DRAM内存
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SSD，将超越DRAM！
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自digitimes SSD出货量逆势增长。 据业内人士称，SSD 的销售因规格升级而受到提振，而 DRAM 模块的销售则表现出疲软迹象。他们预测，到 2024 年，SSD 的销量将超过 DRAM 模块
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卷死三星、SK海力士们？国产DDR4内存，比友商低50%
众所周知，存储芯片主要有两种，分别是DRAM、NAND，这两种占所有存储芯片市场的95%以上，另外的一些已经不是主流了。 至于AI芯片上大规模使用的HBM存储，其实也可以归入DRAM之中去。
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DRAM最新价格全线下跌，DDR4跌幅较大
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 延续上周走势，现货市场DDR4、DDR5价格仍呈现全线下跌。 根据TrendForce最新内存现货价格趋势报告，DRAM方面，现货
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英伟达的内存未来：一个GPU上堆叠20个DRAM芯片
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 堆叠更多的DRAM芯片，为GPU芯片带来更多助力。 据Trendforce 报道，内存制造商三星、SK 海力士和美光希望堆叠更多 DRAM 芯片
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新品发布 | 研华新一代CXL 2.0内存，数据中心效率大革新！
2024 年 10 月，研华科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 内存模块。Compute Express Link (CXL)
研华 2024-10-30 -
DRAM现货市场，年底前反弹无望？
存储芯片，尤其是DRAM和NAND闪存的价格持续震荡，正在为众多企业带来运营压力。 根据TrendForce最新内存现货价格趋势报告，DRAM方面，国庆黄金周期间现货市场交易量持续下滑，年底前难有反
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国产内存芯片飚涨，已全球第4了，明年将追上美国美光
众所周知，在2016年前，国产存储芯片的市场份额，几乎就是0，100%需要进口。 后来中国成立了三大存储芯片基地，长江存储主攻NAND闪存，长鑫存储、福建晋华主攻DRAM内存，但后来福建晋华因为各种各样的原因，基本处于停滞状态
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DigiKey宣布与内存和存储解决方案的KingstonTechnology 建立全球合作伙伴关系
全面现货供应、提供快速交付的全球电子元器件和自动化产品分销商 DigiKey 今天宣布与 Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案
DigiKey 2024-07-24 -
HBM内存严重供不应求！存储龙头扩产激战：产能一抢而空
快科技7月12日消息，随着人工智能技术的飞速发展，作为AI芯片的关键技术支持，高频宽存储器（HBM）成为市场上的新宠，导致HBM内存目前面临严重的供不应求局面。 因此存储器行业的领军企业，包括SK海力士、三星和美光，都在积极扩充HBM的产能，以应对这一挑战
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江波龙旗下行业类品牌FORESEE推出LPCAMM2，以高性能内存助力AI落地
在当今快速发展的科技时代，高性能计算和人工智能（AI）已成为推动各行各业进步的关键力量。江波龙日前在CFMS2024上展示了内存新形态——FORESEE LPCAMM2。这一创
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革新内存技术，江波龙发布512GB CXL AIC扩展卡，赋能AI与高性能计算
人工智能大模型计算、高性能计算（HPC）以及数据中心等行业的迅猛发展，对计算机系统内存性能的需求日益提升，业界对具备高带宽、低延迟性能且超大容量的内存需求也愈发迫切，以支持CPU和GPU进行高速、大吞吐量的浮点运算
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台湾省7.3级地震不会让内存涨价！影响不到1％
存储行业正面临新一轮涨价潮，DRAM内存、NAND闪存都跑不了，偏偏在这个时候，半导体重镇台湾省发生了7.3级地震，恐进一步加剧涨价。 不过根据集邦咨询的最新报告，此次地震对DRAM内存产业影响很小，基本不会造成价格波动
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三星打造HBM内存团队，推进Mach-2芯片问世
（本篇文篇章共723字，阅读时间约1分钟） 三星电子近日宣布了一项重要举措，为了加速其在人工智能领域的竞争力，公司内部实施了双轨AI半导体战略，专注于AI用存储芯片和AI算力芯片的发展
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内存厂商重大利好，六巨头大涨221%
前言： 为了把握新兴的生成式AI技术浪潮并推动市场复苏，三星、SK海力士和美光公司正积极调整晶圆产能，以更好地把握HBM（高带宽内存）市场机遇。 同时，从收入角度来看，HBM市场有望在2022年的约27亿美元基础上，增长到2024年的约140亿美元
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8000MHz内存也赢不了AMD！锐龙7 7800X3D VS. i9-14900K大战网游与单机游戏
一、前言：i9-14900K配8000MHz内存能否战胜锐龙7 7800X3D 如今的Intel似乎有些魔怔，为了冲击高频而不顾一切。此前i9-14900K的满载功耗已经高达360W，而即将到来的i9-14900KS据闻峰值功耗已经超过400W，频率也来到了前所未有6.2GHz
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高带宽内存（HBM），谁是成长最快企业？
企业成长能力是随着市场环境的变化，企业资产规模、盈利能力、市场占有率持续增长的能力，反映了企业未来的发展前景。本文为企业价值系列之【成长能力】篇，共选取14家高带宽内存（HBM）企业作为研究样本，并以营收复合增长、扣非净利复合增长、经营净现金流复合增长等为评价指标
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美国判定“国产内存窃密案”受害者福建晋华无罪！美光彻底失败
在美国商务部将福建晋华集成电路有限公司列为对国家安全构成威胁的实体名单五年多后，美国旧金山地区法官Maxine M. Chesney经过非陪审团审判后裁定该公司无罪。 Maxine M. Chesn
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科赋CRAS V RGB DDR5-7600内存评测
一、前言：KLEVV科赋实力推出高频内存 在DDR4年代，芝奇与阿斯加特成功完成逆袭，从原先的落落无名转变为如今受到广大DIY玩家追捧的内存厂商。 最近几年，有一家名为KLEVV科赋的厂商也开始强势崛起
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“国产内存窃密案”大结局！美光、福建晋华全球和解
美国美光科技公司在一份声明中称，已与福建省晋华公司达成全球和解协议，两家公司将在全球范围内各自撤销对对方的起诉，结束双方之间的所有诉讼。 至此，长达6年的所谓“国内产内存窃密案”最终落下帷幕，受此困扰停摆多年的福建晋华，有望重新启程
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DDR5火了！揭开下一代超高速内存的秘密
在最新的存储市场动态中，存储芯片大厂的减产策略显现出其效果，特别是在DDR内存领域。 根据台湾工商时报的最新报道，第四季度的内存芯片合约价格出现了超出预期的上涨。 这一价格变动尤其在DDR5芯片上表现突出，其价格上涨幅度达到了15-20%，而DDR4和DDR3的涨幅分别为10-15%和10%
DDR5 2023-12-07 -
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DRAM掀起新一轮热潮，封装技术发挥关键作用
处理器，无论是CPU、GPU、FPGA，还是NPU，要想正常运行，都离不开RAM，特别是DRAM（动态随机存取存储器），它已经成为各种系统（PC，手机，数据中心等）中内存的代名词。 根据应用不同，系
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江波龙联合多家知名厂商发起内存质量联盟，促进算力产业高质量发展
11月8日，2024存储产业趋势研讨会 (Memory Trend Seminar 2024，以下简称“MTS”）在深圳盛大举行，众多行业专家、企业代表及媒体代表齐聚深圳，共同探讨未来存储技术的发展和趋势
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要涨价？内存终于止跌 暴涨20％
根据集邦咨询的最新报告，随着AI服务器带动HBM出货增长、消费级DDR5大量备货，三星、SK海力士、美光三大原厂在今年第二季度的表现都很亮眼，整个DRAM内存芯片行业收入达到约114.3亿美元，环比大涨20.4％，结束了连续三个季度的颓势
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1秒处理230部电影！SK海力士推出DRAM 新品HBM3E
8月21日消息，SK海力士宣布成功开发面向AI行业的超高性能DRAM新产品HBM3E，这是目前可用于AI应用的下一代最高规格DRAM。据悉，SK海力士计划在明年上半年开始量产HBM3E，现已提供给NVIDIA和其他客户进行性能评估
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HBM内存：韩国人的游戏
前言： AI时代下，为满足海量数据存储以及日益增长的繁重计算要求，半导体存储器领域也迎来新的变革，HBM技术从幕后走向台前。 HBM技术之下，DRAM芯片从2D转变为3D，可以在很小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，因而HBM被业界视为新一代内存解决方案
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技术再升级！江波龙发布Longsys RDIMM企业级内存条
近日，江波龙正式发布Longsys AQUILA系列32GB 2R×4规格 DDR4 RDIMM企业级专用内存条，速率可达3200MT／s。这是公司成立近24年以来首次推出自主品牌×4规格的企业级内存条，标志着公司DIMM存储事业再上一台阶，具有里程碑式的意义
江波龙 2023-03-14 -
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“拖后腿”的DRAM
2023年，半导体市场不妙，而其中最不妙的当属DRAM。世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布，2023年的全球半导体市场规模将萎缩4．1％至5570亿美元。WSTS表示，“拖后腿”的主要是存储芯片，预计2023年存储芯片的市场规模将萎缩12．6％
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英飞凌推出XMC7000系列微控制器，可满足工业级应用对更高性能、更大内存、更先进的外设及更大工作温度范围的要求
【2022年11月24日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）在2022慕尼黑国际电子元器件博览会上推出了用于工业驱动、电动汽车（EV）充电、电动两轮车、机器人等先进工业级应用的XMC7000系列微控制器（MCU）
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三星开始开发DDR6内存！
几个月前，DDR5内存刚成为主流，如今三星已经率先开始了下一代DDR6内存的早期开发过程。近日，据韩媒报道，三星DDR6内存已经投入研发，并预计在2024年之前完成设计。在韩国水原的一次研讨会上，三星负责测试和系统封装（TSP）的副总裁透露，随着未来内存本身性能的扩大，封装技术也需要不断发展
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