前言：

为了把握新兴的生成式AI技术浪潮并推动市场复苏，三星、SK海力士和美光公司正积极调整晶圆产能，以更好地把握HBM（高带宽内存）市场机遇。

同时，从收入角度来看，HBM市场有望在2022年的约27亿美元基础上，增长到2024年的约140亿美元。

这一增长趋势将使得HBM在DRAM总体收入中的占比，从2022年的约3%提升至2024年的约19%，显示出其巨大的市场潜力和增长前景。

作者 | 方文三

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存储芯片价格开始转折的信号

自去年十月份起，DRAM存储芯片和NAND闪存芯片的价格已呈现出连续的回升态势。此外，DRAM价格已连续第三个月上涨。

据去年第四季度的市场观察，Mobile DRAM的合约价格预计将有13%至18%的季度涨幅。

来自存储器模块厂商的消息指出，诸如三星电子、SK海力士、美光等主要的存储芯片制造商，正计划在今年第一季度将DRAM的价格上调15%至20%。

TrendForce集邦咨询的最新研究显示，DRAM产品的合约价格自2021年第四季度开始下跌，并连续下跌了八个季度，直至2023年第四季度开始回升。

集邦咨询预测，今年第一季度DRAM的合约价格将有约13%至18%的季度涨幅，而NAND Flash的涨幅则为18%至23%。

进入第二季度，DRAM与NAND Flash的合约价格季度涨幅预计将收窄至3%至8%。

第三季度，由于市场传统旺季的到来，DRAM与NAND Flash的合约价格季度涨幅有望同步扩大至8%至13%。

在第四季度，若供应商能够有效地维持控产策略，预计涨势将持续，DRAM的合约价格季度涨幅约为8%至13%，而NAND Flash的合约价格季度涨幅则预计为0%至5%。

在DRAM市场中，DDR5和HBM渗透率的提升将进一步推高整体平均售价，从而扩大合约价格的环比涨幅。

据预测，全球DRAM市场规模在2024年有望达到874亿美元，同比增长88%。

内存厂商重大利好让巨头大涨

根据TrendForce的统计数据，2023年第四季度全球DRAM产业总营收达到174.6亿美元，相较于前一季度增长了29.6%。

在前六名的DRAM厂商中，所有公司在2023年第四季度的营收环比均实现了正增长，并且增长幅度普遍较大。

三星电子的DRAM营收在2023年第四季度达到了79.5亿美元，较前一季度增长了超过50%，成为三大原厂中增长最快的公司。

这主要得益于1α nm制程DDR5芯片的出货量大幅提升，使得服务器DRAM的出货量环比增长超过60%。

预计随着下半年的旺季到来，需求将较上半年明显增加，产能也将持续提升至第四季度。

对于SK海力士而言，2023年第四季度的营收增长至55.6亿美元，较前一季度增长了20.2%。

这一增长主要归因于HBM和DDR5的价格优势，以及来自高容量服务器DRAM模组的盈利，这使得其平均销售单价环比增长了17%—19%。

在产能规划上，SK海力士正在积极扩大HBM产能，并增加投片量。随着HBM3E的量产，相关先进制程的投片量也将持续上升。

美光在2023年第四季度的表现相对较弱，其出货量和平均销售单价均环比增长了4%—6%，营收达到了33.5亿美元，较前一季度增长了8.9%。

在产能规划上，美光的投片量呈现出回暖趋势，并计划后续积极增加其先进制程1β nm的产能比重，用于生产HBM、DDR5和LPDDR5(X)。

南亚科在2022年第四季度的出货量有所下滑，但由于合约价的下跌，该季度营收下滑了30%。然而，在2023年第四季度，该公司的营收环比增长了12.1%，达到了2.74亿美元。

华邦在2022年第四季度的营收环比下滑了30.3%。但在2023年第四季度，其营收环比增长了19.5%，约为1.33亿美元。

力积电在2023年第四季度的营收环比增长高达110%。如果将代工营收计入，其合计营收环比增长了11.6%。

综合以上六大厂商在2022年第四季度和2023年第四季度的营收对比情况，可以明显看出市场趋势的变化。

到了2023年，所有厂商的营收均实现了正增长，并且增长幅度较大，合计达到了221%。

这一变化反映了DRAM市场的复苏和强劲增长态势。

2024全年存储业务将会继续复苏

根据Yole Group的最新分析报告，由于AI服务器的需求超越其他应用领域，预计HBM在整个DRAM出货量中的份额将从2023年的约2%提升至2029年的6%。

虽然HBM的价格远高于DDR5，但其收入份额预计将从2024年的140亿美元增长到2029年的380亿美元。

Yole Group指出，内存供应商已增加了HBM晶圆产量，预估产量从2022年的每月44,000片晶圆(WPM)增长至2023年的74,000 WPM，并有可能在2024年达到151,000 WPM。

据预测，AI PC中的DRAM搭载容量将翻倍，而下一代智能手机中的DRAM搭载容量将增加50%以上。

到2025年，边缘AI装置的DRAM搭载容量将增长6.7%。

三星电子表示，随着消费电子设备单机存储容量的增加、AI投资的扩大以及服务器需求的逐渐复苏等因素，预计2024年全年存储业务将继续复苏。

SK海力士看好高性能DRAM的需求增长。该公司计划于2024年专注于AI用存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，以顺应高性能DRAM需求的增长趋势。

同时，SK海力士还将DDR5和LPDDR5等高性能、高容量产品应用到服务器和移动端市场。

美光科技认为，2024年消费电子市场需求将回升，并在AI PC和HBM等需求的推动下，存储器价格将实现强劲增长。

厂商关注HBM下一代CXL DRAM的技术

在当前以数据爆炸为特征的人工智能时代，PCIe等现有计算标准对DRAM模块的安装和物理可扩展性构成了限制。

而CXL则成功解决了这些挑战，有望推动DRAM市场迎来新一轮的发展。

随着人工智能时代的迅速逼近，对于内存平台的需求也愈发明显，特别是那些能够支持快速接口和易于扩展的平台。

相较于传统接口，CXL的DRAM模块以其卓越的可扩展性脱颖而出，而其他方面的优势同样显著。

据市场研究公司Yole Group于10月12日发布的预测报告，到2028年，全球CXL市场预计将达到150亿美元。

尽管目前仅有不到10%的CPU与CXL标准兼容，但预计到2027年，全球所有CPU都将实现与CXL接口的兼容。

在CXL市场中，DRAM占据核心地位。Yole Group预测，到2028年，将有120亿美元，即CXL市场总收入的80%，来自于DRAM。

值得注意的是，SK海力士与美光也认识到了CXL的潜力，并已成为CXL联盟的会员。

然而，它们在CXL技术上的进展与三星相比仍存在一定差距。

此外，CXL IP的重要性也日益凸显。据HTF MI Research预测，到2029年，CXL IP市场将达到8.923亿美元，复合年增长率为37.6%。

结尾：

无论如何，作为典型的周期成长行业，存储市场已经摆脱了前几个季度连续下滑的最坏时刻，正处于新一轮成长的黎明期。

部分资料参考：半导体产业纵横：《DRAM增长全面转正，六巨头大涨221%》，半导体行业观察：《存储大厂，开卷CXL》，科创板日报：《DRAM已连涨三月！节后存储渠道行情向上》

       原文标题 : AI芯天下丨热点丨内存厂商重大利好，六巨头大涨221%