半导体制程比拼：英特尔3nm吊打三星台积电

2021-07-15 09:10

近日，Digitimes发布的一份研究报告中，详细分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。

（数据源自Digitimes）

10nm

在10nm节点，三星的晶体管密度只有0．52亿个／mm?，台积电是0．53亿个／mm?，英特尔已经达到了1．06亿个／mm?。英特尔的晶体管密度达到了台积电和三星的两倍左右。

7nm

在7nm节点，三星的晶体管密度是0．95亿个／mm?，台积电是0．97亿个／mm?，而英特尔预计将达到了1．8亿个／mm2。英特尔的晶体管密度依然比台积电和三星高出了80％以上。

5nm

在5nm节点上，三星的晶体管密度提升到了1．27亿个／mm?，台积电则达到了1．73亿个／mm?，英特尔将达到3亿个／mm?。英特尔的晶体管密度比台积电高出了超过73％，达到了三星2．36倍。

3nm

到了3nm节点，台积电的晶体管密度大约是2．9亿个／mm2?，三星只有1．7亿个／mm?，英特尔将达到5．2亿个／mm?。英特尔的晶体管密度比台积电高出了超过79％，达到了三星2倍以上。即便是英特尔的5nm制程，其晶体管密度也达到了三星2nm的1．76倍。

2nm

至于2nm节点，目前没多少数据，IBM之前联合三星等公司发布的2nm工艺密度大约是3．33亿个／mm?，台积电的目标则是4．9亿个／mm?，均低于英特尔3nm的晶体管密度。

虽然以上数据其实不能100％反映各家的工艺技术水平，因为还需要考虑到其他的例如鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、功耗、成本等方面的问题。但就摩尔定律关注的晶体管密度指标来看，在同一制程工艺节点上，英特尔的优势巨大，甚至相比台积电、三星更新一代的制程工艺也同样具有一定的领先优势。

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