芯片级深度解读：IBM、3M合攻3D芯片市场
2011-10-14 15:35
来源：
OFweek电子工程网
【OFweek电子工程网原创】：经历了近十年的半导体工程研究之后，3D集成电路有望于明年开始实现商业化。
过去几年，芯片制造商一直在改进可实现3D芯片互联的硅通孔技术（TSV）。现在TSV技术已经发展到可完成2D任务，比如将数据从平板芯片的正面传送到反面凸点，3D IC时代即将到来。
在去年冬天举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，三星展示了其大力宣传的1Gb 移动DRAM。三星的2.5D技术使得DRAM晶圆叠层与TSV以及系统级封装上的微凸点紧密结合。
除此之外，赛灵思公司打算在今年秋推出一个multi-FPGA解决方案，采用一种封装工艺技术将四个并行的Virtex-7 FPGA通过硅转接板上的微凸点互相连接起来。台积电生产的硅转接板可通过TSV技术重新分配FPGA芯片的互联。台积电表示将于明年为其他代工厂客户提供可实现2.5D到3D过渡的技术。
IBM最近透露公司正大量生产用于大容量移动设备中的发展成熟的3D IC，使用的是低密度TSV。IBM声称已经找到了影响3D IC发展的其它工程障碍，并期望能在2012年前全部克服。
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