随着消费电子产品、电动车、家用电器等产品更新换代，产品的性能也越来越受重视，尤其是在功率设计方面。如何提升电源转换能效，提高功率密度水平，延长电池续航时间，成为了新一代电子产品面临的最大挑战。

在这样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，或许会成为未来电子产业的“香饽饽”。

蛰伏20年的GaN，却被雷布斯“一不小心”带火

上个月刚结束的小米10发布会上，和小米10一同火起来的，还有小米创始人雷军着重介绍额65W小米GaN充电器。雷军夸其为“实在太方便了！”新品火起来的同时，还引起投资人对于第三代半导体的广泛关注。

了解GaN之前，首先我们要弄清楚关于半导体材料的一些知识。半导体材料发展到现在已经进入了第三代。

第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）等元素的材料，常用在信息技术中的分立器件和集成电路中，电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程等产业中都得到了极为广泛的应用。

第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge－Si、GaAs－GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；以及有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。

第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。在本文中重点介绍的GaN，并不存在于自然界，只能在实验室中制成。

在1998年，美国研制出GaN晶体管，资料显示，GaN在室温下带隙为3．49eV（电子伏特）。一般来说，带隙就是指禁带宽度，是半导体材料的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构。

若禁带宽度Eg＜ 2．3eV，则称为窄禁带半导体，如Ge、Si、GaAs以及InP；若禁带宽度Eg＞2．3eV则称为宽禁带半导体，如SiC、GaN、HSiC、AlN以及ALGaN等。

由于宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

以GaN为例，熔点高达1700℃。有人曾做过实验，在一般高温情况下，GaN不会发生分解反应，只有将其放置于氮气或氦气中且温度超过1000℃时GaN才会慢慢挥发，证明GaN可以在较高的温度下保持其稳定性。这也是为什么GaN能被广泛运用在大功率半导体中的原因。

GaN产业链及应用前景

与SiC产业链类似，GaN产业链可依次分为GaN衬底→GaN外延→器件设计→器件制造。从国内外GaN产业发展来看，美国、日本成为GaN产业发展的佼佼者，中国企业入局者则为数不多。

（资料源自中泰证券研究所）