1970年，汉米尔顿公司推出的“普尔萨”是世界上第一只数字手表。

　　1971年，Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），包含2000多只晶体管，采用Intel10μmPMOS技术生产，标志着大规模集成电路出现。

　　1972年，我国自主研制的大规模集成电路在四川永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。

　　1974年，RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802

　　1975年，上海无线电十四厂成功开发出当时属国内最高水平的1024位移位存储器，集成度达8820个元器件，达到国外同期水平。

　　1976年16kbDRAM和4kbSRAM问世。

　　1978年，64kbDRAM诞生，在不足0.5cm2的硅片上集成了14万只晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临。

　　1979年Intel推出5MHz8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC。

　　1981年256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世。

　　1984年无锡华晶从日本东芝公司全面引进了3英寸/5微米的彩电芯片生产线。

　　1987年台积电建立，成为全球第一家纯粹的晶圆代工厂，促进了无晶圆半导体产业的繁荣，也宣告着半导体制造业开始从西方向东方迁移。该年大智、硅统、扬智、瑞昱、诠华、华展、群立、普腾等IC设计公司成立。

　　1988年，16MDRAM问世，1cm2大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着集成电路进入特大规模集成（ULSI）时代。

　　1988年9月上海贝岭成为国内微电子行业第一家中外合资企业，并建成了国内第一条4英寸/3微米的数字程控交换机芯片生产线。

　　1989年486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺。

　　1990年三星推出16MbDRAM。

　　1991年华邦成功开发首颗64KSRAM。

　　1992年64M位随机存储器问世。英特尔开始采用8英寸晶圆。三星成为全球最大的DRAM厂商。台湾地区各半导体厂陆续进入0.6微米制程。

　　1993年66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺。三星建立第一个8英寸晶圆厂，同年成为全球最大的存储器厂商。IBM和摩托罗拉推出首个用于PC的RISC芯片。

　　1994年三星推出全球第一块256Mb的DRAM。联电、华邦开发完成0．5微米制程。

　　1995年NEC开发出全球第一块1GbDRAM。

　　1995年英特尔分别发布Pentium120MHz/Pentium133MHz/Pentium150MHz/Pentium166MHz/Pentium180MHz/Pentium200MHz处理器，工艺技术上升到0.35微米。

　　1996年三星推出1GbDRAM。同时，三星在美奥斯汀建厂。

　　1997年，Intel公司300MHz奔腾Ⅱ微处理器问世，采用0.25μm工艺。集成电路进入深亚微米时代。

　　1997年成立上海华虹NEC电子有限公司并于1998年建成我国第一条8英寸生产线。

　　1998年三星宣布推出首块128M闪存。

　　1999年2月：Intel发布了奔腾III处理器，含有950万只晶体管，采用Intel0.25μm技术生产。

　　1999年三星发布第一块1G闪存原型。

　　1999年中芯国际落户上海，2000年中芯国际的两条8英寸生产线同时建成投产。