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英特尔7nm竟然比三星3nm强?

2020年,台积电三星的芯片工艺制程进入了5nm,今年台积电、三星的工艺将进入4nm,明年将进入3nm。

而作为另外一家芯片制造大厂英特尔,确实在芯片制程上落后了,现在还在打磨10nm,连7nm都还没推出来,预计要到明年去了。

尴尬了:英特尔7nm比三星3nm强,英特尔5nm比台积电3nm强

为此,唯工艺节点论英雄的网友,一直在吐槽英特尔。不过近日专业机构Digitimes日前发表的一份研究报告,可能会让这些不断吐槽英特尔的网友,有点小尴尬。

因为大家发现,虽然工艺节点英特尔落后了,但在真正的工艺上,intel其实并没有落后什么,因为:

英特尔的10nm工艺,相当于台积电的7nm工艺,接近三星的5nm工艺。

英特尔的7nm工艺,甚至比三星的3nm还要强,比肩台积电的5nm工艺。

英特尔的5nm工艺,比台积电的3nm还要强,甚至比肩IBM之前公布的2nm工艺。

尴尬了:英特尔7nm比三星3nm强,英特尔5nm比台积电3nm强

那么这个是怎么算出来的,Digitimes是采用业界比较公认的一项参数,也就是晶体管密度算出来的,即每平方毫米的芯片中,晶体管的个数是多少。

我们知道在严谨的芯片工艺中,所谓的芯片工艺提升,是以缩小沟道长度为目标的,芯片工艺其实指源极与漏极间的距离,在10nm前,各芯片厂商都是严格遵守的。

尴尬了:英特尔7nm比三星3nm强,英特尔5nm比台积电3nm强

但后来到了10nm后,工艺提升越来越难,芯片制造厂商们就不再遵守这个规则了,开始玩起了游戏。

在2019年的时候,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森就明确表示过过“现在描述工艺水平的XXnm说法已经不科学了,因为它与晶体管栅极已经不是绝对相关了。制程节点已经变成了一种营销游戏,与科技本身的特性没什么关系了。”

也就是从那时候起,台积电、三星开始玩起了数字游戏,芯片工艺不断提升,但实际晶体管密度,并没有提升多少,只有英特尔,则还基本在遵守这个规则。

尴尬了:英特尔7nm比三星3nm强,英特尔5nm比台积电3nm强

所以也就有了从晶体管密度来看,虽然英特尔工艺落后,但这项参数却并没有落后的原因。

所以以后大家关于芯片工艺节点,其实也不用太认真的,不同公司的工艺节点定义和标准是不一样的,用XXnm来看谁的技术强,谁的技术弱,其实并不太科学啦。

而从这个晶体管密度参数来看,英特尔现在的技术其实与三星差不太多,毕竟明年英特尔7nm量产,相当于三星的3nm,但还是落后于台积电的。

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