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抢占异构计算技术高点,3D封装格局呈三足鼎立

2019-09-02 09:17
Ai芯天下
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近日,全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工艺,成功流片了基于ARM架构的高性能3D封装芯片。这意味着格芯亦投身于3D封装领域,将与英特尔、台积电等公司一道竞争异构计算时代的技术主动权。

技术丨抢占异构计算技术高点,3D封装格局呈三足鼎立

格芯转战3D封装领域

格芯新开发出基于ARM架构的3D封装芯片,是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造,采用3D的ARM网状互连技术,允许资料更直接的传输到其他内核,极大化的降低延迟性。而这样的架构,这可以降低资料中心、边缘运算以及高端消费者应用程式的延迟,并且提升数据的传输速度。(AI芯天下)

格芯新开发出基于ARM架构的3D封装芯片,可以进一步在每平方公厘上达成多达100万个3D的连接,使其具有高度可扩展性,并有望延展12纳米制成的寿命。另外,3D封装解决方案(F2F)不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器整合的途径,而且可以使用最佳生产节点制造,以达成更低的延迟、更高的频宽,更小芯片尺寸的目标。

格芯表示,因为当前的12纳米制程成熟稳定,因此目前在3D空间上开发芯片更加容易,而不必担心新一代7纳米制程所可能带来的问题。然而,台积电、三星和英特尔能够在比格芯小得多的节点上开发3D芯片,而且也已经相关的报告。而何时推出,就只是时间上的问题。届时,格芯是否能以较低廉的价格优势,进一步与其他晶圆生产厂商竞争,就有待后续的观察。

3D封装火热 台积电和英特尔各领风骚

同为半导体巨头的台积电、英特尔在3D封装上投入更早,投入的精力也更大。

技术丨抢占异构计算技术高点,3D封装格局呈三足鼎立

①推进摩尔定律台积电力推SoIC 3D封装技术

台积电首度对外界公布创新的系统整合单芯片(SoIC)多芯片3D堆叠技术,是在2018年4月的美国加州圣塔克拉拉(Santa Clara)第二十四届年度技术研讨会上。

根据台积电在第二十四届年度技术研讨会中的说明,SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术,是一种晶圆对晶圆(Wafer-on-wafer)的键合(Bonding)技术,这是一种3D IC制程技术,可以让台积电具备直接为客户生产3D IC的能力。

技术丨抢占异构计算技术高点,3D封装格局呈三足鼎立

让外界大感惊艳的是,SoIC技术是采用硅穿孔(TSV)技术,可以达到无凸起的键合结构,可以把很多不同性质的临近芯片整合在一起,而且当中最关键、最神秘之处,就在于接合的材料,号称是价值高达十亿美元的机密材料,因此能直接透过微小的孔隙沟通多层的芯片,达成在相同的体积增加多倍以上的性能,简言之,可以持续维持摩尔定律的优势。

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