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集成电路简史(2017年版),从历史中看我国到底落后几年?

2017-12-23 09:21
来源: 与非网

  2000年台积电成立第一座12寸晶圆厂。

  2000年Intel发布了0.13微米工艺制造的Tualatin核心PentiumIII-S处理器。

  2001年三星512MbNAND闪存进人量产,推出数字音频SoC。

  2002年Intel采用12英寸晶圆并引人90nm工艺。英特尔发布Pentium43.06GHz处理器,采用了0.13微米工艺技术。该年中芯国际开始批量生产0.18微米、8英寸芯片产品。

  2003年三星推出第一款4GbNAND闪存。

  2003年9月24日,AMDAthlon64处理器正式推出,Athlon64的发布才真正的宣告了个人64位计算时代的到来。

  2004年德州仪器宣布单芯片手机,并发布65nm工艺。

  2004年6月Intel推出了采用Prescott核心的Pentium4处理器,采用了并不成熟的0.09微米工艺,导致晶体管在高频率下电流泄漏严重,反而是功耗和发热量提高了不少。

  2005年中星微电子在美国纳斯达克上市,成为第一家在美国上市的中国IC设计公司,随着珠海炬力也成功上市。

  2006年8月,三星公司采用40nm工艺制造出32GbNAND型闪存,集成了328亿个存储器元胞。

  2006年三星、IBM和特许半导体共同为高通生产出第一片90nm处理器。三星推出基于32Mb闪存的固态硬盘SSD,使闪存在PC中逐渐替代硬盘成为趋势。

  2006年,Intel终于放弃了Netburst架构,推出了Core2微架构再一次震动了业界。首款Core2Duo处理器拥有1.67亿个晶体管,基于的是65nm工艺,拥有4ML2缓存,前端总线频率为1,066MHz。

  2007年三星发布50nm16GbNAND闪存,可用于SSD。同时其60nmDRAM进入规模量产。

  2007年上半年,IBM宣布了采用45nmSOI工艺的高性能ASIC,采用10层金属布线,典型门延迟为3.8ps~9.9ps,电路密度1480千门·mm-2,功耗为3.2/2.6nW/MHz/门,电源电压VDD仅为1.0V/0.9V。

  2010年3月16日,英特尔公司正式推出了酷睿i7处理器至尊版IntelCorei7980x处理器。采用领先业界的32nm制作工艺

  2011年3月,Intel发布了使用32nm工艺全新桌面级和移动端处理器,其采用了i3、i5和i7的产品分级架构。

  2011年台积电宣布28nm制程工艺正式迈入量产阶段,成为芯片代工行业首个量产28nm产品的厂商。

  2012年:英特尔发布22纳米工艺和第三代处理器。

  2014年底,三星宣布了世界首个14nmFinFET3D晶体管进入量产,标志着半导体晶体管进入3D时代。

  2014年中国国家集成电路产业投资基金(大基金)设立。

  2015的到来,Intel14nm处理器终于迎来了第一轮的爆发,第五代Core系列处理器正式登场。

  2015年台积电宣布已经正式开始量产16nmFinFET工艺产品。

  2015年中芯国际宣布28纳米产品实现量产。

  2016年三星宣布10nm工艺在移动处理器上的全球率先量产。

  2017年台积电解决10nm工艺生产良率的问题,量产苹果A11芯片。

  2017年9月Intel在“Intel精尖制造日”上首次向全球展示了其10nm晶圆,并表示:“老虎不发威,当我是病猫吗?”

  集成电路产业可谓是战略性、基础性和先导性产业,是发展数字经济的重要支撑,在信息技术领域的核心地位十分突出。当前,世界各国特别是发达国家争相抢占集成电路产业的战略制高点。

  习近平总书记多次强调指出:“核心技术受制于人是我们最大的隐患。一个互联网企业即便规模再大、市值再高,如果核心元器件严重依赖外国,供应链的‘命门’掌握在别人手里,那就好比在别人的墙基上砌房子,再大再漂亮也可能经不起风雨,甚至会不堪一击。”

  最后引用丁文武的一句话作为结尾:“2014年成立集成电路大基金以来,我国斥巨资打造芯片强国,这条路越走越顺,理想也越来越接近。我们有理由坚信,中国在自主芯片产业领域的雄心壮志终将实现。”


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