芯片级深度解读：IBM、3M合攻3D芯片市场

2011-10-14 15:35

　　IBM研究副总裁Bernard Meyerson表示：“如果仅单独依靠材料、芯片架构、网络、软件或集成中的一项，将不可能在3D IC领域获胜，我们必须将所有这些资源尽可能的利用起来。”

　　上个月，IBM宣布与3M合作开发一种粘接材料，解决3D IC的最后一个障碍：过热。3M将开发一种粘接材料，这种材料可以实现芯片密集叠放，导热性要比硅好，而且是电绝缘体。3M表示将在两年内使这种神奇的材料投入商用。

　　3M电子市场材料部技术总监程明（Ming Cheng）表示：“目前我们正在反复试验，希望在2013年前研发出适合商用的材料配方。”

　　一些分析师们表示不太相信IBM和3M的合作一定会引领他们到达3D IC领域的前端。

　　MEMS Investor Journal先进封装技术首席分析师Françoise von Trapp表示：“3M正在研发一种粘接材料，解决3D芯片堆叠的散热问题。这的确是3D IC实现量产前必须解决的问题之一，但我不认为这是解决所有遗留问题的最后关键。”

　　3D无处不在

　　IBM在3D IC领域的领先地位也并不是没有挑战的。Tezzaron Semiconductor公司多年来一直为其钨TSV工艺提供3D IC设计服务。Tezzaron的FaStack工艺能够用于生产厚度仅为12微米的3D芯片。

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