芯片级深度解读:IBM、3M合攻3D芯片市场
2011-10-14 15:35
来源:
OFweek电子工程网
【OFweek电子工程网原创】:经历了近十年的半导体工程研究之后,3D集成电路有望于明年开始实现商业化。
过去几年,芯片制造商一直在改进可实现3D芯片互联的硅通孔技术(TSV)。现在TSV技术已经发展到可完成2D任务,比如将数据从平板芯片的正面传送到反面凸点,3D IC时代即将到来。
在去年冬天举行的国际固态电路会议(ISSCC)上,三星展示了其大力宣传的1Gb 移动DRAM。三星的2.5D技术使得DRAM晶圆叠层与TSV以及系统级封装上的微凸点紧密结合。
除此之外,赛灵思公司打算在今年秋推出一个multi-FPGA解决方案,采用一种封装工艺技术将四个并行的Virtex-7 FPGA通过硅转接板上的微凸点互相连接起来。台积电生产的硅转接板可通过TSV技术重新分配FPGA芯片的互联。台积电表示将于明年为其他代工厂客户提供可实现2.5D到3D过渡的技术。
IBM最近透露公司正大量生产用于大容量移动设备中的发展成熟的3D IC,使用的是低密度TSV。IBM声称已经找到了影响3D IC发展的其它工程障碍,并期望能在2012年前全部克服。
声明:
本网站所刊载信息,不代表OFweek观点。刊用本站稿件,务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像,违者将依法追究法律责任。
图片新闻
最新活动更多
-
4月30日免费下载 >> SPM31智能功率模块助力降低供暖和制冷能耗,打造可持续未来!
-
4月30日限时免费下载>> 高动态范围(eHDR)成像设计指南
-
5月10日立即下载>> 【是德科技】精选《汽车 SerDes 发射机测试》白皮书
-
5月16日火热报名>>> OFweek锂电/半导体行业数字化转型在线研讨会
-
5月22日立即报名>>> OFweek 2024新周期显示技术趋势研讨会
-
5月28日立即观看>> 【在线研讨会】Ansys镜头点胶可靠性技术及方案
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论