国产光刻机,究竟发展到哪一步了?90nm,还是7nm?
众所周知,在芯片制造过程中,光刻机是最重要,也是成本最高的设备之一,同时光刻工艺也是最复杂,难度最大,耗时最长的工艺。
同时,国产光刻机相对于国际领先水平而言,确实也落后很多,于是很多人一直心中有疑问,那就是国产光刻机,究竟发展到哪一步了?今天就和大家谈谈这个问题。
我们通常所说的光刻机,其实有两种。
一种是前道光刻机,用于芯片制造的光刻机,采用曝光工艺,将芯片设计电路图,投射到硅片上。
还有一种是后道光刻机,用于芯片制造完成后的封装用光刻机。
我们先不说前道光刻机,先说说后道光刻机,让大家高兴一下。
在后道光刻机这地块,其实国内技术并不差,上海微电子在后道光刻机领域,拿下了全球37%的市场份额,在国内更是拿下了85%的份额,比ASML厉害多了。
全球的封测企业,很多都从上海微电子这里采购后道光刻机,用于芯片封装。
当然后道光刻机,门槛没有前道光刻机那么高,难度也小一些,所以我们能够有这么厉害。
再说前道光刻机,这一块就是ASML的天下了,ASML一家就占了全球80%以上的份额。
而前道光刻机又分为i线、G线、KrF、ArF、ArFi、EUV这么几种,其中ArF是普通干式光刻机,最高工艺支持到65nm,ArFi则是浸润式光刻机,最高支持工艺是7nm。
EUV是极紫外线光刻机,用于7nm工艺以下。
目前全球只有ASML能够制造EUV光刻机。ArFi光刻机,全球只有ASML和尼康能够制造。
如上图所示,可以明显看到在前道光刻机这一块,4家主流玩家的工艺水平。
ASML处于王者地位,技术最牛,尼康差一些,达到了高端的水准,也就是ArFi。而上海微电子和佳能一样,处于低端领域,还在90nm工艺阶段。
当然,也有网友表示,国内水平不只是90nm,只是还没有公开而已,那这个就见仁见智了,没公开的我们就没法去说了,只能用公开的数据来分析。
由此可见,整个光刻机领域,后道光刻机,我们已经处于领先水平,主要需要突破的是前道光刻机,目前掌握的是ArF技术,下一步是要突破ArFi技术,也就是浸润式技术。
至于什么时候突破,就得看上海微电子的了,期待早突破吧,目前虽然在90nm,但只要一步,突破了ArFi,就能达到7nm,那么美国的封锁,直接就失败了。
原文标题 : 国产光刻机,究竟发展到哪一步了?90nm,还是7nm?
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