英特尔推出10nm制程工艺 “剑指”三星和台积电
OFweek电子工程网讯 2017年9月19日，英特尔正式推出10nm制程工艺，并计划在今年下半年开始投入生产。在“Intel精尖制造大会”上，英特尔公司执行副总裁，运营与销售集团总裁Stacy J·Smith展示了10nm制程工艺的硅晶圆并表示，英特尔10nm晶体管密度是其竞争对手10nm的两倍。
Intel精尖制造大会
作为英特尔的老对手，台积电与三星在硅晶圆制程工艺技术的研发步伐也不逞多让。目前已然稳定10nm制程工艺，开始布局7nm工艺。
三星布局7nm工艺 台积电不甘落后
由于处理器与存储器芯片的需求不断增长，三星也开始布局规划，并将公司负责SOC业务的团队单独整合起来。同时，三星还增加了不少合作伙伴，拓展了市场领域，如物联网、可穿戴设备以及智能汽车等技术，都将是未来其发展方向。
三星电子表示，“10nm FinFET技术已经非常稳定，未来将发力7nm技术的研发。”但业内也传出其10nm工艺生产过程中遭遇到良率问题，并高通多款芯片不得不返回14nm。鉴于10nm工艺的前车之鉴，未来7nm的产品良率，也不免让人捏了一把汗啊！
而与三星在高通10nm订单争夺中，台积电虽然不幸败北，但在芯片制程上从而停下脚步。预计到2018年，台积电7nm芯片将会正式上市，2020年量产5nm。
摩尔定律依旧存在
英特尔一直奉行“摩尔定律”，自去年以来市场开始怀疑摩尔定律名存实亡，而在此次Intel精尖制造大会上，英特尔10nm工艺的推出，再次向全世界宣布，摩尔定律一直存在着。
英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监 Mark Bohr表示，“目前7nm工艺与5nm工艺都在研发中，未来摩尔定律将会继续推进整个行业以及英特尔的发展，这并不仅仅是技术的革新，我们的生产以及制程工艺也会不断进步与发展。”
在此次大会上，英特尔也列出10nm制程工艺具体数据，虽然英特尔10nm技术推出较晚，但是在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度以及逻辑晶体管密度等方面完全秒杀三星与台积电的10nm工艺。
10nm具体工艺数据对比如下
10纳米数据对比情况表（来源于互联网）
看完这个数据，台积电与三星也是压力倍增，毕竟英特尔的10nm工艺的数据摆在这里，不想承认都没办法。如果明年年末7nm工艺都未能推出的话，那么英特尔有望再次夺回头把交椅。目前，7nm对于三星和台积电至关重要。
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