　氨热增长预计随着日本三菱化学和美国LED厂商Soraa研制的新的酸性氨热方法的出现而更具竞争力。电力电子设备Na-flux LPE的增长前途一片光明，市场研究公司补充说。

　　氮化镓晶片巨大市场由日本公司主导，住友电气（Sumitomo Electric）、三菱化工（Mitsubishi Chemical）和日立金属（Hitachi Metals）引领HVPE生产。三菱化工正积极研制氨热增长，而NGK研制Na-flux增长。除日本以外的其他国家目前尚处在小批量生产和研发阶段，其中大多数的企业正在研发面向LED市场的HVPE方法。如果电力电子应用市场采取氮化镓基板（GaN-on-GaN）技术，日本企业将独占鳌头。（编译：Silvia）

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