氮化镓（GaN）是否会成为下一个市场追逐的风口？
快充产品领域：GaN材料应用范围广泛，最为人熟知的就是在快充产品领域。最初快充出现的时候还并不被大伙所看好，总感觉这么短时间内充满一块电池，担心电池爆炸。随着快充逐渐升级为超级快充，充电时间越来越短，对于电池安全的隐忧虽然没有彻底放下，但人们也越来越愿意接受。
（资料源自OFweek、东吴证券研究所）
新型的GaN快充与传统快充相比，由于GaN的材料特性能提供更高的能量转化效率，降低了功耗，减小了充电时的发热问题；GaN充电器拥有更大的功率密度，能够实现更快的充电速度；此外，GaN充电器功率器件的开关频率显著高于传统快充中的Si功率器件，因此可以实现体积更小的充电器产品设计。
5G射频领域：随着5G技术的爆发，相关产业对射频功率、功耗的要求进一步提升，GaN将逐渐取代Si材料。在相控阵雷达、电子对抗战、精确制导等军事化场景中，GaN的运用也越来越广泛。
市场研究和战略咨询公司Yole曾经表示，2018年GaN射频器件市场规模达到4．57亿美元，未来5年复合增长率超过23％。在整个射频应用市场，GaN器件的市场份额将逐渐提高。长期来看，在宏基站和回传领域，凭借高频高功率的性能优势，GaN将逐渐取代LDMOS和GaAs从而占据主导位。
电动汽车、光伏等功率半导体领域：目前电动汽车、光伏、智能电网等领域使用的IGBT是硅基材料，如果未来氮化镓技术取得突破，从而渗透进IGBT半导体领域，那么将进一步打开氮化镓市场的天花板。
照明领域：半导体照明是目前国内外非常受人瞩目的一种新型的高效、节能和环保光源，它将取代大部分传统光源，又被称为21世纪的能源革命．GaN能和NIn、NAl相互掺杂改变III族元素的比例，从而能使其发光波长覆盖从红光到紫外光的范围，由此达到更高效率、高亮度的光源方面的应用。
还存在哪些缺点？
虽然GaN相比于Si等材料更节能、更快，具备更好的恢复特性，但是仍然谈不上彻底取代。由于若干原因，GaN并不常用于晶体管中，因为GaN器件通常是耗尽型器件，当栅极 － 源极电压为零时它们会产生导通，这是一个问题。
其次，GaN器件极性太大，难以通过高掺杂来获得较好的金属－半导体的欧姆接触，这是GaN器件制造中的一个难题，现在最好的解决办法就是采用异质结，首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些，然后再采用高掺杂来实现欧姆接触，但这种工艺很复杂。
小结
欧美等国家正在持续加大第三代半导体领域研发支持力度，以GaN、SiC为首的第三代半导体材料被广泛应用，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。
近年来，国内第三代半导体产业稳步发展，但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，第三代半导体产业本土化、高端化的需求依然紧迫。
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