现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多；而GaN氮化镓技术的出现，则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善，无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN／氮化镓 － MGZ31N65测试PD－65W1C快充電源－使用MTC－650V Cascode D－GaN报告

本报告内容包括65W1C电气规格、线路图、BOM、主变压器设计参数、线路布局，最后是效能量测及EMI测试结果。

GaN／氮化镓 － MGZ31N65内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用8＊8mm QFN封装，节省面积。

1、650V， 6．5A， RDS （on）（typ．）＝ 250mΩ＠VGS ＝ 8V

2、非常低的QRR

3、减少交叉损失

4、符合RoHS标准和无卤素要求的包装

本电源模组是65W单一C介面，其输出电压由协议IC可以控制5V／3A， 9V／3A， 15V／3A， 20V／3．25A等电压输出，使用QR／DCM反驰式电路架构于输出20V重载时可达93％效率及功率密度可达1．5W／cm3，本系统采用同系列控制单晶片：QR 一 次侧控制IC驱动MTC D－mode GaN FET（MGZ31N65－650V）、二次侧同步整流控制IC及PD3．0协议IC）可达到最佳匹配。

为了符合CISPR22B／EN55022的标準，需设计合适的滤波电路，例如共模电感（LM1／LM2）、X电容（CX1）、Y电容（CY1）、滤波电感（L1）且配合电流最佳回路达到最好的EMI效果，EMI小板设计主要是降低电磁干扰。

USB PD3．0 （协议小板）

协议小板主要是采用协议晶片SC2151A设计，其由受电端发出电压需求给协议IC后，控制主板改变输出电压，本协议必需符合 PD3．0之协议。

本协议晶片支持：

1、支援 DFP ／ UFP ／ DRP USB PD 3．0

2、内键PD 3．0协议

采用GaN／氮化镓 － MTC－65W1C的优势：

★返驰式穀底侦测减少开关损失

★轻载Burst Mode增加效率

★最佳效能可达93％

★空载损耗低于50mW

★控制IC可支持频率高达160 kHz

★系统频率有Jitter降低EMI干扰

★控制IC可直接驱动GaN

★进阶保护功能如下：

（1） VDD过电压及欠电压保护

（2） 导通时最大峰值电流保护

（3） 输出过电压保护

（4） 输出短路保护

 ★可输出65W功率

可应用市场：电源适配器、LED照明驱动器、LCD显示器电源、带充电介面排槽

主要电气规格：（测试温度：环温25°C）

输出电压：

应用电路图：

輻射EMI量測 （CISPR22 Class B／EN55022）：Horizontal／Vertical

目前市面上大部分的氮化镓充电器的充电功率主要集中在65W功率段，而1C1A双USB接口的配置也是符合当前大部分用户的使用习惯，也被称为万金油接口，一个接口充笔电一个充手机。65W氮化镓可以解决包括MacBook Pro等绝大多数办公本的用电需求，1C1A双充电接口可以同时为笔电和手机进行充电，而且均为快充。

由于普遍应用程序的耗电速度加快，使得快充需求越发紧张，在电池能耗难于根本解决的情况下，对于电池充电的效率要求就越大，而目前较为合适的大功率充电器方案，当属GaN氮化镓充电器方案。

氮化镓充电器方案当中又数65w氮化镓充电器1A1C输出pd快充方案的需求更急迫。由工采网代理台湾美禄推出的一款基于GaN氮化镓MGZ31N65能够快速部署65w氮化镓充电器产品，适合做1A1C或者单C输出的65w氮化镓充电器方案。台湾美禄在GaN／氮化镓领域颇有建树，技术以及产品方面已经很完善，如果想了解更多GaN／氮化镓的技术资料，欢迎致电联系：19168597394（微信同号）

       原文标题 : 65W1C氮化镓PD快充电源650VMTC-MGZ31N65芯片测试报告